【技术实现步骤摘要】
一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池
本技术涉及太阳能电池
，具体地，涉及一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池。
技术介绍
晶体硅太阳电池具有转换效率高、工作稳定性好、工作寿命长和制造技术成熟等特点，是目前太阳能光伏市场的主力军。相对掺硼的P型单晶硅材料，掺磷的N型单晶硅材料中硼含量极低，由硼氧对导致的光致衰减可以忽略，N型硅材料中的一些金属杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力，在相同掺杂浓度下N型硅比P型硅具有更高的少数载流子寿命。这些特性使得N型硅电池具有潜在的长寿命和高效率的优势，N型硅电池太阳电池已成为未来高效率晶体硅太阳电池的发展方向，而如何提高N型硅电池太阳电池的光电转换效率，一直是研究N型硅电池太阳电池的重点，影响N型硅电池太阳电池光电转换效率的因素有很多，且很多因素之间相互制约，因此如何综合衡量各个因素，以提高N型硅电池太阳电池的综合光电转换效率是我们当下需解决的。
技术实现思路
为解决上述现有技术存在的问题，本技术提供了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。为了达到上述技术目的，本技...
【技术保护点】
1.一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，其特征在于，包括：一N型单晶硅基体(1)，所述N型单晶硅基体(1)具有相对的一正面和一背面；依次设于所述N型单晶硅基体(1)正面的本征非晶硅前钝化层(2)、正面N型非晶硅层(3)和减反层(4)；依次沉积于所述N型单晶硅基体(1)背面的掺杂N+层(5)和本征非晶硅背钝化层(6)；间隔设于所述本征非晶硅背钝化层(6)上的背面N型非晶硅层(7)和P型非晶硅层(8)；设于所述背面N型非晶硅层(7)和所述P型非晶硅层(8)上的接触层(9)；设于所述背面N型非晶硅层(7)和所述P型非晶硅层(8)之间的绝缘隔离层(10)。
【技术特征摘要】
1.一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，其特征在于，包括：一N型单晶硅基体(1)，所述N型单晶硅基体(1)具有相对的一正面和一背面；依次设于所述N型单晶硅基体(1)正面的本征非晶硅前钝化层(2)、正面N型非晶硅层(3)和减反层(4)；依次沉积于所述N型单晶硅基体(1)背面的掺杂N+层(5)和本征非晶硅背钝化层(6)；间隔设于所述本征非晶硅背钝化层(6)上的背面N型非晶硅层(7)和P型非晶硅层(8)；设于所述背面N型非晶硅层(7)和所述P型非晶硅层(8)上的接触层(9)；设于所述背面N型非晶硅层(7)和所述P型非晶硅层(8)之间的绝缘隔离层(10)。2.根据权利要求1所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述掺杂N+层(5)设有多个，多个所述掺杂N+层(5)依次间隔排布。3.根据权利要求2所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，每一所述掺杂N+层(5)与一所述背面N型非晶硅层(7)相对。4.根据权利要求1～3任意一项所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述掺杂N+层(5)为轻掺杂N+层，所述掺杂N...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢刚，王海，何凤琴，郑璐，钱俊，杨振英，王旭辉，
申请(专利权)人：黄河水电光伏产业技术有限公司，青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司，国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司，青海黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：新型
国别省市：青海,63
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