SiC晶体切片移动设备及移动方法技术

本发明专利技术提供了一种SiC晶体切片移动设备及移动方法，所述SiC切片移动设备包括支撑台、平行设置的两个支撑架以及顶盘，对SiC锭进行激光照射之后，在所述SiC锭上形成多个SiC切片，将所述SiC锭放置于支撑台上，两个支撑架固定所述SiC锭，移动顶盘至所述SiC锭的顶部，吸附第一SiC切片，移动所述顶盘，使所述顶盘吸附所述第一SiC切片离开所述SiC锭，将所述第一SiC切片放置于所述切片接收台上，完成第一SiC切片的分离，然后移动支撑架，对其余的SiC切片进行分离，其分离SiC切片的方法简单，操作方便，从一定程度上提高了SiC切片的分离效率。

SiC crystal chip mobile device and mobile method

The invention provides a SiC crystal chip mobile device and a moving method. The SiC slice mobile device includes a support table, two support frames and a top plate arranged in parallel. After the laser irradiation of the SiC ingot, a plurality of SiC slices are formed on the SiC ingot, and the SiC ingot is placed on the support table and the two support frames are fixed. The SiC ingot, moving the top plate to the top of the SiC ingot, adsorbing the first SiC slice, moving the top disk, leaving the first SiC slice of the top disk to leave the SiC ingot, placing the first SiC slice on the slice receiving table, completing the separation of the first SiC slice, and moving the support frame and cutting the remaining SiC. The method of separating SiC slices is simple and easy to operate. It improves the separation efficiency of SiC slices to a certain extent.

【技术实现步骤摘要】
SiC晶体切片移动设备及移动方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种SiC晶体切片移动设备及移动方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)作为第三代宽带隙半导体的代表材料之一具有优良的物化性能，与第一代半导体硅(Si)和第二代半导体砷化钙(GaAs)等单晶材料相比，具有禁带宽度大、热导率高、载流子饱和迁移速率大，临界击穿场强高和相对介电常数低等诸多优异的性质。基于这些优良的特性，碳化硅材料是制备高温电子器件、高频大功率器件更为理想的材料。特别是在极端条件和恶劣条件下应用时，SiC器件的特性远远超过了Si器件和GaAs器件。在光电子领域，相对传统衬底材料Si与蓝宝石，SiC晶格及热适配更小，用SiC衬底制作的LED(Light-EmittingDiode，发光二极管)性能远优于蓝宝石衬底。随着SiC单晶生长技术的日趋成熟，如何获得具有完美表面的SiC单晶片成为材料应用的关键技术之一。为了制造高性能的SiC电子器件，要求晶片晶格完整，具有平整度极高的无损伤超平滑表面，且无晶向偏差。因为即使表面存在微小缺陷，都将破坏晶体材料的表面性能，甚至导致结晶构造的变化，影响器件的电学性能。现有技术中，SiC单晶片的获得一般包括以下步骤：首先提供SiC锭，所述SiC锭一般为圆柱形，例如厚度为20mm、截面为4英寸的圆柱体；对所述SiC锭进行线锯切割(Wiresawslicing)形成SiC切片，例如形成厚度为350um的SiC切片；对所述SiC切片进行研磨、抛光以及刻蚀，最终形成4英寸的SiC单晶片。但是由于SiC锭的硬度比较高，线锯切割获得一片SiC切片花费的时间比较多，现在一般通过激光照射来形成SiC切片，以此提高切片效率。但是激光照射之后，还需要在激光照射面将SiC切片从SiC锭分离，因此需要提供一种SiC晶体切片移动设备及移动方法将所述SiC切片从SiC锭分离。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种SiC晶体切片移动设备及移动方法，能够简单快速的将经过激光照射之后形成的SiC切片从SiC锭分离。本专利技术的技术方案是一种SiC晶体切片移动设备，包括支撑台、平行设置的两个支撑架，所述支撑架的延伸方向为第一方向；所述支撑架与所述支撑台相连接，所述支撑架能够在所述第一方向上沿所述支撑台移动并固定于所述支撑台上；两个所述支撑架相对设置，用于固定SiC锭；还包括与所述支撑台相连接的顶盘，所述顶盘能够在所述第一方向上沿所述支撑台移动，并能够沿所述支撑台旋转；所述顶盘远离或靠近所述SiC锭，用于吸附所述SiC锭上的SiC切片，使所述SiC切片离开所述SiC锭。进一步的，所述顶盘上靠近所述SiC锭的一侧依次设置有半导体制冷器与静电卡盘。进一步的，所述支撑台包括支撑座与两个支撑柱，两个所述支撑柱设置于所述支撑座的两侧，所述支撑座用于支撑所述SiC锭。进一步的，所述支撑柱的延伸方向为第一方向，每个所述支撑架通过滑杆与一所述支撑柱相连接，所述支撑架通过所述滑杆在第一方向上沿所述支撑柱移动并固定于所述支撑柱上。进一步的，所述SiC切片移动设备还包括：切片接收台，用于接收所述顶盘上吸附的SiC切片。相应的，本专利技术还提供一种SiC晶体切片移动方法，对SiC锭进行激光照射，在所述SiC锭上形成多个SiC切片，采用上述的SiC切片移动设备，使所述SiC切片离开所述SiC锭。进一步的，所述SiC晶体切片移动方法包括：将所述SiC锭放置于所述支撑座上，所述支撑架固定所述SiC锭，所述支撑架在第一方向上的上表面与所述第一SiC切片的下表面平齐；移动所述顶盘至所述SiC锭的顶部，吸附第一SiC切片；移动所述顶盘，使所述顶盘吸附所述第一SiC切片离开所述SiC锭；将所述第一SiC切片放置于所述切片接收台上。进一步的，移动所述顶盘至所述SiC锭的顶部时，打开所述静电卡盘；将所述第一SiC切片放置于所述切片接收台上之后，关闭所述静电卡盘。进一步的，移动所述顶盘，使所述顶盘吸附所述第一SiC切片离开所述SiC锭时，打开所述半导体制冷器，通过所述顶盘在第一方向上的移动以及沿所述支撑台的旋转，使所述顶盘吸附所述第一SiC切片离开所述SiC锭，然后关闭所述半导体制冷器。进一步的，所述半导体制冷器的制冷温度为-30℃～-10℃。进一步的，所述SiC晶体切片移动方法还包括：移动所述支撑架，然后将所述支撑架重新固定于所述SiC锭上，所述支撑架在第一方向上的上表面与第二SiC切片的下表面平齐，然后不断重复至分离所述SiC锭上所有的SiC切片。进一步的，还包括：再次对所述SiC锭进行激光照射，在所述SiC锭上形成多个SiC切片，采用所述SiC切片移动设备，使所有的SiC切片离开所述SiC锭。与现有技术相比，本专利技术提供的SiC晶体切片移动设备及移动方法，对SiC锭进行激光照射之后，在所述SiC锭上形成多个SiC切片，将所述SiC锭放置于支撑台上，两个支撑架固定所述SiC锭，并且所述支撑架在第一方向上的上表面与第一SiC切片的下表面平齐，移动顶盘至所述SiC锭的顶部，吸附第一SiC切片，移动所述顶盘，使所述顶盘吸附所述第一SiC切片离开所述SiC锭，将所述第一SiC切片放置于所述切片接收台上，完成第一SiC切片的分离，然后移动支撑架，使所述支撑架在第一方向上的上表面与第二SiC切片的下表面平齐，接着完成第二SiC切片的分离，其方法简单，操作方便，从一定程度上提高了SiC切片的分离效率。附图说明图1为本专利技术一实施例所提供的SiC切片移动设备的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本专利技术的内容做进一步说明。当然本专利技术并不局限于该具体实施例，本领域的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本专利技术的保护范围内。其次，本专利技术利用示意图进行了详细的表述，在详述本专利技术实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应对此作为本专利技术的限定。现有技术中，对SiC锭进行激光照射之后，在SiC锭上形成多个激光切割面，在所述激光切割面之间形成多个SiC切片，然后通过SiC移动设备将SiC切片从SiC锭分离，所述SiC移动设备中设置有固定座与顶盘，所述固定座固定所述SiC锭，所述顶盘移动至所述SiC锭的顶端，通过粘附剂粘附所述SiC锭顶端的第一SiC切片，通过顶盘的移动使所述第一SiC切片从所述SiC锭分离。通过所述SiC移动设备能够将SiC切片从SiC锭分离，但是每分离一片SiC切片，需要移除粘附剂，使SiC切片离开所述顶盘，才能进行一下SiC切片的分离，在一定程度上增加了SiC切片的分离时间。专利技术人针对上述问题，提出了一种SiC晶体切片移动设备及移动方法，用于提高SiC切片的分离效率。本专利技术的核心思想是：对SiC锭进行激光照射之后，在所述SiC锭上形成多个SiC切片，将所述SiC锭放置于支撑台上，两个支撑架固定所述SiC锭，并且所述支撑架在第一方向上的上表面与第一SiC切片的下表面平齐，移动顶盘至所述SiC锭的顶部，吸附第一SiC切片，移动所述顶盘，使所述顶盘吸附所述第一SiC切片离开所述SiC锭，将所述第一SiC切片放置于所述切片接收台上，完成第一SiC切片的分离，然后移动支撑架，使所述支撑架在第一方向上的上表面与第二SiC切片的下表面平齐，接着完成第二Si本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC切片移动设备，其特征在于，包括支撑台、平行设置的两个支撑架，所述支撑架的延伸方向为第一方向；所述支撑架与所述支撑台相连接，所述支撑架能够在所述第一方向上沿所述支撑台移动并固定于所述支撑台上；两个所述支撑架相对设置，用于固定SiC锭；还包括与所述支撑台相连接的顶盘，所述顶盘能够在所述第一方向上沿所述支撑台移动，并能够沿所述支撑台旋转；所述顶盘远离或靠近所述SiC锭，用于吸附所述SiC锭上的SiC切片，使所述SiC切片离开所述SiC锭。

【技术特征摘要】
1.一种SiC切片移动设备，其特征在于，包括支撑台、平行设置的两个支撑架，所述支撑架的延伸方向为第一方向；所述支撑架与所述支撑台相连接，所述支撑架能够在所述第一方向上沿所述支撑台移动并固定于所述支撑台上；两个所述支撑架相对设置，用于固定SiC锭；还包括与所述支撑台相连接的顶盘，所述顶盘能够在所述第一方向上沿所述支撑台移动，并能够沿所述支撑台旋转；所述顶盘远离或靠近所述SiC锭，用于吸附所述SiC锭上的SiC切片，使所述SiC切片离开所述SiC锭。2.如权利要求1所述的SiC切片移动设备，其特征在于，所述顶盘上靠近所述SiC锭的一侧依次设置有半导体制冷器与静电卡盘。3.如权利要求1所述的SiC切片移动设备，其特征在于，所述支撑台包括支撑座与两个支撑柱，两个所述支撑柱设置于所述支撑座的两侧，所述支撑座用于支撑所述SiC锭。4.如权利要求3所述的SiC切片移动设备，其特征在于，所述支撑柱的延伸方向为第一方向，每个所述支撑架通过滑杆与一所述支撑柱相连接，所述支撑架通过所述滑杆在第一方向上沿所述支撑柱移动并固定于所述支撑柱上。5.如权利要求1所述的SiC切片移动设备，其特征在于，所述SiC切片移动设备还包括：切片接收台，用于接收所述顶盘上吸附的SiC切片。6.一种SiC晶体切片移动方法，其特征在于，对SiC锭进行激光照射，在所述SiC锭上形成多个SiC切片，采用如权利要求1～5中任一项所述的SiC切片移动设备，使所述SiC切片离开所述SiC锭。7.如权利要求6所述的SiC晶体切片移动方法，其特征在于，所述SiC晶体切...

【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31