一种发光二极管外延片的生长方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；其中，所述缓冲层包括交替生长的(n+1)个第一氮化镓层和n个第二氮化镓层，n≥2且n为整数；每个所述第二氮化镓层的生长温度高于各自相邻的所述第一氮化镓层的生长温度，每个所述第二氮化镓层的生长速率快于各自相邻的所述第一氮化镓层的生长速率，每个所述第二氮化镓层的厚度小于各自相邻的所述第一氮化镓层的厚度。本发明专利技术利用较高生长温度的第二氮化镓层晶体质量较高，大幅提高缓冲层整体的晶体质量，减少缺陷产生，提高发光二极管的发光效率和抗静电能力。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管外延片的生长方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管外延片的生长方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件，具有高效、环保、绿色的特点，广泛应用在交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等
芯片是LED的核心组件，包括外延片和设置在外延片上的电极。现有LED外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲(英文：buffer)层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱(英文：MultipleQuantumWell，简称：MQW)层和P型半导体层。其中，多量子阱层包括多个量子阱和多个量子垒，多个量子阱和多个量子垒交替层叠设置。N型半导体层提供的电子和P型半导体层提供的空穴注入多量子阱层后，被量子垒限定在量子阱中进行辐射复合发光。缓冲层通常为在500℃～600℃低温下生长的氮化镓层，以利用低温进行成核；而未掺杂氮化镓层为在1000℃～1100℃高温下生长的氮化镓层，以在成核的基础上利用高温形成生长质量较好的晶体，为N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层提供良好的生长基础。在实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；其中，所述缓冲层包括交替生长的(n+1)个第一氮化镓层和n个第二氮化镓层，n≥2且n为整数；每个所述第二氮化镓层的生长温度高于各自相邻的所述第一氮化镓层的生长温度，每个所述第二氮化镓层的生长速率快于各自相邻的所述第一氮化镓层的生长速率，每个所述第二氮化镓层的厚度小于各自相邻的所述第一氮化镓层的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；其中，所述缓冲层包括交替生长的(n+1)个第一氮化镓层和n个第二氮化镓层，n≥2且n为整数；每个所述第二氮化镓层的生长温度高于各自相邻的所述第一氮化镓层的生长温度，每个所述第二氮化镓层的生长速率快于各自相邻的所述第一氮化镓层的生长速率，每个所述第二氮化镓层的厚度小于各自相邻的所述第一氮化镓层的厚度。2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，每个所述第二氮化镓层的生长温度比各自相邻的所述第一氮化镓层的生长温度高20℃～60℃。3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，各个所述第二氮化镓层的生长温度沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层升高。4.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，各个所述第一氮化镓层的生长温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：从颖，姚振，胡加辉，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32