中智泰兴电力科技有限公司专利

中智泰兴电力科技有限公司专利技术

中智泰兴电力科技有限公司共有31项专利

一种8腔体立式HWCVD-PVD一体化硅片镀膜工艺制造技术

本发明涉及一种8腔体立式HWCVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一...

最后更新日期：2020-02-25 13:36 访问量：26
用于太阳电池制造的8腔体立式PECVD-PVD一体化设备制造技术

本发明涉及一种用于太阳电池制造的8腔体立式PECVD‑PVD一体化设备，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置...

最后更新日期：2020-02-25 13:36 访问量：49
用于太阳电池制造的7腔体卧式PECVD-PVD一体化设备制造技术

本发明涉及一种用于太阳电池制造的7腔体卧式PECVD‑PVD一体化设备，真空预加热上料腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真...

最后更新日期：2020-02-25 13:36 访问量：29
用于太阳电池制造的7腔体立式PECVD-PVD一体化设备制造技术

本发明涉及一种用于太阳电池制造的7腔体立式PECVD‑PVD一体化设备，真空预加热上料腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真...

最后更新日期：2020-02-25 13:36 访问量：40
用于太阳电池制造的8腔体卧式HWCVD-PVD一体化设备制造技术

本发明涉及一种用于太阳电池制造的8腔体卧式HWCVD‑PVD一体化设备，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置...

最后更新日期：2020-02-25 12:21 访问量：30
一种9腔体卧式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺制造技术

本发明涉及一种9腔体卧式PECVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、过渡腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置...

最后更新日期：2020-02-25 12:20 访问量：39
用于太阳电池制造的9腔体立式HWCVD-PVD一体化设备制造技术

本发明涉及一种用于太阳电池制造的9腔体立式HWCVD‑PVD一体化设备，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、过渡腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接...

最后更新日期：2020-02-25 12:20 访问量：29
7腔体立式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺制造技术

本发明涉及一种7腔体立式PECVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，真空预加热上料腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移...

最后更新日期：2020-02-25 12:20 访问量：59
一种7腔体卧式HWCVD-PVD一体化硅片镀膜工艺制造技术

本发明涉及一种7腔体卧式HWCVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，预加热上料腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移动装...

最后更新日期：2020-02-25 12:20 访问量：60
一种7腔体卧式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺制造技术

本发明涉及一种7腔体卧式PECVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，真空预加热上料腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移...

最后更新日期：2020-02-25 12:20 访问量：53
一种9腔体立式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺制造技术

本发明涉及一种9腔体立式PECVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、过渡腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置...

最后更新日期：2020-02-25 12:20 访问量：22
一种8腔体卧式HWCVD-PVD一体化硅片镀膜工艺制造技术

本发明涉及一种8腔体卧式HWCVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一...

最后更新日期：2020-02-25 12:20 访问量：23
一种8腔体卧式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺制造技术

本发明涉及一种8腔体卧式PECVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一...

最后更新日期：2020-02-25 12:20 访问量：35
一种9腔体立式HWCVD-PVD一体化硅片镀膜工艺制造技术

本发明涉及一种9腔体立式HWCVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、过渡腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置...

最后更新日期：2020-02-25 12:20 访问量：150
一种9腔体卧式HWCVD-PVD一体化硅片镀膜工艺制造技术

本发明涉及一种9腔体卧式HWCVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、过渡腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置...

最后更新日期：2020-02-25 12:20 访问量：77
一种8腔体立式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺制造技术

本发明涉及一种8腔体立式PECVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一...

最后更新日期：2020-02-25 12:20 访问量：82
7腔体立式HWCVD-PVD一体化硅片镀膜生产工艺制造技术

本发明涉及一种7腔体立式HWCVD‑PVD一体化硅片镀膜生产工艺，预加热上料腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移...

最后更新日期：2020-02-25 12:20 访问量：26
用于太阳电池制造的9腔体卧式HWCVD-PVD一体化设备制造技术

本发明涉及一种用于太阳电池制造的9腔体卧式HWCVD‑PVD一体化设备，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、过渡腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接...

最后更新日期：2020-02-25 12:20 访问量：19
用于太阳电池制造的9腔体卧式PECVD-PVD一体化设备制造技术

本发明涉及一种用于太阳电池制造的9腔体卧式PECVD‑PVD一体化设备，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、过渡腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接...

最后更新日期：2020-02-25 12:20 访问量：34
用于太阳电池制造的8腔体卧式PECVD-PVD一体化设备制造技术

本发明涉及一种用于太阳电池制造的8腔体卧式PECVD‑PVD一体化设备，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置...

最后更新日期：2020-02-25 12:20 访问量：38

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