用于太阳电池制造的9腔体立式HWCVD-PVD一体化设备制造技术

本发明专利技术涉及一种用于太阳电池制造的9腔体立式HWCVD‑PVD一体化设备，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、过渡腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移动装置由前至后穿接各腔体和真空锁，上料腔体内设立式载板，立式载板设置于移动装置上呈在本一体化设备中由前至后可移动状态，第二TCO薄膜沉积PVD腔体内设溅射靶，上述各个腔体外接超纯气路、加热系、抽真空系统。能有效避免产品制备过程工序暴露于空气，提升晶体硅异质结太阳电池的性能，降低其生产成本。

9-chamber vertical hwcvd-pvd integrated equipment for solar cell manufacturing

【技术实现步骤摘要】
用于太阳电池制造的9腔体立式HWCVD-PVD一体化设备
本专利技术涉及高效晶体硅太阳电池制造领域，特别是一种用于太阳电池制造的9腔体立式HWCVD-PVD一体化设备。
技术介绍
目前，一类先进高效的晶体硅太阳电池是基于非晶硅/晶体硅异质结结构。其生产技术中非常关键的两个步骤是非晶硅基薄膜的沉积（包括本征层和掺杂层，材质为非晶硅、微晶硅、纳米硅、掺氧非晶硅等）以及透明导电氧化物TCO层的沉积。比较常用的非晶硅基薄膜的沉积方法是低温化学气相沉积法，包括等离子体化学气相沉积（PECVD）和热丝化学气相沉积（HWCVD）两种；而TCO层的制备一般采用PVD法（磁控溅射法最常用）。在生产中，这两种技术所对应的设备通常是分开来的。即低温CVD设备是一套独立的系统，通常包括上料及预加热腔体、本征层沉积腔、掺杂沉积腔（p型或n型）以及下料腔体等几部分；而PVD设备也要包括上料腔、预加热腔、薄膜沉积腔以及下料腔体等。CVD与PVD系统之间还需要硅片的上料和下料装置以及硅片在不同设备间传递的传送装置等。整体体系非常复杂。而且因为在CVD与PVD系统之间传递过程中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于太阳电池制造的9腔体立式HWCVD-PVD一体化设备，其特征在于：包括上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、过渡腔体、第一TCO薄膜沉积PVD腔体、第二TCO薄膜沉积PVD腔体、第三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体，上述各腔体之间通过真空锁依次连接，上料腔体进料口和下料腔体出料口同样设置真空锁，一移动装置由前至后穿接各腔体和真空锁，本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、第一TCO薄膜沉积PVD腔体、第二TCO薄膜沉积PVD腔体、第三TCO薄膜沉积PVD腔体均为立式结构，上料腔体内设立式载板，立式载板...

【技术特征摘要】
1.一种用于太阳电池制造的9腔体立式HWCVD-PVD一体化设备，其特征在于：包括上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、过渡腔体、第一TCO薄膜沉积PVD腔体、第二TCO薄膜沉积PVD腔体、第三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体，上述各腔体之间通过真空锁依次连接，上料腔体进料口和下料腔体出料口同样设置真空锁，一移动装置由前至后穿接各腔体和真空锁，本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、第一TCO薄膜沉积PVD腔体、第二TCO薄膜沉积PVD腔体、第三TCO薄膜沉积PVD腔体均为立式结构，上...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄海宾，黄振，周浪，彭德香，任栋樑，刘超，
申请(专利权)人：中智泰兴电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32