一种单晶掺镓太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种单晶掺镓太阳电池及其制备方法。包括：掺杂有镓的单晶硅基底，以及在其受光面上的发射极，置于发射极表面的正面减反射膜/钝化膜，置于正面减反射膜/钝化膜表面的导电材料组成的正面电极，导电材料在金属化热处理中局部穿透正面减反射膜/钝化膜材料或通过在正面减反射膜/钝化膜上的局部开膜区域和发射极形成直接接触，以及置于基底背面的背面电极，其中背面电极由两部分组成，设置在背表面的铝电极，以及作为光伏组件焊接点的银电极。此太阳电池的制备方法包括，在掺镓的硅基底上进行表面织构化，并在电池的正面制备发射极，在正面制备钝化及减反射膜，以及在电池的正面和反面制备电极，以及金属化热处理过程。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶掺镓太阳电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
，特别涉及一种单晶掺镓太阳电池及其制备方法。
技术介绍
目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。目前使用的p型太阳电池基底，一般为掺杂有硼元素的硅片。但是采用掺杂有硼元素的单晶硅作为基底的太阳电池一起电池效率在太阳光照下会发生一定的衰减。这种衰减称之为光衰(LID)。目前光伏产业中的掺硼单晶硅片制成的太阳电池的效率衰减1.5～7％，衰减程度大小取决于硼元素的掺杂浓度、氧含量、电池结构。这种电池的光致衰减产生的本质原因和掺杂基底中的代替位硼原子和单晶硅中间隙态的氧原子在光注入的情况下会形成硼氧复合体。而硼氧复合体是深能级复合中心，这样会降低少数载流子的寿命，从而降低少数载流子的扩散长度，导致太阳电池的效率降低，并且影响电池的长期可靠性。
技术实现思路
针对以上问题，本专利技术提供了一种单晶掺镓太阳电池及其制备方法，可以解决上述问题，降低由于硼氧复合体造成的光致衰减。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶掺镓太阳电池，其特征在于，由正面至背面依次包括：正面电极、正面减反射膜/钝化膜(3)、发射极(2)、单晶掺镓单晶掺镓硅基底(1)和背面电极；所述的背面电极包括铝电极(4)和背面银电极(5)。

【技术特征摘要】
1.一种单晶掺镓太阳电池，其特征在于，由正面至背面依次包括：正面电极、正面减反射膜/钝化膜(3)、发射极(2)、单晶掺镓单晶掺镓硅基底(1)和背面电极；所述的背面电极包括铝电极(4)和背面银电极(5)。2.根据权利要求1所述的一种单晶掺镓太阳电池，其特征在于，所述的单晶掺镓硅基底(1)中镓元素的掺杂浓度为1×1013～1×1017个原子/立方厘米。3.根据权利要求2所述的一种单晶掺镓太阳电池，其特征在于，所述的单晶掺镓硅基底(1)还掺杂有硼元素，硼元素的掺杂浓度为1×1013～1×1017个原子/立方厘米。4.根据权利要求1所述的一种单晶掺镓太阳电池，其特征在于，所述的正面电极通过局部穿透正面减反射膜/钝化膜(3)或通过在正面减反射膜/钝化膜(3)上的局部开膜区域与发射极(2)形成直接接触。5.根据权利要求1所述的一种单晶掺镓太阳电池，其特征在于，所述的铝背场电极(4)设置在单晶掺镓硅基底(1)的背面，背面银电极(5)设置在铝背场电极(4)上；铝电极(4)和背面银电极(5)均与单晶掺镓硅基底(1)背面接触。6.根据权利要求5所述的一种单晶掺镓太阳电池，其特征在于，所述的铝电极(4)和单晶掺镓硅基底(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：李华，靳玉鹏，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32