蒸镀装置和蒸镀方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种蒸镀装置，用于对待蒸镀基板进行蒸镀，所述蒸镀装置包括：容纳有压缩气体的蒸镀腔室，用于承载待蒸镀基板和靶材；纵波产生结构，设置于所述蒸镀腔室内，用于发出沿第一方向传播的矩形纵波，以使所述蒸镀基板和所述靶材之间的所述压缩气体在矩形纵波的波峰处形成用于遮挡靶材分子的密部，在矩形纵波的波谷处形成用于提供靶材分子向所述待蒸镀基板移动的通道的疏部，其中，所述疏部对应于所述待蒸镀基板的待蒸镀区域，所述密部对应于所述待蒸镀基板的非蒸镀区域，所述第一方向与所述待蒸镀基板的待蒸镀面平行。本发明专利技术还涉及一种蒸镀方法。

【技术实现步骤摘要】
蒸镀装置和蒸镀方法
本专利技术涉及蒸镀溅射的制作工艺
，尤其涉及一种蒸镀装置和蒸镀方法。
技术介绍
OLED(OrganicLightEmittingDisplay，即有机发光二极管)已经成为现代显示技术的新宠，其核心的有机发光材料需要进行蒸镀进行制作。现阶段蒸镀工艺由于采用直接加热的方式进行蒸镀，掩膜板以及蒸镀腔室的腔体壁上都会附着蒸镀材料，使得蒸镀的效率低下，仅有10％的蒸镀材料可以到达基底表面，使得OLED蒸镀的材料成本高昂；并需要定期进行掩膜板和蒸镀腔室的清洁，严重影响生产的效率。另外，由于产品多样，需要对应每种产品，出一张、甚至多张掩膜板，以对应产品需要。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种蒸镀装置和蒸镀方法，解决现有蒸镀工艺中蒸镀效率低、生产效率低的问题。为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种蒸镀装置，用于对待蒸镀基板进行蒸镀，所述蒸镀装置包括：容纳有压缩气体的蒸镀腔室，用于承载待蒸镀基板和靶材；纵波产生结构，设置于所述蒸镀腔室内，用于发出沿第一方向传播的矩形纵波，以使所述蒸镀基板和所述靶材之间的所述压缩气体在矩形纵波的波峰处形成用于遮挡靶材分子的密部，在矩形纵波的波谷处形成用于提供靶材分子向所述待蒸镀基板移动的通道的疏部，其中，所述疏部对应于所述待蒸镀基板的待蒸镀区域，所述密部对应于所述待蒸镀基板的非蒸镀区域，所述第一方向与所述待蒸镀基板的待蒸镀面平行。进一步的，所述纵波产生结构包括：简谐波产生单元，用于发出多列不同频率和不同振幅的简谐波，以叠加形成所述矩形纵波。进一步的，还包括第一控制单元，用于在所述矩形纵波的振幅不变时，根据待蒸镀基板的待蒸镀区域和非蒸镀区域组成的待蒸镀图案调节至少一个所述简谐波的频率，以使所述疏部对应于所述待蒸镀区域，所述密部对应于所述非蒸镀区域。进一步的，还包括第二控制单元，用于调节形成所述矩形纵波的所述简谐波的数量，以调节位于所述矩形纵波的一个波峰的边缘和与该波峰相邻的一个波谷的边缘之间的半波的宽度。进一步的，所述简谐波为超声波，所述简谐波产生单元包括用于发出多个超声波的超声波换能器。进一步的，所述矩形纵波的振幅A＞[3kT/(ρ*ω2*ν)]1/2，其中，k为玻尔兹曼常数，T为绝对温度，ρ为蒸镀腔室内压缩气体的密度，ω为矩形声波的频率，ν为矩形声波在腔室气体内的传播速度。进一步的，所述待蒸镀基板包括与所述待蒸镀面相背设置的第一面，所述蒸镀腔室内靠近所述第一面的一侧、对应于所述待蒸镀区域的第一区域上设置有触发结构，所述触发结构用于触发所述靶材上的靶材分子脱离靶材、并沿第二方向移动至所述待蒸镀基板，其中，所述触发结构对所述靶材分子施加的沿所述第二方向移动的力大于所述矩形纵波对所述靶材分子施加的沿所述第一方向的力。进一步的，所述触发结构为激光发生器。进一步的，所述压缩气体为惰性气体。本专利技术还提供一种蒸镀方法，应用于上述的蒸镀装置，所述方法包括：在蒸镀腔室内充满压缩气体；在待蒸镀基板和靶材之间形成沿第一方向传播的矩形纵波，以使得所述蒸镀基板和所述靶材之间的所述压缩气体在矩形纵波的波峰处形成用于遮挡靶材分子的密部，在矩形纵波的波谷处形成用于提供靶材分子向所述待蒸镀基板移动的通道的疏部，其中，所述疏部对应于所述待蒸镀区域，所述密部对应于所述非蒸镀区域，所述第一方向与所述待蒸镀面平行；触发靶材，以使靶材分子脱离靶材并向待蒸镀基板移动，以进行蒸镀。进一步的，多列不同频率和不同振幅的简谐波叠加形成所述矩形纵波，所述蒸镀方法还包括：在所述矩形纵波的振幅不变时，根据待蒸镀基板的待蒸镀区域和非蒸镀区域组成的待蒸镀图案调节至少一个所述简谐波的频率，以使所述疏部对应于所述待蒸镀区域，所述密部对应于所述非蒸镀区域，具体包括：以一个所述待蒸镀区域在所述第一方向上的长度的中心为原点建立坐标系，第一函数f(x)为：其中，f(x)＝0为待蒸镀区域，f(x)＝1为非蒸镀区域，a为所述波谷沿所述第一方向上的长度，b为所述波峰沿所述第一方向上的长度，L＝a+b，且L为所述矩形纵波一个周期的长度，N为周期数；根据所述第一函数获得所述矩形纵波函数g(x)为：其中，g(x)＝0为波谷，g(x)＝A为波峰；根据傅里叶变换原理建立所述矩形纵波函数g(x)为：获得第n列简谐波gn(x)为：其中，an为第n列简谐波的振幅，且根据公式(1)(2)(3)(4)调节至少一个所述简谐波的频率，以使所述疏部对应于所述待蒸镀区域，所述密部对应于所述非蒸镀区域。进一步的，还包括：根据公式(1)(2)(3)(4)调节形成所述矩形纵波的所述简谐波的数量，以调节位于所述矩形纵波的一个波峰的边缘和与该波峰相邻的一个波谷的边缘之间的半波的宽度。本专利技术的有益效果是：通过纵波产生结构发出沿第一方向传播的矩形纵波，以使所述蒸镀基板和所述靶材之间的所述压缩气体在矩形纵波的波峰处形成用于遮挡靶材分子的密部，在矩形纵波的波谷处形成用于提供靶材分子向所述待蒸镀基板移动的通道的疏部，以代替掩膜板，且避免了蒸镀材料附着与蒸镀腔室的腔体壁以及掩膜板上，提高蒸镀效率，且节省了对蒸镀腔室以及掩膜板进行清洗的工序，提高生产效率；且通过调节所述矩形纵波可以对应不同的待蒸镀基板，避免了多套掩膜板的制作，降低成本。附图说明图1表示本专利技术实施例中蒸镀装置结构示意图；图2表示本专利技术实施例中矩形纵波示意图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的特征和原理进行详细说明，所举实施例仅用于解释本专利技术，并非以此限定本专利技术的保护范围。如图1和图2所示，本实施例提供一种蒸镀装置，用于对待蒸镀基板2进行蒸镀，所述蒸镀装置包括：容纳有压缩气体的蒸镀腔室1，用于承载待蒸镀基板2和靶材3；纵波产生结构，设置于所述蒸镀腔室1内，用于发出沿第一方向传播的矩形纵波，以使所述蒸镀基板和所述靶材3之间的所述压缩气体在矩形纵波的波峰处形成用于遮挡靶材3分子的密部41，在矩形纵波的波谷处形成用于提供靶材3分子向所述待蒸镀基板2移动的通道的疏部42，其中，所述疏部42对应于所述待蒸镀基板2的待蒸镀区域22(图1中待蒸镀基板2的上方的虚线表示的矩形区域)，所述密部41对应于所述待蒸镀基板2的非蒸镀区域21，所述第一方向与所述待蒸镀基板2的待蒸镀面平行。通过纵波产生结构发出沿第一方向传播的矩形纵波，以使所述蒸镀基板和所述靶材3之间的所述压缩气体在矩形纵波的波峰处形成用于遮挡靶材3分子的密部41，在矩形纵波的波谷处形成用于提供靶材3分子向所述待蒸镀基板2移动的通道的疏部42，不但代替掩膜板以起到掩膜板的作用，且可以在待蒸镀基板2的非蒸镀区域21对应的所述蒸镀腔室1的区域内形成压缩气体挡墙，在蒸镀时，蒸镀材料只能从所述压缩气体形成的所述疏部42通过并向靠近待蒸镀基板2的方向移动，而蒸镀材料移动至压缩气体形成的所述密部41处时，会被反弹而不会附着，避免了蒸镀材料附着与蒸镀腔室1的腔体壁以及掩膜板上，提高蒸镀效率，相对于现有蒸镀工艺来说也节省了对蒸镀腔室1以及掩膜板进行清洗的工序，提高生产效率；且通过调节所述矩形纵波的所述疏部42和密部41可以对应不同的待蒸镀基板2，避免了多套掩膜板的制作，降低成本。本实施例中，所述纵波产生结构包括：简谐波产生单元，用于发出多列不同频率和不同振幅的简谐波，以叠本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蒸镀装置，用于对待蒸镀基板进行蒸镀，其特征在于，所述蒸镀装置包括：容纳有压缩气体的蒸镀腔室，用于承载待蒸镀基板和靶材；纵波产生结构，设置于所述蒸镀腔室内，用于发出沿第一方向传播的矩形纵波，以使所述蒸镀基板和所述靶材之间的所述压缩气体在矩形纵波的波峰处形成用于遮挡靶材分子的密部，在矩形纵波的波谷处形成用于提供靶材分子向所述待蒸镀基板移动的通道的疏部；其中，所述疏部对应于所述待蒸镀基板的待蒸镀区域，所述密部对应于所述待蒸镀基板的非蒸镀区域，所述第一方向与所述待蒸镀基板的待蒸镀面平行。

【技术特征摘要】
1.一种蒸镀装置，用于对待蒸镀基板进行蒸镀，其特征在于，所述蒸镀装置包括：容纳有压缩气体的蒸镀腔室，用于承载待蒸镀基板和靶材；纵波产生结构，设置于所述蒸镀腔室内，用于发出沿第一方向传播的矩形纵波，以使所述蒸镀基板和所述靶材之间的所述压缩气体在矩形纵波的波峰处形成用于遮挡靶材分子的密部，在矩形纵波的波谷处形成用于提供靶材分子向所述待蒸镀基板移动的通道的疏部；其中，所述疏部对应于所述待蒸镀基板的待蒸镀区域，所述密部对应于所述待蒸镀基板的非蒸镀区域，所述第一方向与所述待蒸镀基板的待蒸镀面平行。2.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述纵波产生结构包括：简谐波产生单元，用于发出多列不同频率和不同振幅的简谐波，以叠加形成所述矩形纵波。3.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，还包括第一控制单元，用于在所述矩形纵波的振幅不变时，根据待蒸镀基板的待蒸镀区域和非蒸镀区域组成的待蒸镀图案调节至少一个所述简谐波的频率，以使所述疏部对应于所述待蒸镀区域，所述密部对应于所述非蒸镀区域。4.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，还包括第二控制单元，用于调节形成所述矩形纵波的所述简谐波的数量，以调节位于所述矩形纵波的一个波峰的边缘和与该波峰相邻的一个波谷的边缘之间的半波的宽度。5.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，所述简谐波为超声波，所述简谐波产生单元包括用于发出多个超声波的超声波换能器。6.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，所述矩形纵波的振幅A＞[3kT/(ρ*ω2*ν)]1/2，其中，k为玻尔兹曼常数，T为绝对温度，ρ为蒸镀腔室内压缩气体的密度，ω为矩形声波的频率，ν为矩形声波在腔室气体内的传播速度。7.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述待蒸镀基板包括与所述待蒸镀面相背设置的第一面，所述蒸镀腔室内靠近所述第一面的一侧、对应于所述待蒸镀区域的第一区域上设置有触发结构，所述触发结构用于触发所述靶材上的靶材分子脱离靶材、并沿第二方向移动至所述待蒸镀基板，其中，所述触发结构对所述靶材分子施加的沿所述第二方向移动的力大于所述矩形纵波对所述靶材分子施加的...

【专利技术属性】
技术研发人员：万冀豫，汪栋，宋勇志，陈南，张大成，张思凯，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11