一种液态金属增强内传热的芯片制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种液态金属增强内传热的芯片
本专利技术属于芯片设计领域，具体涉及一种液态金属增强内传热的芯片。
技术介绍
随着芯片性能的不断提高，陶瓷芯片功耗不断增大，特别是随着三维堆叠，SIP能封装形式的出现，芯片封装密度不断增大，热流密度随之增大，芯片自身散热问题十分严峻。
技术实现思路
本专利技术的目的：解决芯片内部传热路径狭窄，热阻大的问题，提高芯片的散热性能。本专利技术的技术方案：一种液态金属增强内传热的芯片，包括封盖1、封口环2、陶瓷基板3、硅芯片4、键合丝5、管腿6，在封盖、封口环与陶瓷基板间形成的空腔内加入导热率高的液态金属7。所述的一种液态金属增强内传热的芯片，所述封盖和封口环内表面镀镍。所述的一种液态金属增强内传热的芯片，键合丝表面镀镍。所述的一种液态金属增强内传热的芯片，在封盖、封口环与陶瓷基板间形成的空腔抽真空。所述的一种液态金属增强内传热的芯片，键合丝及键合丝焊接在陶瓷基板上形成的焊盘喷涂绝缘涂料。所述的一种液态金属增强内传热的芯片，所述封盖1内侧设有膨胀沟槽8。所述的一种液态金属增强内传热的芯片，所述液态金属7包括液态镓合金。所述的一种液态金属增强内传热的芯片，所述液态镓合金为GaIn15Sn13Zn1。本专利技术具有的优点效果：增大芯片内硅芯片4到顶部封盖1的传热路径，较少传热热阻，增强散热性能，有效解决芯片高效散热的技术难题。氮气90℃的传热系数0.0237W/MK,液态金属7GaIn15Sn13Zn1，3℃时传热系数29.4W/m℃，液态金属7传热系数是氮气的1241倍。目前没有在芯片内填充液态金属增强换热性能的技术方案。附图说明图1为常规...
【技术保护点】
1.一种液态金属增强内传热的芯片，包括封盖(1)、封口环(2)、陶瓷基板(3)、硅芯片(4)、键合丝(5)、管腿(6)，其特征在于，在封盖、封口环与陶瓷基板间形成的空腔内加入导热率高的液态金属(7)。
【技术特征摘要】
1.一种液态金属增强内传热的芯片，包括封盖(1)、封口环(2)、陶瓷基板(3)、硅芯片(4)、键合丝(5)、管腿(6)，其特征在于，在封盖、封口环与陶瓷基板间形成的空腔内加入导热率高的液态金属(7)。2.根据权利要求1所述的一种液态金属增强内传热的芯片，其特征在于，所述封盖和封口环内表面镀镍。3.根据权利要求1所述的一种液态金属增强内传热的芯片，其特征在于，键合丝表面镀镍。4.根据权利要求1所述的一种液态金属增强内传热的芯片，其特征在于，在封盖、封口环与陶...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵亮，吴波，杨明明，焦超锋，醋强一，张娅妮，
申请(专利权)人：中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所，
类型：发明
国别省市：陕西,61
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