一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池制造技术

本发明专利技术公开了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，包括一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；依次设于N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；依次沉积于N型单晶硅基体背面的掺杂N+层和本征非晶硅背钝化层；间隔设于本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层上的接触层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层之间的绝缘隔离层。本发明专利技术的背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。

A back contact heterojunction N type monocrystalline silicon solar cell

The invention discloses a back-contact heterojunction N-type monocrystalline silicon solar cell, which comprises a N-type monocrystalline silicon substrate, a N-type monocrystalline silicon substrate having a relative front and a back surface, an intrinsic amorphous silicon front passivation layer, a front N-type amorphous silicon layer and a reverse layer arranged on the front of the N-type monocrystalline silicon substrate in turn, and a N-type monocrystalline silicon substrate deposited on the N-type Monocry Doped N + layer and intrinsic amorphous silicon passivation layer on the back side of the bulk; N-type amorphous silicon layer and P-type amorphous silicon layer on the back side of the intrinsic amorphous silicon passivation layer; contact layer on the back side of the N-type amorphous silicon layer and P-type amorphous silicon layer; insulation layer between N-type amorphous silicon layer and P-type amorphous silicon layer on the back side. The back contact heterojunction N-type monocrystalline silicon solar cell of the invention improves the comprehensive photoelectric conversion efficiency of the N-type monocrystalline silicon solar cell.

【技术实现步骤摘要】
一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池
本专利技术涉及太阳能电池
，具体地，涉及一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池。
技术介绍
晶体硅太阳电池具有转换效率高、工作稳定性好、工作寿命长和制造技术成熟等特点，是目前太阳能光伏市场的主力军。相对掺硼的P型单晶硅材料，掺磷的N型单晶硅材料中硼含量极低，由硼氧对导致的光致衰减可以忽略，N型硅材料中的一些金属杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力，在相同掺杂浓度下N型硅比P型硅具有更高的少数载流子寿命。这些特性使得N型硅电池具有潜在的长寿命和高效率的优势，N型硅电池太阳电池已成为未来高效率晶体硅太阳电池的发展方向，而如何提高N型硅电池太阳电池的光电转换效率，一直是研究N型硅电池太阳电池的重点，影响N型硅电池太阳电池光电转换效率的因素有很多，且很多因素之间相互制约，因此如何综合衡量各个因素，以提高N型硅电池太阳电池的综合光电转换效率是我们当下需解决的。
技术实现思路
为解决上述现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。为了达到上述专利技术目的，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，其特征在于，包括：一N型单晶硅基体(1)，所述N型单晶硅基体(1)具有相对的一正面和一背面；依次设于所述N型单晶硅基体(1)正面的本征非晶硅前钝化层(2)、正面N型非晶硅层(3)和减反层(4)；依次沉积于所述N型单晶硅基体(1)背面的掺杂N+层(5)和本征非晶硅背钝化层(6)；间隔设于所述本征非晶硅背钝化层(6)上的背面N型非晶硅层(7)和P型非晶硅层(8)；设于所述背面N型非晶硅层(7)和所述P型非晶硅层(8)上的接触层(9)；设于所述背面N型非晶硅层(7)和所述P型非晶硅层(8)之间的绝缘隔离层(10)。

【技术特征摘要】
1.一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，其特征在于，包括：一N型单晶硅基体(1)，所述N型单晶硅基体(1)具有相对的一正面和一背面；依次设于所述N型单晶硅基体(1)正面的本征非晶硅前钝化层(2)、正面N型非晶硅层(3)和减反层(4)；依次沉积于所述N型单晶硅基体(1)背面的掺杂N+层(5)和本征非晶硅背钝化层(6)；间隔设于所述本征非晶硅背钝化层(6)上的背面N型非晶硅层(7)和P型非晶硅层(8)；设于所述背面N型非晶硅层(7)和所述P型非晶硅层(8)上的接触层(9)；设于所述背面N型非晶硅层(7)和所述P型非晶硅层(8)之间的绝缘隔离层(10)。2.根据权利要求1所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述掺杂N+层(5)设有多个，多个所述掺杂N+层(5)依次间隔排布。3.根据权利要求2所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，每一所述掺杂N+层(5)与一所述背面N型非晶硅层(7)相对。4.根据权利要求1～3任意一项所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述掺杂N+层(5)为轻掺杂N+层，所述掺杂N...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨振英，卢刚，王海，何凤琴，郑璐，钱俊，王旭辉，
申请(专利权)人：黄河水电光伏产业技术有限公司，青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司，国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司，青海黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：青海,63