发光二极体封装结构及发光二极体模组制造技术

本发明专利技术公开了一种发光二极体封装结构，其包括第一透光板、发光单元以及第一封装胶体。发光单元设置于第一透光板上，第一封装胶体设置于发光单元与第一透光板之间且包覆部分发光单元。通过这种方式，本发明专利技术的发光二极体封装结构制作相当方便，有效提升产能。

【技术实现步骤摘要】
发光二极体封装结构及发光二极体模组本申请是申请号为201410669621.9，专利技术名称为“发光二极体封装结构及发光二极体模组”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种发光二极体封装结构及发光二极体模组，特别是涉及一种可实现无封装基板的封装的发光二极体封装结构及发光二极体模组。
技术介绍
请参阅图1，图1为现有技术的发光二极体封装结构1的示意图。如图1所示，发光二极体封装结构1包含封装基板10、发光二极体芯片12以及封装胶体14。发光二极体芯片12设置于封装基板10上，且封装胶体14点胶于封装基板10与发光二极体芯片12上，以对发光二极体芯片12进行封装，也就是说，发光二极体芯片12是位于封装基板10与封装胶体14之间。由于发光二极体芯片12需先设置于封装基板10上才能进行封装，制作较为不便，使得产能无法提升。
技术实现思路
本专利技术提供一种可实现无封装基板的封装的发光二极体封装结构及发光二极体模组，以解决上述问题。本专利技术提供一种发光二极体封装结构，其包含：第一透光板、至少一个发光单元以及第一封装胶体。发光单元设置于第一透光板上，第一封装胶体设置于发光单元与第一透光板的间且包覆部分发光单元，该发光单元包含基板、第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一型电极及第二型电极，该第一型半导体层位于该基板上，该发光层位于该第一型半导体层上，该第二型半导体层位于该发光层上，该第一型电极与该第一型半导体层电性连接，该第二型电极与该第二型半导体层电性连接，且该第一型电极与该第二型电极外露于该第一封装胶体外。其中，第一封装胶体的第一侧表面与第一透光板的第二侧表面切齐。其中，发光单元还包含反射层，反射层位于第二型半导体层上，反射层的反射率大于90％。其中，发光单元与第一封装胶体的第一侧表面间的距离大于发光单元与第一封装胶体的第一底表面间的距离，且第一透光板连接于第一封装胶体的第一底表面。其中，第一封装胶体内掺杂至少一种荧光粒子。其中，发光二极体封装结构还包含第二透光板以及第二封装胶体，第二封装胶体包覆第一透光板与第一封装胶体，第二透光板连接第二封装胶体的第二底表面。其中，第二封装胶体的第三侧表面与第二透光板的第四侧表面切齐。其中，第二封装胶体内掺杂至少一种荧光粒子，且至少一种荧光粒子的粒径介于3微米到50微米间。其中，发光单元为覆晶式发光二极体芯片。本专利技术还提供一种发光二极体模组，其包括：承载座以及如上所述的发光二极体封装结构。发光二极体封装结构设置于承载座上并与承载座电性连接。本专利技术的有益效果是：本专利技术可利用封装胶体及透光板直接将多个发光单元封装后进行切割，以完成发光二极体封装结构的制作，进而实现无封装基板的封装。在切割后的发光二极体封装结构中，封装胶体的侧表面即会与透光板的侧表面切齐。由于本专利技术为无封装基板的封装，只要将以封装胶体及透光板封装后的发光单元进行切割，即可完成发光二极体封装结构的制作，因此本专利技术的发光二极体封装结构制作相当方便，可有效提升产能。此外，本专利技术利用透光板对封装胶体进行定型，可不用额外模具的制作，进而节省成本。由于透光板的硬度大于封装胶体的硬度，在后续将发光二极体封装结构设置于承载座上时，透光板可保护发光单元，进而避免因外力破坏而影响出光。再者，本专利技术可于封装胶体内掺杂荧光粒子，并且藉由调整荧光粒子的浓度及/或放射波长，来调整出光效率与光线颜色，同样地，透光板也可以保护荧光粒子，具有防止封装胶体表面的荧光粒子脱落的功效。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：图1是现有技术的发光二极体封装结构的示意图；图2是本专利技术第一实施例的发光二极体封装结构的示意图；图3是以第一封装胶体及第一透光板封装多个发光单元的示意图；图4是本专利技术第二实施例的发光二极体封装结构的示意图；图5是本专利技术第三实施例的发光二极体封装结构的示意图；图6是本专利技术第四实施例的发光二极体封装结构的示意图；图7是本专利技术第五实施例的发光二极体封装结构的示意图；图8是本专利技术第六实施例的发光二极体封装结构的示意图；图9是本专利技术第七实施例的发光二极体模组的示意图；图10是本专利技术第八实施例的发光二极体模组的示意图；图11是本专利技术第九实施例的发光二极体封装结构的示意图；图12是本专利技术第十实施例的发光二极体模组的示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参见图2，图2为本专利技术第一实施例的发光二极体封装结构2的示意图。如图2所示，发光二极体封装结构2包含第一透光板20、发光单元22以及第一封装胶体24。发光单元22设置于第一透光板20上，而第一封装胶体24设置于发光单元22与第一透光板20的间且包覆部分发光单元22。在本实施例中，发光单元22包含基板220、第一型半导体层222、发光层224、第二型半导体层226、第一型电极228、第二型电极230以及反射层232。发光单元22可为覆晶式发光二极体芯片，且基板220的材料可为蓝宝石，但不以此为限。第一型半导体层222位于基板220上，发光层224位于第一型半导体层222上，第二型半导体层226位于发光层224上，反射层232位于第二型半导体层226上，第一型电极228与第一型半导体层222电性连接，第二型电极230与第二型半导体层226电性连接，且第一型电极228与第二型电极230外露于第一封装胶体24外。换言之，第一封装胶体24并未包覆发光单元22的第一型电极228与第二型电极230。第一型半导体层222可为N型半导体层(例如，N型氮化镓层)，且第二型半导体层226可为P型半导体层(例如，P型氮化镓层)。此时，第一型电极228即为N型电极，且第二型电极230即为P型电极。反射层232的反射率可大于90％，且反射层232的材料可选自金、银、铝、铜、镍及铬所构成的材料群组，但不以此为限。反射层232可将光线反射，进而增加发光单元22的整体出光效率。需说明的是，本专利技术可根据实际出光需求决定是否设置反射层232。请参阅图3，图3为以第一封装胶体24及第一透光板20封装多个发光单元22的示意图。如图3所示，本专利技术可直接将多个发光单元22以第一封装胶体24封装后再盖上第一透光板20定型。接着，再针对每一个发光单元22进行切割，以完成如图2所示的发光二极体封装结构2的制作，进而实现无封装基板的封装。在切割后的发光二极体封装结构2中，第一封装胶体24的第一侧表面240即会与第一透光板20的第二侧表面200切齐。由于本专利技术为无封装基板的封装，因此本专利技术的发光二极体封装结构2制作相当方便，可有效提升产能。此外，本专利技术利用第一透光板20对第一封装胶体24进行定型，可不用额外模具的制作，进而节省成本。如图2所示，当发光单元22发光时，至少部分发光单元22发出的光线L即会依本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：一发光二极体封装结构，包括：至少一发光二极体芯片，所述发光二极体芯片包括一第一电极及一第二电极，其中所述第一电极与所述第二电极配置于所述发光二极体芯片的同一侧，且所述第一电极与所述第二电极之间具有间隔；一透光层，覆盖所述发光二极体芯片；以及一封装胶体，位于所述发光二极体芯片与所述透光层之间，所述封装胶体包覆所述发光二极体芯片，且暴露出所述发光二极体芯片的所述第一电极及所述第二电极；以及一承载板，所述发光二极体封装结构配置于所述承载板上，其中所述封装胶体和承载板之间具有间隔。

【技术特征摘要】
2013.12.26 TW 102148482;2014.10.13 TW 1031354251.一种发光装置，其特征在于，包括：一发光二极体封装结构，包括：至少一发光二极体芯片，所述发光二极体芯片包括一第一电极及一第二电极，其中所述第一电极与所述第二电极配置于所述发光二极体芯片的同一侧，且所述第一电极与所述第二电极之间具有间隔；一透光层，覆盖所述发光二极体芯片；以及一封装胶体，位于所述发光二极体芯片与所述透光层之间，所述封装胶体包覆所述发光二极体芯片，且暴露出所述发光二极体芯片的所述第一电极及所述第二电极；以及一承载板，所述发光二极体封装结构配置于所述承载板上，其中所述封装胶体和承载板之间具有间隔。2.一种发光装置，其特征在于，包括：一发光二极体封装结构，包括：至少一发光二极体芯片，所述发光二极体芯片包括一第一电极及一第二电极，其中所述第一电极与所述第二电极配置于所述发光二极体芯片的同一侧，且所述第一电极与所述第二电极之间具有间隔；一透光层，覆盖所述发光二极体芯片；以及一封装胶体，位于所述发光二极体芯片与所述透光层之间，所述封装胶体包覆所述发光二极体芯片，且暴露出所述发光二极体芯片的所述第一电极及所述第二电极；以及一承载板，所述发光二极体封装结构配置于所述承载板上，其中所述封装胶体和所述发光二极体芯片粘合，而未与所述承载板粘合。3.一种发光装置，其特征在于，包括：一发光二极体封装结构，包括：一荧光材料层；至少一发光二极体芯片，配置于所述荧光材料层上，所述发光二极体芯片包括一第一电极及...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄靖恩，丁绍滢，苏柏仁，吴志凌，黄逸儒，罗玉云，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71