【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种芯片失效点的分析方法，特别涉及一种。
技术介绍
在电子元器件的研制阶段，失效分析可纠正设计和研制中的错误，缩短研制周期； 在电子元器件的生产、测试和使用阶段，失效分析可找出电子元器件的失效原因和引起电子元器件失效的责任方。根据失效分析结果，元器件生产厂改进元器件的设计和生产工艺， 元器件使用方改进电路板设计，改进元器件或整机的测试、试验条件及程序，甚至以此为根据更换不合格的元器件供货商。因而，失效分析对加快电子元器件的研制速度，提高元器件和整机的成品率和可靠性有重要意义。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，该方法简单易行，可准确定位失效芯片的故障点。本专利技术的技术方案在于一种，其特征在于按以下步骤进行1)将芯片通过开盖机，并将封装的树脂去掉，将裸晶外露；2)将芯片放入到工作电路中，让芯片处于工作状态；3)开启扫描电子显微镜，将加速电场电压调整至60KV；4)将正常的芯片放入样品室进行扫描，得到正常芯片的电压衬度像；5)将失效的芯片放入样品室进行扫描，得到失效芯片的电压衬度像；6)利用扫描电子显微镜的图像显示和记录系统对正常芯片的电压衬度像和失效芯片的电压衬度像进行比较，求出并显示差像，即可根据差像确定芯片的失效位置。本专利技术的优点在于该方法简单易行，可准确定位失效芯片的故障点。附图说明图1为本专利技术的流程示意图。图2为本专利技术的正常芯片的电压衬度像。图3为本专利技术的失效芯片的电压衬度像。图4为本专利技术的所确定的失效位置。具体实施例方式一种，其特征在于按以下步骤进行1)将芯片通过开盖机，并将封装的树脂去掉，将裸晶外露；2...
【技术保护点】
１．一种以测量电压效应为基础的芯片失效方法，其特征在于：按以下步骤进行：１）将芯片通过开盖机，并将封装的树脂去掉，将裸晶外露；２）将芯片放入到工作电路中，让芯片处于工作状态；３）开启扫描电子显微镜，将加速电场电压调整至６０ＫＶ；４）将正常的芯片放入样品室进行扫描，得到正常芯片的电压衬度像；５）将失效的芯片放入样品室进行扫描，得到失效芯片的电压衬度像；６）利用扫描电子显微镜的图像显示和记录系统对正常芯片的电压衬度像和失效芯片的电压衬度像进行比较，求出并显示差像，即可根据差像确定芯片的失效位置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林康生，陈品霞，
申请(专利权)人：博嘉圣福州微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：35
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