通过施加振动制备多晶结构无铅互连焊点的方法技术

通过施加振动制备多晶结构无铅互连焊点的方法，属于材料制备与连接领域，适用于制备具有多晶取向的无铅互连焊点，制作的焊点多晶比例达到100％，可以显著提高无铅互连焊点的服役可靠性。本发明专利技术的优点在于能够制备各种结构的无铅互连焊点，如对接、搭接和球栅阵列(Ball Grid Array,BGA)焊点封装结构等，保证得到的无铅互连焊点具备多晶结构；工艺简单，成本低廉，除了在重熔制备过程中施加振动之外与传统的焊点制备工艺无异；同时获得的无铅互连焊点能够满足实际应用的需求。

【技术实现步骤摘要】
通过施加振动制备多晶结构无铅互连焊点的方法
本专利技术为通过施加振动制备多晶结构无铅互连焊点的方法，属于材料制备与连接领域，适用于制备具有多晶取向的无铅互连焊点，可以显著提高无铅互连焊点的服役可靠性。
技术介绍
焊点在微电子器件中起到了机械连接和电信号传输等作用，是微电子封装不可或缺的组成部分。如今，一方面，微电子器件不断向微、轻、薄和多功能化方向发展；另一方面，封装空间减小，电流密度增大，芯片产热增加，焊点所处的工作环境变得前所未有的苛刻。而且，由于环境温度的变化和电源的频繁开关，不同封装材料间热膨胀系数的巨大差异导致焊点所承受的应力应变进一步增加。因此，焊点成为电子器件中的薄弱环节，电子器件的可靠性和使用寿命在很大程度上取决于焊点的可靠性。传统的SnPb共晶钎料焊点往往呈现各向同性，这主要是由于Sn和Pb两相在SnPb焊点中的分布相对均匀，但是Pb有毒，欧盟指令已明确禁止使用，因此无铅钎料在近年来得到了发展。然而，与SnPb焊点不同，无铅互连焊点表现出强烈的各向异性，这是因为无铅互连焊点通常由单晶或有限个β-Sn晶粒构成，而β-Sn具有体心四方的晶体结构，其晶格常数为a＝b＝0.5632，c＝0.3182，c/a＝0.546，具有强烈的各向异性。因此，会严重影响无铅互连焊点的可靠性，焊点中每一个晶粒的晶体取向都与其可靠性密切相关。比如，在热循环过程中，如果焊点中β-Sn晶粒的c轴与焊盘所在平面接近平行，那么钎料与焊盘材料间的CTE失配较大，具有这种晶体取向的互连焊点将会更容易发生失效；再比如，在电迁移过程中，焊点中原子的扩散速率受到β-Sn晶粒的影响，原子沿β-Sn晶粒的c轴扩散速率要明显高于沿a轴或b轴，具有c轴与焊盘所在平面接近垂直晶体取向的焊点将会更容易发生失效。因此，在无铅焊点内部形成多晶结构，使其呈现各向同性，对提高连焊点的可靠性有非常重要的意义。本专利技术在焊点重熔过程中采用对焊点施加振动的制备方法，成功制备得到了无铅多晶焊点，这是由于在振动的作用下，焊点重熔过程中，其内部的形核核心增加，冷却凝固后在焊点内部形成了多种晶体取向。专利技术人通过后续的焊点可靠性实验发现，多晶焊点具有更加优良的服役可靠性，包括电迁移可靠性和热疲劳可靠性等，取得了超越传统的SnPb钎料的优良可靠性，这是由于SnAgCu无铅钎料的机械性能较SnPb钎料优良，同时，两者都具有性能优异的多晶焊点结构，因此，多晶SnAgCu无铅钎料焊点较SnPb钎料多晶焊点的服役可靠性显著提高。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对无铅焊点单晶或孪晶结构可靠性明显低于多晶结构焊点的特点，制备出具有多晶结构的无铅互连焊点。多晶结构焊点的综合服役可靠性更加优良，比如，具有某一种取向的焊点具有优异的电迁移可靠性，而具有另一种取向的焊点具有优异的热疲劳可靠性，而多晶焊点的热疲劳或电迁移可靠性介于两者之间，且具有一致性。对于一个封装结构，焊点的数目多达成百上千，任何一个焊点的失效都会造成封装结构的整体失效，此时，多晶焊点相同服役条件下寿命一致的优点更为突出，同时具有多晶结构焊点的组件寿命预测更加一致和准确，可见，本专利技术制备的多晶结构无铅互连焊点可以显著提高焊点的综合性能和服役可靠性。为了达到上述目的，本专利技术采用了如下技术方案。通过施加振动制备多晶结构无铅互连焊点的方法，焊点结构分为对接、搭接和BGA封装组件等，具体包括以下步骤：(1)、根据实际需要进行焊盘或芯片的制作，并进行清除焊盘表面的氧化物和污染物；如采用硝酸水溶液等清除焊盘等表面的氧化物，采用丙酮或乙醇等清除焊盘等表面的污染物；(2)、制作对接或搭接焊点时，准备钎料，为后续多晶结构焊点的重熔制备做准备；制作球栅阵列(BallGridArray,BGA)焊点封装结构时，则需要首先将钎料制备成钎料球，然后采用重熔工艺回流曲线进行钎料球与焊盘或者芯片的重熔连接，冷却至室温，为后续具有多晶结构焊点封装组件的重熔制备做准备；(3)、制作对接或搭接焊点时，在两个焊盘之间涂敷焊膏，采用重熔工艺回流曲线，并且在焊点重熔过程中对焊点施加振动，进行焊点的重熔制备，冷却至室温，得到相应的对接或搭接焊点；制备BGA封装结构时，将已经制备得到的带有凸点的焊盘或芯片通过重熔工艺回流曲线焊接到空芯片或空焊盘上，并且在焊点重熔过程中对封装结构施加振动，进行焊点的重熔制备，冷却至室温，得到相应的BGA焊点；所述焊盘选自Cu、Cu/Ni/Au、Cu/Cu6Sn5；所述钎料是二元合金SnCu系列、SnAg系列、SnZn系列、SnBi系列或SnIn系列，或是三元合金SnAgCu系列、SnAgBi系列或SnAgIn系列，或是四元SnAgBiIn系列无铅钎料。所述步骤(3)中的振动形式为机械式振动、电液式振动、电动式振动，振动频率为10Hz-10KHz。所述步骤(3)中的振动施加停止时间在焊点冷却凝固过程开始时刻之后；所述步骤(2)和(3)中的重熔，温度范围选择200℃到700℃；所述步骤(2)和(3)中的冷却，选择随炉冷却、空冷、风冷、水冷或油冷的冷却方式。对制备获得的无铅互连焊点进行镶嵌、研磨和抛光，以获取电子背散射衍射(ElectronBackscatteredDiffraction,EBSD)数据，并分析数据。本专利技术的优点在于能够制备各种结构的无铅互连焊点，如对接、搭接和BGA焊点封装结构等，保证得到的无铅互连焊点具备多晶结构，焊点多晶比例达到100％；工艺简单，成本低廉，除了在重熔制备过程中施加振动之外与传统的焊点制备工艺无异；同时获得的无铅互连焊点能够满足实际应用的需求。附图说明图1：具有Cu焊盘线性焊点的图片；图2：呈现单晶结构的Sn3.5Ag钎料线性焊点的EBSD数据；(a)EBSD取向分布图；(b)晶界分布图；(c)(001)和(100)极图；(d)取向差分布图图3：呈现孪晶结构的Sn3.5Ag钎料线性焊点的EBSD数据；(a)EBSD取向分布图；(b)晶界分布图；(c)(001)和(100)极图；(d)取向差分布图图4：在重熔制备过程中施加振动，冷却后呈现多晶结构的Sn3.5Ag钎料线性焊点的EBSD数据；(a)EBSD取向分布图；(b)晶界分布图；(c)(001)和(100)极图；(d)取向差分布图图5：具有多晶结构的Sn3.0Ag3.0Bi3.0In钎料线性焊点的EBSD数据；(a)EBSD取向分布图；(b)晶界分布图；(c)(001)和(100)极图；(d)取向差分布图图6：图5所示具有多晶结构的Sn3.0Ag3.0Bi3.0In钎料线性焊点的电迁移SEM图片；(a)0h；(b)168h；(c)336h；(d)504h图7：图5所示具有多晶结构的Sn3.0Ag3.0Bi3.0In钎料线性焊点电迁移条件下界面金属间化合物厚度变化情况；图8：具有单晶结构的Sn3.0Ag3.0Bi3.0In钎料线性焊点的EBSD数据；(a)EBSD取向分布图；(b)(001)和(100)极图；(c)取向差分布图图9：图8所示具有单晶结构的Sn3.0Ag3.0Bi3.0In钎料线性焊点的电迁移SEM图片；(a)0h；(b)168h；(c)336h；(d)504h图10：图8所示具有单晶结构的Sn3.0Ag3.0Bi3.0In钎料线性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.通过施加振动制备多晶结构无铅互连焊点的方法，制作的焊点多晶比例达到100％，焊点结构分为对接、搭接和BGA封装组件等，具体包括以下步骤：(1)、根据实际需要进行焊盘或芯片的制作，并进行清除焊盘表面的氧化物和污染物；如采用硝酸水溶液等清除焊盘等表面的氧化物，采用丙酮或乙醇等清除焊盘等表面的污染物；(2)、制作对接或搭接焊点时，准备钎料，为后续多晶结构焊点的重熔制备做准备；制作球栅阵列(Ball Grid Array,BGA)焊点封装结构时，则需要首先将钎料制备成钎料球，然后采用重熔工艺回流曲线进行钎料球与焊盘或者芯片的重熔连接，冷却至室温，为后续具有多晶结构焊点封装组件的重熔制备做准备；(3)、制作对接或搭接焊点时，在两个焊盘之间涂敷焊膏，采用重熔工艺回流曲线，并且在焊点重熔过程中对焊点施加振动，进行焊点的重熔制备，冷却至室温，得到相应的对接或搭接焊点；制备BGA封装结构时，将已经制备得到的带有凸点的焊盘或芯片通过重熔工艺回流曲线焊接到空芯片或空焊盘上，并且在焊点重熔过程中对封装结构施加振动，进行焊点的重熔制备，冷却至室温，得到相应的BGA焊点。

【技术特征摘要】
1.通过施加振动制备多晶结构无铅互连焊点的方法，制作的焊点多晶比例达到100％，焊点结构分为对接、搭接和BGA封装组件等，具体包括以下步骤：(1)、根据实际需要进行焊盘或芯片的制作，并进行清除焊盘表面的氧化物和污染物；如采用硝酸水溶液等清除焊盘等表面的氧化物，采用丙酮或乙醇等清除焊盘等表面的污染物；(2)、制作对接或搭接焊点时，准备钎料，为后续多晶结构焊点的重熔制备做准备；制作球栅阵列(BallGridArray,BGA)焊点封装结构时，则需要首先将钎料制备成钎料球，然后采用重熔工艺回流曲线进行钎料球与焊盘或者芯片的重熔连接，冷却至室温，为后续具有多晶结构焊点封装组件的重熔制备做准备；(3)、制作对接或搭接焊点时，在两个焊盘之间涂敷焊膏，采用重熔工艺回流曲线，并且在焊点重熔过程中对焊点施加振动，进行焊点的重熔制备，冷却至室温，得到相应的对接或搭接焊点；制备BGA封装结构时，将已经制备得到的带有凸点的焊盘或芯片通过重熔工艺回流曲线焊接到空芯片或空焊盘上，并且在焊点重熔过程中对封装结构施加振动，进行焊点的重熔制备，冷却至室温，得到相应的BGA焊点。2.根据权利要求1所述的通过施加振动制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：汉晶，郭福，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京,11