硅或锗部件的低应力结合制造技术

本发明专利技术涉及硅或锗部件的低应力结合。一种方法包括提供第一部件、第二部件和在第一部件和第二部件之间的结合材料。所述第一部件和所述第二部件由从硅和锗组成的组中选择的第一材料制成。所述结合材料包括与所述第一材料不同的第二材料。该方法包括将所述第一部件、所述结合材料和所述第二部件布置在炉中；以及通过将所述第一部件、所述第二部件和所述结合材料加热到预定温度持续预定时间段来形成结合部件，所述预定时间段之后是预定凝固时间段。所述预定温度大于包括所述第一材料和所述第二材料的合金的共晶温度的1.5倍并且小于所述第一材料的熔化温度。

【技术实现步骤摘要】
硅或锗部件的低应力结合
本公开涉及由硅或锗制成的结合部件以及用于将硅或锗部件结合在一起的方法。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的背景的目的。在该
技术介绍
部分以及在提交申请时不会以其他方式认为是现有技术的描述的方面中描述的程度上，目前署名的专利技术人的工作既不明确地也不隐含地被承认为针对本公开的现有技术。半导体处理系统可以包括需要由硅(Si)或锗(Ge)制成的部件。使用这些材料制造的大的部件制造起来很昂贵。生产用于制造这些大的部件的起始坯料的成本随着成品部件的尺寸的增大而增加。当使用硅时，起始坯通常由单晶、无位错(DF)硅锭和切成所需厚度的多晶硅锭制成。在许多情况下，加工过程耗时且劳动力成本高。某些部件可能需要从起始坯料上去除大量材料。某些部件(如配有内部充气室的气体分配板)不可能使用单块硅坯料来制造。芯钻和放电加工(EDM)是减少某些类型部件(如环形部件)的材料损失和加工时间的有效方法。较大的部件可以使用被分开加工并且然后结合在一起的两个或更多个较小的部件进行组装。与从单一的单块坯料加工等同部件相比，这种方法可显著降低制造成本。已经使用弹性体将硅与硅、硅与石墨以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于将第一部件结合到第二部件的方法，其包括：提供所述第一部件、所述第二部件以及在所述第一部件和所述第二部件之间的结合材料，其中所述第一部件和所述第二部件由从由硅和锗组成的组中选择的第一材料制成，并且其中所述结合材料包括不同于所述第一材料的第二材料；将所述第一部件、所述结合材料和所述第二部件布置在炉中；通过将所述第一部件、所述第二部件和所述结合材料加热至预定温度持续预定时间段来产生结合部件，其中所述预定时间段之后是预定凝固时间段，其中，所述预定温度大于包括所述第一材料和所述第二材料的合金的共晶温度的1.5倍并且小于所述第一材料的熔化温度，并且其中所述结合部件包括结合层，所述结合层包括：邻...

【技术特征摘要】
2017.01.05 US 15/399,1881.一种用于将第一部件结合到第二部件的方法，其包括：提供所述第一部件、所述第二部件以及在所述第一部件和所述第二部件之间的结合材料，其中所述第一部件和所述第二部件由从由硅和锗组成的组中选择的第一材料制成，并且其中所述结合材料包括不同于所述第一材料的第二材料；将所述第一部件、所述结合材料和所述第二部件布置在炉中；通过将所述第一部件、所述第二部件和所述结合材料加热至预定温度持续预定时间段来产生结合部件，其中所述预定时间段之后是预定凝固时间段，其中，所述预定温度大于包括所述第一材料和所述第二材料的合金的共晶温度的1.5倍并且小于所述第一材料的熔化温度，并且其中所述结合部件包括结合层，所述结合层包括：邻近所述第一部件布置的第一缓冲层；邻近所述第一缓冲层布置的共晶层；和邻近所述共晶层和所述第二部件布置的第二缓冲层，并且其中所述第一缓冲层和所述第二缓冲层比所述共晶层具有更高浓度的所述第一材料。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料包括硅，并且所述结合材料选自由铝、铝-硅合金、金和金-硅合金组成的组。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料包括锗，并且所述结合材料选自由铝和铝-锗合金组成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈继宏，约瑟夫·P·多恩池，罗伯特·J·珀特尔，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US