一种背接触异质结太阳能电池制造技术

一种背接触异质结太阳能电池，属于太阳能光伏电池的技术领域，包括衬底，在衬底的正面依次向上设置有非晶SiOx层、非晶SiNx层，在衬底的背面借助绝缘隔离区间隔、交替设置有电子产生及收集区和空穴产生及收集区，所述电子产生及收集区包括在衬底背面依次向外设置的本征氢化非晶硅层I1、n型氢化纳米硅层、本征氢化非晶硅层I2、p型氢化纳米硅层、ITO层、电子收集电极；所述的空穴产生及收集区包括在衬底背面依次向外设置的本征氢化非晶硅层I2、p型氢化纳米硅层、ITO层、空穴收集电极。本实用新型专利技术提高了电池的转换效率、降低了生产成本，结构更优化。

【技术实现步骤摘要】
一种背接触异质结太阳能电池
本技术属于太阳能光伏电池的
，涉及一种背接触异质结太阳能电池。本技术在技术上引入隧穿结，利用激光设备两次激光划线所得的p型掺杂所需区域6、绝缘隔离区10，实现了电池p、n掺杂的分区和隔离，既综合了异质结和背接触两种电池的优点，又克服了传统背接触技术工艺复杂的缺点，从而实现了在降低生产成本的基础上提高电池光电转换效率的目的。同时进一步提高了电池的转换效率、降低了生产成本，结构更优化。
技术介绍
能源危机和环境污染问题促进了清洁能源的广泛研究与应用开发。太阳能光伏发电具有资源充足、清洁、安全、寿命长等优点，已成为可再生能源技术中发展最快、最具活力的研究领域。目前市场上的太阳能光伏电池主要有晶体硅电池(包括单晶硅、多晶硅)、非晶硅薄膜、碲化镉薄膜及铜铟镓硒薄膜太阳电池等。高效化是目前太阳电池的发展趋势，也是降低发电成本的关键。高效电池技术主要有P型单晶硅PERC、N型PERT、TOPCon、背接触太阳电池(IBC)和晶体硅/非晶硅异质结电池等，其中晶体硅/非晶硅异质结太阳电池综合了晶体硅电池和非晶硅电池的优点，近年来得到了迅速的发展，是一种非常有应用前景的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背接触异质结太阳能电池，包括衬底(1)，其特征在于，在衬底(1)的正面依次向上设置有非晶SiOx层(2)、非晶SiNx层(3)，在衬底(1)的背面借助绝缘隔离区(10)间隔、交替设置有电子产生及收集区和空穴产生及收集区，所述电子产生及收集区包括在衬底(1)背面依次向外设置的本征氢化非晶硅层I1(4)、n型氢化纳米硅层(5)、本征氢化非晶硅层I2(7)、p型氢化纳米硅层(8)、ITO层(9)、电子收集电极(11)；所述的空穴产生及收集区包括在衬底(1)背面依次向外设置的本征氢化非晶硅层I2(7)、p型氢化纳米硅层(8)、ITO层(9)、空穴收集电极(12)。

【技术特征摘要】
1.一种背接触异质结太阳能电池，包括衬底(1)，其特征在于，在衬底(1)的正面依次向上设置有非晶SiOx层(2)、非晶SiNx层(3)，在衬底(1)的背面借助绝缘隔离区(10)间隔、交替设置有电子产生及收集区和空穴产生及收集区，所述电子产生及收集区包括在衬底(1)背面依次向外设置的本征氢化非晶硅层I1(4)、n型氢化纳米硅层(5)、本征氢化非晶硅层I2(7)、p型氢化纳米硅层(8)、ITO层(9)、电子收集电极(11)；所述的空穴产生及收集区包括在衬底(1)背面依次向外设置的本征氢化非晶硅层I2(7)、p型氢化纳米硅层(8)、ITO层(9)、空穴收集电极(12)。2.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于，所述衬底(1)为n型单晶硅，厚度100～200μm，电阻率为2Ω﹒cm～13Ω﹒cm，晶向为<100&...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛俊明，李森，高建军，王燕增，代杰，张金娟，赵学亮，王珊珊，陈金端，
申请(专利权)人：河北汉盛光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13