一种发光二极管及其制备方法技术

本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，所述发光二极管的制备方法在制备发光二极管的过程中，在外延结构的欧姆接触层和第一型粗化层之间制备了DBR层，并且在第二型扩展欧姆层背离第一衬底一侧还形成了ODR层，使得所述发光二极管中由于第一电极层遮挡而无法出射的光可以经由DBR层和ODR层的多次反射，达到改变出光角度及位置的目的，从而提升了发光二极管的发光效率。并且，在第一电极层两侧的第一型粗化层表面还形成有粗化表面，可以避免对出射光线形成全反射的概率，进一步提升了所述发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及其制备方法
本申请涉及半导体
，更具体地说，涉及一种发光二极管及其制备方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)，也称为电致发光二极管，是LED灯的核心组件。随着发光二极管技术的快速发展，发光二极管在各领域中的应用越来越广泛。随着市场对发光二极管的发光亮度的要求越来越严苛，目前发光二极管行业内通常采用倒装工艺来实现满足对发光二极管的高亮度要求。但在倒装工艺的发光二极管中，由于电流扩展层的存在，使得发光二极管的发光区侧会有比较大的面积被金属电极覆盖，导致大量光子被遮挡吸收，无法有效提取，给发光二极管的发光效率带来了严重的不良影响。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请提供了一种发光二极管及其制备方法，以解决由于金属电极覆盖发光区而导致大量光子被遮挡吸收的问题，从而达到提升发光二极管的发光效率的目的。为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：一种发光二极管的制备方法，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上制备外延结构，所述外延结构包括在所述第一衬底上依次堆叠设置的第一型缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、DBR层、第一型粗化层、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上制备外延结构，所述外延结构包括在所述第一衬底上依次堆叠设置的第一型缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、DBR层、第一型粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、量子阱层、第二型限制层和第二型扩展欧姆层；对所述第二型扩展欧姆层进行处理，以在所述第二型扩展欧姆层背离所述第一衬底一侧形成ODR层；利用第二衬底与所述外延结构进行键合，以使所述外延结构背离所述第一衬底一侧与所述第二衬底键合在一起；去除所述第一衬底、第一型缓冲层和腐蚀截止层；图形化所述欧姆接触层，以部分暴露出所述DBR层，暴露出的DBR层位于图形化后的欧姆接触层两侧；...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上制备外延结构，所述外延结构包括在所述第一衬底上依次堆叠设置的第一型缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、DBR层、第一型粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、量子阱层、第二型限制层和第二型扩展欧姆层；对所述第二型扩展欧姆层进行处理，以在所述第二型扩展欧姆层背离所述第一衬底一侧形成ODR层；利用第二衬底与所述外延结构进行键合，以使所述外延结构背离所述第一衬底一侧与所述第二衬底键合在一起；去除所述第一衬底、第一型缓冲层和腐蚀截止层；图形化所述欧姆接触层，以部分暴露出所述DBR层，暴露出的DBR层位于图形化后的欧姆接触层两侧；形成覆盖图形化后的欧姆接触层的第一电极层；去除位于所述第一电极层两侧的DBR层，以部分暴露出所述第一型粗化层，暴露出的第一型粗化层背离所述第二衬底一侧表面为粗化表面。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第二型扩展欧姆层进行处理，以在所述第二型扩展欧姆层背离所述第一衬底一侧形成ODR层包括：对所述第二型扩展欧姆层进行剥离或刻蚀处理，以在所述第二型扩展欧姆层背离所述第一衬底一侧形成所述ODR层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用第二衬底与所述外延结构进行键合，以使所述外延结构背离所述第一衬底一侧与所述第二衬底键合在一起包括：在所述第二衬底表面形成第一键合金属层；在所述外延结构背离所述第一衬底一侧表面形成第二键合金属层；利用键合工艺，将所述第一键合金属层和第二键合金属层键合在一起。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一衬底、第一型缓冲层和腐蚀截止层包括：利用第一腐蚀液腐蚀去除所述第一衬底和第一型缓冲层；利用第二腐蚀液腐蚀去除所述腐蚀截止层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除位于所述第一电极层两侧的DBR层，以部分暴露出所述第一型粗化层，暴露出的第一型粗化层背离所述第二衬底一侧表面为粗化表面包括：利用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺，刻蚀去除位于所述第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜石磊，李洪雨，韩效亚，伏兵，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32