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本发明提供了一种LED制备工艺，包括通过金属有机化学气相沉积工艺依次沉积在衬底上的缓冲层、N型GaN层、发光层、P型GaN层；所述衬底置于旋转的载片盘上，所述发光层包括周期性层叠的量子阱层和量子垒层，所述周期性层叠的量子阱层、量子垒层至少其...
该专利属于合肥玉晶科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥玉晶科技有限公司授权不得商用。

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