固化性树脂膜及第1保护膜形成用片制造技术

本发明专利技术涉及固化性树脂膜及第1保护膜形成用片，该固化性树脂膜用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在所述表面形成第1保护膜，该固化性树脂膜在通过于160℃加热1小时而固化时的黄度指数(YI1)为45以下，或在通过于照度230mW/cm2、光量510mJ/cm2的条件下照射紫外线而固化时的黄度指数(YI2)为45以下。第1保护膜形成用片具备第1支撑片，并在第1支撑片的一侧表面上具备该固化性树脂膜。

Solidified resin film and the 1 protective film forming film

The invention relates to a solidified resin film and a 1 protective film forming piece, which is used to paste on a surface of a convex block of a semiconductor wafer and to form a first protection film on the surface by curing the cured resin film under a 1 hour heating for 1 hours at 160 C, and the YI1 is less than 45, Or the yellow index (YI2) is less than 45 when irradiated by ultraviolet radiation under illumination 230mW/cm2 and 510mJ/cm2. First the protective film forming sheet has first supporting sheets, and the cured resin film is on the surface of one side of the first supporting piece.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固化性树脂膜及第1保护膜形成用片
本专利技术涉及固化性树脂膜、及使用了该固化性树脂膜的第1保护膜形成用片。本申请基于2015年11月4日在日本提出申请的日本特愿2015-217112号要求优先权，并将其内容援引于此。
技术介绍
以往，在将用于MPU、门阵列等的多引脚LSI封装体安装于印刷电路板的情况下，采用的是如下所述的倒装芯片安装方法：作为半导体芯片，使用在其连接焊盘部形成有由共晶焊料、高温焊料、金等制成的凸电极(凸块)的半导体芯片，通过所谓倒装方式，使这些凸块与芯片搭载用基板上的相应的端子部面对面地接触，并进行熔融/扩散接合。在该安装方法中使用的半导体芯片例如可通过对在电路面形成有凸块的半导体晶片的与电路面相反一侧的面进行磨削、或进行切割以制成单片而得到。在这样的得到半导体芯片的过程中，通常，为了达到保护半导体晶片的电路面及凸块的目的，在凸块形成面粘贴固化性树脂膜并使该膜固化，从而在凸块形成面上形成保护膜。典型的情况是，在将该固化性树脂膜粘贴于凸块形成面之后，通过加热而使其流动性增大，由此，该固化性树脂膜在包括凸块的顶点及其附近的上部区域贯穿地露出，并且，其在向凸块间扩展而与电路面密合的同时，覆盖凸块的表面、特别是上述电路面附近部位的表面而将凸块埋入。通过使该状态的固化性树脂膜固化而形成的保护膜在上述电路面对凸块以密合于其表面的状态加以保护。作为具备这样的固化性树脂膜中的含有热固性成分的热固性树脂膜的保护膜形成用片，已公开了在上述膜上层叠具有特定的高温弹性模量的热塑性树脂层、并进一步在上述热塑性树脂层上的最上层层叠在25℃下为非塑性的热塑性树脂层而成的片材(参见专利文献1)。并且，根据专利文献1，该保护膜形成用片的保护膜的凸块填充性、晶片加工性、树脂密封后的电连接可靠性等优异。另一方面，对于如上所述地形成有保护膜的半导体晶片，通过连同保护膜一起进行切割而将其分割，从而得到半导体芯片。切割可通过在特定部位将半导体晶片切断而进行，通常可如下地进行：使用切割装置中的照相机从电路面侧对半导体晶片进行观察，来识别在半导体晶片的表面存在的切割线(即，示出要进行切割的部位的线)、对准标记(即，对要进行切割的部位进行定位的标记)的位置，从而来确定半导体晶片的切断部位。因此，为了将在凸块形成面形成有保护膜的半导体晶片在准确的位置切断，需要切割装置中的照相机隔着保护膜而准确地识别半导体晶片的切割线及对准标记，因而要求保护膜具有适当的光学特性。例如，已知在保护膜由固化性树脂膜经固化而形成时，其容易发生黄变，而当黄变明显时，特别是利用黑白照相机来识别切割线、对准标记会变得困难。与此相对，专利文献1中公开的保护膜是否为可抑制黄变的膜是不确定的。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-028734号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于提供能够在半导体晶片的凸块形成面形成黄变得到抑制的保护膜的固化性树脂膜、及使用了该固化性树脂膜的保护膜形成用片。解决问题的方法本专利技术的第1实施方式涉及用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜的固化性树脂膜，其中，在通过对上述固化性树脂膜于160℃加热1小时而使其固化时，固化后的上述固化性树脂膜的黄度指数(YI1)为45以下。本专利技术的第2实施方式涉及用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜的固化性树脂膜，其中，在通过于照度230mW/cm2、光量510mJ/cm2的条件下对上述固化性树脂膜照射紫外线而使其固化时，固化后的上述固化性树脂膜的黄度指数(YI2)为45以下。本专利技术的第3实施方式涉及在第1支撑片的一侧表面上具备上述第1或第2实施方式的固化性树脂膜的第1保护膜形成用片。专利技术的效果通过使用本专利技术的固化性树脂膜及第1保护膜形成用片，能够在半导体晶片的凸块形成面形成黄变得到了抑制的第1保护膜。附图说明[图1]是示意性地示出使用本专利技术的固化性树脂膜在凸块形成面形成了第1保护膜的状态的一例的剖面图。[图2]是示意性地示出本专利技术的第1保护膜形成用片的一个实施方式的剖面图。[图3]是示意性地示出本专利技术的第1保护膜形成用片的其它实施方式的剖面图。[图4]是示意性地示出本专利技术的第1保护膜形成用片的另一实施方式的剖面图。符号说明1、2、3…第1保护膜形成用片、11…第1基材11a…第1基材的表面12…固化性树脂层(固化性树脂膜)12’…第1保护膜13…第1粘合剂层13a…第1粘合剂层的表面14…第1中间层101、102、103…第1支撑片101a、102a、103a…第1支撑片的表面90…半导体晶片90a…半导体晶片的电路面91…凸块91a…凸块的表面具体实施方式本专利技术的第1实施方式的固化性树脂膜是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜的固化性树脂膜，其中，在通过对上述固化性树脂膜于160℃加热1小时而使其固化时，固化后的上述固化性树脂膜的黄度指数(YI1)为45以下。第1实施方式的固化性树脂膜为热固性树脂膜。另外，本专利技术的第2实施方式的固化性树脂膜是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜的固化性树脂膜，其中，在通过于照度230mW/cm2、光量510mJ/cm2的条件下对上述固化性树脂膜照射紫外线而使其固化时，固化后的上述固化性树脂膜的黄度指数(YI2)为45以下。第2实施方式的固化性树脂膜是能量线固化性树脂膜。另外，本专利技术的第1保护膜形成用片是在第1支撑片的一侧表面上具备上述本专利技术的第1实施方式或第2实施方式的固化性树脂膜的片材。在上述第1保护膜形成用片中，也将上述“固化性树脂膜”称为“固化性树脂层”。本专利技术的第1保护膜形成用片隔着其固化性树脂层(固化性树脂膜)而粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面(即电路面)使用。其中，粘贴后的固化性树脂层经加热而流动性增大，以覆盖凸块的方式向凸块间扩展，与上述电路面密合，同时覆盖着凸块的表面、特别是上述电路面附近部位的表面而将凸块埋入。该状态的固化性树脂层经进一步加热或照射能量线而发生固化，最终形成第1保护膜，在上述电路面对凸块以密合于其表面的状态加以保护。粘贴了第1保护膜形成用片后的半导体晶片例如在上述与电路面相反一侧的面经过磨削之后，第1支撑片被去除，接着，通过加热热固性树脂层而进行凸块的埋入及第1保护膜的形成，最终以具备该第1保护膜的状态被组装于半导体装置。需要说明的是，在本说明书中，也将凸块表面和半导体晶片的电路面统称为“凸块形成面”。通过使用本专利技术的固化性树脂膜，可利用第1保护膜而充分地对半导体晶片的电路面和凸块的上述电路面附近的部位、即基部加以保护。对于本专利技术的第1实施方式的固化性树脂膜(热固性树脂层)，通过于160℃加热1小时以使其发生热固化而得到的固化物(以下也简称为“固化物(α)”)的黄度指数(YI1)为45以下。另外，对于本专利技术的第2实施方式的固化性树脂膜(能量线固化性树脂层)，通过于照度230mW/cm2、光量510mJ/cm2的条件下照射紫外线以使其发生紫外线固化而得到的固化物(以下也简称为“固化物(β)”)的黄度指数(YI2)为45以下。这样，作为本专利技术的固化性树脂膜的固本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固化性树脂膜，其用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在所述表面形成第1保护膜，其中，在通过对所述固化性树脂膜于160℃加热1小时而使其固化时，固化后的所述固化性树脂膜的黄度指数(YI1)为45以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.04 JP 2015-2171121.一种固化性树脂膜，其用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在所述表面形成第1保护膜，其中，在通过对所述固化性树脂膜于160℃加热1小时而使其固化时，固化后的所述固化性树脂膜的黄度指数(YI1)为45以下。2.一种固化性树脂...

【专利技术属性】
技术研发人员：山岸正宪，佐藤明德，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP