一种LED制备工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种LED制备工艺，包括通过金属有机化学气相沉积工艺依次沉积在衬底上的缓冲层、N型GaN层、发光层、P型GaN层；所述衬底置于旋转的载片盘上，所述发光层包括周期性层叠的量子阱层和量子垒层，所述周期性层叠的量子阱层、量子垒层至少其中之一为高速量子阱层、低速量子垒层，形成所述高速量子阱层时载片盘的转速大于形成所述低速量子垒层时载片盘的转速。本发明专利技术通过提高转速将铟掺入氮化镓中，避免了通过降低生长温度来提高铟的掺入量，可实现在更高的温度下沉积量子阱层，得到的量子阱层结晶质量更好；同时成本低廉，易于实现。

【技术实现步骤摘要】
高亮度LED制备工艺
本专利技术涉及照明
，具体涉及一种高亮度LED制备工艺。
技术介绍
LED(LightingEmittingDiode)照明即发光二极管照明，是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿色的光，在此基础上，利用三基色原理，添加荧光粉，可以发出任意颜色的光。利用LED作为光源制造出来的照明器具就是LED灯具。LED制程分为外延、芯片前段、芯片后端、封装等环节，外延通过金属有机化学气相沉积工艺在蓝宝石衬底上依次沉积缓冲层、N型GaN层、发光层、P型GaN层得到外延结构，然后经芯片前段、后端制程得到不同版型的芯片，最后经封装制成不同照明器具。外延作为整个制程最初一环对照明器具的发光效率有着决定性的影响。在外界电流作用下，N型GaN层产生的电子与P型GaN层产生的空穴在发光层中复合发光，因而发光层结构又对外延有着重要的影响。发光层一般由周期性层叠的量子阱层和量子垒层构成，量子阱层通过在氮化镓层中掺铟形成铟镓氮，量子垒层为氮化镓层，由于过高的温度使铟难以掺入进氮化镓，一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高亮度LED制备工艺，其特征在于，包括：通过金属有机化学气相沉积工艺依次沉积在衬底上的缓冲层、N型GaN层、发光层、P型GaN层；所述衬底置于旋转的载片盘上，所述发光层包括周期性层叠的量子阱层和量子垒层，所述周期性层叠的量子阱层、量子垒层至少其中之一为高速量子阱层、低速量子垒层，形成所述高速量子阱层时载片盘的转速大于形成所述低速量子垒层时载片盘的转速。

【技术特征摘要】
1.一种高亮度LED制备工艺，其特征在于，包括：通过金属有机化学气相沉积工艺依次沉积在衬底上的缓冲层、N型GaN层、发光层、P型GaN层；所述衬底置于旋转的载片盘上，所述发光层包括周期性层叠的量子阱层和量子垒层，所述周期性层叠的量子阱层、量子垒层至少其中之一为高速量子阱层、低速量子垒层，形成所述高速量子阱层时载片盘的转速大于形成所述低速量子垒层时载片盘的转速。2.如权利要求1所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，形成所述高速量子阱层的温度等于形成所述低速量子垒层的温度。3.如权利要求1或2所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述高速量子阱层与所述低速量子垒层为相邻的量子阱层与量子垒层。4.如权利要求3所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述高速量子阱层与所述低速量子垒层距离所述P型GaN层的距离小于距离所述N型GaN层的距离。5.如权利要求3所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于，所述高速量子阱层与所述低速量子垒层之间至少其中之一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李丹丹，
申请(专利权)人：合肥玉晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34