The utility model relates to a crystal silicon heterojunction solar cell structure, in which the intrinsic amorphous silicon-based thin films, doped amorphous silicon thin films and indium titanium oxide ITiO thin films are deposited on one or both sides of the n-type crystal silicon wafer in turn. The crystal silicon heterojunction solar cell of the utility model has uniform structure, good stability and fast deposition rate, which can meet the needs of high-speed production. For large-scale production of crystal silicon heterojunction solar cells, crystal silicon heterojunction solar cells with conversion efficiency greater than 22.5% can be obtained, and the yield of good products can be greater than 99.5%.
【技术实现步骤摘要】
一种晶体硅异质结太阳电池结构
本技术涉及晶体硅异质结太阳电池
，特别是涉及一种晶体硅异质结太阳电池结构。
技术介绍
晶体硅异质结太阳电池技术近年来访发展迅速，已有多家公司投入进行大批量产业化生产。其生长中一项关键技术在于透明导电氧化物的材质和制备方法。就目前而言，大部分采用的是ITO薄膜(掺锡氧化铟)，但也发展了IWO(掺钨氧化铟)、ITiO(掺钛氧化铟)等材料。但除ITO外其他材料的制备技术，尤其是产业化制备技术一直较为困难，不能很好的满足产品性能和生产产能要求。对于ITiO薄膜的制备，一般是采用磁控溅射法，采用氩气和氧气作为反应气体，但所得薄膜的质量一直不够理想，尤其是在高生产速率的大规模生产中产品性能不够稳定。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种晶体硅异质结太阳电池结构，结构均匀性、稳定性好，沉积速率快可满足高速率生产的需要；可用于晶体硅异质结太阳电池的大规模生产。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种晶体硅异质结太阳电池结构：在制绒的n型晶体硅片的一面或两面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、氧化铟钛ITiO薄膜。所述在制绒...
【技术保护点】
1.一种晶体硅异质结太阳电池结构，其特征在于：在制绒的n型晶体硅片的一面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、ITiO薄膜，另一面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜和除ITiO薄膜外的导电氧化物薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种晶体硅异质结太阳电池结构，其特征在于：在制绒的n型晶体硅片的一面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、ITiO薄膜，另一面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜和除ITiO薄膜外的导电氧化物薄膜。2.根据权利要求1所述的一种晶体硅异质结太阳电池结构，其特征在于：所述除ITiO薄膜外的导电氧化物薄膜为ITO薄膜或IWO薄膜。3.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：张闻斌，黄海宾，李杏兵，王月斌，王磊，徐昕，彭德香，
申请(专利权)人：中智泰兴电力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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