【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅锭后续加工
,特别是一种对多晶硅锭进行加工制得用于切片的硅棒的方法。
技术介绍
在现多晶晶锭长晶工艺过程中,最重要的一个特征就是长晶方向为从底部到头部,这就使得绝大部分分离系数小于1的金属杂质、C以及SiC、SiN及SiCNx等硬度系数较高杂质集中在多晶晶锭最上方,导致晶锭越往顶部杂质越多,硬度越高,同时少子寿命越低;同时一些分离系数大于1的稀有金属集中在晶锭底部,同时在长晶和退火过程中坩埚及SiN中杂质会向晶锭扩散,导致晶锭底部和四周少子寿命值变低,由于晶锭底部氧含量较高,会在晶锭底部形成较多的硼-氧复合体,这有助于提高少子寿命,从而导致晶锭底部长晶方向3cm内少子寿命呈曲线分布。目前国内外行业内尚无较为高效方法来解决现多晶晶锭少子寿命检测及低少子寿命部分截断工序多且复杂、成本高且影响循环晶锭质量的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是:为了解决现多晶晶锭少子寿命检测及低少子寿命部分截断工序多且复杂、成本高且影响循环晶锭质量的问题。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种对多晶硅锭进行加工制得用于切片的硅棒的方法,具体如下工艺步骤:1.打开电源启动线切割机;2.检查线网是否有跳线;3.检查导线轮是否损伤;4.检查放收线轮上的钢线余量是否够切;5.检查砂浆供给、喷嘴、工件装置;6.横移架的位置是否校正;7.按“运行准备”键进入“自动启动条件设定”画面 ...
【技术保护点】
一种多晶硅切片方法,具体如下工艺步骤:(一)、打开电源启动线切割机;(二)、检查线网是否有跳线;(三)、检查导线轮是否损伤;(四)、检查放收线轮上的钢线余量是否够切;(五)、检查砂浆供给、喷嘴、工件装置;(六)、横移架的位置是否校正;(七)、按“运行准备”键进入“自动启动条件设定”画面;(八)、按“手动操作”键进入“电泵单独操作”画面;(九)、按“加工程序”键进入“模拟切割”画面;(十)、按“生产统计”进入耗材使用画面;(十一)、准备完毕后看是否还有报警信息存在;(十二)、进入主画面,检查一遍。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅切片方法,具体如下工艺步骤:
(一)、打开电源启动线切割机;
(二)、检查线网是否有跳线;
(三)、检查导线轮是否损伤;
(四)、检查放收线轮上的钢线余量是否够切;
(五)、检查砂浆供给、喷嘴、工件装置;
(六)、横移架的位置是否校正;
(七)、按“运行准备”键进入“自动启动条件设定”画面;
(八)、按“手动操作”键进入“电泵单独操作”画面;
(九)、按“加工程序”键进入“模拟切割”画面;
(十)、按“生产统计”进入耗材使用画面;...
【专利技术属性】
技术研发人员:顾祥宝,
申请(专利权)人:江苏耀阳电子有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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