离子植入机制造技术

一种离子植入机，包括：工作腔，工作腔包括传送区和植入区；离子源，用于发射离子束至工作腔内；位于工作腔中的承载模块组，用于承载晶圆，承载模块组具有第一工作位置状态和第二工作位置状态；承载模块组包括第一承载模块和第二承载模块；当承载模块组处于第一工作位置状态时，第一承载模块位于传送区，第二承载模块位于植入区，第一承载模块在传送区对晶圆进行卸载和装载，第二承载模块承载晶圆接受离子束的植入；当承载模块组处于第二工作位置状态时，第一承载模块位于植入区，第二承载模块位于传送区，第一承载模块承载晶圆接受离子束的植入，第二承载模块在传送区对晶圆进行卸载和装载。所述离子植入机的工作效率提高。

Ion implantation machine

An ion implant, including the working cavity, the working cavity including the transmission area and the implantation area; the ion source is used to launch the ion beam to the working chamber; the load module group in the working cavity is used to carry the wafer, the load module group has the first working position state and the second working position state; the bearing module group includes the first one. When the load-bearing module is in the first working position, the first load module is located in the transmission area, the second load module is located in the implantation area, the first carrying module unloads and loads the wafer in the transmission area. The second load module carries the wafer to accept the implantation of the ion beam; when the load module is loaded, the module is loaded with the ion beam. When the group is in the second working position, the first load module is located in the implantation area, the second load module is located in the transmission area. The first module carries the wafer to accept the implantation of the ion beam, and the second load module unloads and loads the wafer in the transmission area. The efficiency of the ion implantation machine is improved.

【技术实现步骤摘要】
离子植入机
本专利技术涉及离子植入技术，尤其涉及一种离子植入机。
技术介绍
离子植入法是一种用于将改变材料导电性的离子引入工件(workpiece)中的标准技术。进行离子植入采用的设备称为离子植入机。离子植入机包括离子源。离子源提供具有规定能量的离子束，且将离子束引导至工件的表面处。离子束中的高能离子注入工件材料主体中，且嵌进工件材料中以形成具有所需导电性的区域。然而，现有的离子植入机的工作效率较低。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种离子植入机，以提高离子植入机的工作效率。为解决上述问题，本专利技术提供一种离子植入机，包括：工作腔，工作腔包括传送区和植入区；离子源，用于发射离子束至工作腔内；位于工作腔中的承载模块组，用于承载晶圆，承载模块组具有第一工作位置状态和第二工作位置状态；承载模块组包括第一承载模块和第二承载模块；当承载模块组处于第一工作位置状态时，第一承载模块位于传送区，第二承载模块位于植入区，第一承载模块在传送区对晶圆进行卸载和装载，第二承载模块承载晶圆接受离子束的植入；当承载模块组处于第二工作位置状态时，第一承载模块位于植入区，第二承载模块位于传送区，第一承载模块本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子植入机，其特征在于，包括：工作腔，工作腔包括传送区和植入区；离子源，用于发射离子束至工作腔内；位于工作腔中的承载模块组，用于承载晶圆，承载模块组具有第一工作位置状态和第二工作位置状态；承载模块组包括第一承载模块和第二承载模块；当承载模块组处于第一工作位置状态时，第一承载模块位于传送区，第二承载模块位于植入区，第一承载模块在传送区对晶圆进行卸载和装载，第二承载模块承载晶圆接受离子束的植入；当承载模块组处于第二工作位置状态时，第一承载模块位于植入区，第二承载模块位于传送区，第一承载模块承载晶圆接受离子束的植入，第二承载模块在传送区对晶圆进行卸载和装载。

【技术特征摘要】
1.一种离子植入机，其特征在于，包括：工作腔，工作腔包括传送区和植入区；离子源，用于发射离子束至工作腔内；位于工作腔中的承载模块组，用于承载晶圆，承载模块组具有第一工作位置状态和第二工作位置状态；承载模块组包括第一承载模块和第二承载模块；当承载模块组处于第一工作位置状态时，第一承载模块位于传送区，第二承载模块位于植入区，第一承载模块在传送区对晶圆进行卸载和装载，第二承载模块承载晶圆接受离子束的植入；当承载模块组处于第二工作位置状态时，第一承载模块位于植入区，第二承载模块位于传送区，第一承载模块承载晶圆接受离子束的植入，第二承载模块在传送区对晶圆进行卸载和装载。2.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于，当承载模块组处于第一工作位置状态时，第一承载模块的中心至工作腔底部表面的距离小于第二承载模块的中心至工作腔底部表面的距离；当承载模块组处于第二工作位置状态时，第一承载模块的中心至工作腔底部表面的距离大于第二承载模块的中心至工作腔底部表面的距离。3.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于，所述承载模块组还包括与工作腔一侧侧壁固定的承载轴，承载轴与固定有承载轴的工作腔的侧壁表面垂直；所述第一承载模块可围绕承载轴进行旋转；所述第二承载模块可围绕所述承载轴进行旋转；第一工作位置状态和第二工作位置状态的切换通过第一承载模块和第二承载模块围绕承载轴进行旋转而实现。4.根据权利要求3所述的离子植入机，其特征在于，所述承载模块组还包括第一杆部、第二杆部、第一承载基座和第二承载基座；第一杆部的两端分别为第一端和第二端，第一端和承载轴连接，第二端和第一承载基座连接，第一杆部与承载轴垂直，第一承载基座的中心轴平行于承载轴；第二杆部的两端分别为第三端和第四端，第三端和承载轴连接，第四端和第二承载基座连接，第二杆部与承载轴垂直，第二承载基座的中心轴平行于承载轴；第一承载模块固定于第一承载基座表面，第二承载模块固定于第二承载基座表面。5.根据权利要求4所述的离子植入机，其特征在于，所述第一承载模块包括第一履带结构、以及一个或多个第一承载盘，第一履带结构位于第一承载基座表面，第一承载盘位于第一履带结构周围，第一承载盘的表面用于承托晶圆；第二承载模块包括第二履带结构、以及一个或多个第二承载盘，第二履带结构位于第二承载基座表面，第二承载盘位于第二履带结构周围，第二承载盘的表面用于承托晶圆。6.根据权利要求5所述的离子植入机，其特征在于，第一履带结构包括第一履...

【专利技术属性】
技术研发人员：田成俊，吴孝哲，倪明明，洪纪伦，吴宗祐，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32