一种具有散光效应的LED芯片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有散光效应的LED芯片的制备方法,包括以下步骤：S1、在蓝宝石片子的上表面制备类似于凸镜形貌的圆；S2、将S1所得的蓝宝石片子通过紫外固化热压印技术对蓝宝石衬底图形化，衬底图案由平均分布的锥形图案组成，且锥形图案的竖截面为等腰三角形，本发明专利技术可以通过调整凸镜的弧度，使出光角的范围扩大至180°，对LED的出光效率进行了优化，进一步提高了LED的出光效率，蓝宝石衬底的顶端设置有弧形凸起，且锥形图案均匀分布在弧形凸起的顶端，衬底上的图案更加密集，便于LED芯片射出更多的光线。

【技术实现步骤摘要】
一种具有散光效应的LED芯片的制备方法
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种具有散光效应的LED芯片的制备方法。
技术介绍
近年来，GaN基LED因具有亮度高、能耗低、寿命长等诸多优点，被广泛应用于交通指示灯、LCD背光源、全彩显示器和通用照明领域等，主流LED都是利用在平片上制备图形化衬底来进行外延生长，最终LED芯片发光单元是量子阱形成的平面，然而，蓝宝石衬底以及GaN折射率都是偏大的材料，正装LED芯片出光面的GaN折射率(n＝2.2左右)与空气(n＝1.0)之间存在巨大差异，光从LED芯片发光层出来的最大出射角（折射角）在27°左右，这导致光线在芯片内部发生显著的全反射现象而无法射出LED，大大降低了LED的光提取率，使得GaN基LED在显示屏等要求可视角大的领域带来不利。后来针对这一问题提出了改善方案，如引入布拉格反射层、光子晶体，表面粗化和衬底图形化等。其中，多图层衬底技术不仅能提高光提取率，还能提高内量子效率。一方面，衬底上的图案通过折射和反射改变光的轨迹，使光在界面出射的入射角变小(小于全反射临界角)，从而得以透射而出，提高光的提取率；另一方面，图案还可以使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有散光效应的LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在蓝宝石片子的上表面制备类似于凸镜形貌的圆，包括以下步骤：S1.1、通过涂胶机，在蓝宝石片子的上表面涂负胶，负胶的厚度范围在10至150um，且涂抹负胶的厚度根据凸镜弧度调整；S1.2、通过光刻机，再将S1.1所得的蓝宝石片子的表面进行曝光，且光刻板上面圆形图形的周期与LED芯片的尺寸一致，圆形图形的直径范围在20um至60um；S1.3、将S1.2所得结果进行显影；S1.4、通过烘箱，对S1.3所得结果进行烘烤，使光刻胶热缩变形；S1.5、通过ICP刻蚀机，利用三氯化硼等离子体对S1.4所得结果进行刻蚀加工。S2、将S1...

【技术特征摘要】
1.一种具有散光效应的LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在蓝宝石片子的上表面制备类似于凸镜形貌的圆，包括以下步骤：S1.1、通过涂胶机，在蓝宝石片子的上表面涂负胶，负胶的厚度范围在10至150um，且涂抹负胶的厚度根据凸镜弧度调整；S1.2、通过光刻机，再将S1.1所得的蓝宝石片子的表面进行曝光，且光刻板上面圆形图形的周期与LED芯片的尺寸一致，圆形图形的直径范围在20um至60um；S1.3、将S1.2所得结果进行显影；S1.4、通过烘箱，对S1.3所得结果进行烘烤，使光刻胶热缩变形；S1.5、通过ICP刻蚀机，利用三氯化硼等离子体对S1.4所得结果进行刻蚀加工。S2、将S1.5所得的蓝宝石片子通过紫外固化热压印技术对蓝宝石衬底图形化，衬底图案由平均分布的锥形图案组成，且锥形图案的竖截面为等腰三角形，包括以下步骤：S2.1、将S1.5的表面沉积一层二氧化硅，且二氧化硅的厚度范围在50至150nm；S2.2、通过涂胶技术，将S2.1所得结果的表面涂布光刻胶，光刻胶的异常粘度的范围为8至12cp，且光刻胶的厚度范围为0.5至1um；S2.3、利用紫外热压印技术，将有图形的树脂软膜放置在S2.2所得结果的表面，并对蓝宝石片子进行加热，加热温度范围在70摄氏度至100摄氏度。S2.4、利用BOE（氟化铵和氢氟酸的混液）对S2.3所得结果进行浸泡，浸泡时间在30至40秒，将S2.2所得结果中光刻胶未覆盖区域的二氧化硅去除，并利用去胶液去除光刻胶；S2.5、将S2.4所得结果放入硫酸和磷酸的混合溶液中进行腐蚀，最终...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯想，
申请(专利权)人：福建中晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35