一种9腔体卧式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种9腔体卧式PECVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、过渡腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移动装置由前至后穿接各腔体和真空锁，上料腔体内设卧式载板，卧式载板设置于移动装置上呈在本一体化设备中由前至后可移动状态，第二TCO薄膜沉积PVD腔体内设溅射靶，上述各个腔体外接超纯气路、加热系、抽真空系统。能有效避免产品制备过程工序暴露于空气，提升晶体硅异质结太阳电池的性能，降低其生产成本。

A 9-chamber horizontal pecvd-pvd integrated silicon wafer coating process

【技术实现步骤摘要】
一种9腔体卧式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺
本专利技术涉及高效晶体硅太阳电池制造领域，特别是一种用于太阳电池制造的9腔体卧式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺。
技术介绍
目前，一类先进高效的晶体硅太阳电池是基于非晶硅/晶体硅异质结结构。其生产技术中非常关键的两个步骤是非晶硅基薄膜的沉积（包括本征层和掺杂层，材质为非晶硅、微晶硅、纳米硅、掺氧非晶硅等）以及透明导电氧化物TCO层的沉积。比较常用的非晶硅基薄膜的沉积方法是低温化学气相沉积法，包括等离子体化学气相沉积（PECVD）和热丝化学气相沉积（HWCVD）两种；而TCO层的制备一般采用PVD法（磁控溅射法最常用）。在生产中，这两种技术所对应的设备通常是分开来的。即低温CVD设备是一套独立的系统，通常包括上料及预加热腔体、本征层沉积腔、掺杂沉积腔（p型或n型）以及下料腔体等几部分；而PVD设备也要包括上料腔、预加热腔、薄膜沉积腔以及下料腔体等。CVD与PVD系统之间还需要硅片的上料和下料装置以及硅片在不同设备间传递的传送装置等。整体体系非常复杂。而且因为在CVD与PVD系统之间传递过程本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种9腔体卧式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺，其特征在于：采用卧式结构的本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、卧式结构的掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体，以及三个卧式结构的TCO薄膜沉积PVD腔体，将上述薄膜沉积腔体集成，各腔体之间采用真空锁结构连接，各个腔体在硅片未进入前均由其外接真空系统保持真空状态，将需进行镀膜的硅片固定到水平放置的载板上；上料腔体破真空，打开进料端真空锁，载板由移动装置送入上料腔体中，然后关闭真空锁抽真空，打开上料腔体和加热腔体间的真空锁，载板送入热加热腔体并关闭真空锁抽真空进行预加热，预加热可由腔体内或外接加热系统完成，达到预定的真空度和温度后，打开预加热腔体、...

【技术特征摘要】
1.一种9腔体卧式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺，其特征在于：采用卧式结构的本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、卧式结构的掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体，以及三个卧式结构的TCO薄膜沉积PVD腔体，将上述薄膜沉积腔体集成，各腔体之间采用真空锁结构连接，各个腔体在硅片未进入前均由其外接真空系统保持真空状态，将需进行镀膜的硅片固定到水平放置的载板上；上料腔体破真空，打开进料端真空锁，载板由移动装置送入上料腔体中，然后关闭真空锁抽真空，打开上料腔体和加热腔体间的真空锁，载板送入热加热腔体并关闭真空锁抽真空进行预加热，预加热可由腔体内或外接加热系统完成，达到预定的真空度和温度后，打开预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体之间的真空锁；将载板送入本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体中关闭真空锁；在本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体中进行本征非晶硅薄膜层的沉积，沉积结束后抽除残余反应气体，达到所需真空度后打开本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体之间的真空锁，将载板送入到掺杂非晶硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄振，黄海宾，周浪，彭德香，任栋梁，刘超，
申请(专利权)人：中智泰兴电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32