发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片技术

提供发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片，得到充分的亮度。该方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；晶片背面加工工序，在晶片的背面上与各LED电路对应地形成多个凹部或槽；透明基板准备工序，准备在内部形成有多个气泡的透明基板；一体化工序，在实施了晶片背面加工工序之后，将晶片的背面粘贴在透明基板的正面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。

Manufacturing method of light emitting diode chip and light emitting diode chip

A manufacturing method of a light-emitting diode chip and a light-emitting diode chip are provided to obtain full luminance. This method has the following steps: wafer preparation process, prepare the following wafer: the wafer in crystal growth using a transparent substrate having laminate layer, laminate layer on the front on the cross regional scheduled a number of split line partition are respectively formed in a LED circuit, the laminate layer is formed a plurality of semiconductor layers including a light-emitting layer, the back surface of the wafer; machining process, on the back of the wafer and the LED circuit formed corresponding to a plurality of recesses or grooves; a transparent substrate preparation process, to form a transparent substrate having a plurality of air bubbles inside; integration process, after the implementation of the wafer backside processing procedure the back of the wafer, the paste in front of a transparent substrate and form integrated chip; and segmentation process, along the preset dividing line will be cut off and the wafer and the transparent substrate with integrated chip It is divided into various light-emitting diode chips.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片
本专利技术涉及发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。
技术介绍
在蓝宝石基板、GaN基板、SiC基板等晶体成长用基板的正面上形成有层叠体层，该层叠体层通过将n型半导体层、发光层和p型半导体层层叠多层而形成，将在该层叠体层上由交叉的多条分割预定线划分出的区域内形成有多个LED(LightEmittingDiode：发光二极管)等发光器件的晶片沿着分割预定线切断而分割成各个发光器件芯片，分割得到的发光器件芯片被广泛地应用在移动电话、个人计算机、照明设备等各种电子设备中。由于从发光器件芯片的发光层射出的光具有各向同性，所以光也会照射到晶体成长用基板的内部而也从基板的背面和侧面射出。然而，在照射到基板的内部的光中，由于基板与空气层的界面处的入射角为临界角以上的光在界面上发生全反射而被关在基板内部，不会从基板射出到外部，所以存在导致发光器件芯片的亮度降低的问题。为了解决该问题，在日本特开2014-175354号公报中记载了如下的发光二极管(LED)：为了抑制从发光层射出的光被关在基板的内部，将透明部件粘贴在基板的背面上而实现亮度的提高。专利文献1：本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；晶片背面加工工序，在该晶片的背面上与各LED电路对应地形成凹部或槽；透明基板准备工序，准备在内部形成有多个气泡的透明基板；一体化工序，在实施了该晶片背面加工工序之后，将晶片的背面粘贴在该透明基板的正面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着该分割预定线将该晶片与该透明基板一起切断而将该一体化晶片分割成各个发光...

【技术特征摘要】
2016.10.06 JP 2016-1984281.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；晶片背面加工工序，在该晶片的背面上与各LED电路对应地形成凹部或槽；透明基板准备工序，准备在内部形成有多个气泡的透明基板；一体化工序，在实施了该晶片背面加工工序之后，将晶片的背面粘贴在该透明基板的正面上而形成一体化晶片；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈村卓，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP