The invention discloses a preparation method of P type single crystal silicon solar cells, the preparation method comprises: providing a P type single crystal silicon substrate, forming a textured structure on the surface of P type single crystal silicon substrate; forming a protective layer on the surface of the backlight P type single crystal silicon substrate; P type single crystal silicon substrate by surface polishing treatment; in the P type single crystal silicon substrate by face mask layer is formed; the diffusion of P in N+ region on the back surface of the formation of a P type single crystal silicon substrate; laser processing to form the P+ area of the back surface of P type silicon substrate, the isolation of P+ region and N+ region; P type single crystal silicon substrate by the smooth surface of the mask layer is removed; in a P type single crystal silicon substrate by forming a passivation layer on the surface; P type single crystal silicon substrate from the surface and back surface are respectively formed passivation and anti reflection film; laser processing on the back surface of a P type single crystal silicon substrate, in the N+ region A metal electrode is formed in the P+ region. The preparation method has the advantages of low cost, simple process and rapid industrial production.
【技术实现步骤摘要】
一种P型单晶太阳能电池的制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
,更具体地说,尤其涉及一种P型单晶太阳能电池的制备方法。
技术介绍
常见的IBC(Interdigitatedbackcontact)电池,是在N型单晶硅衬底的背光面交替设置P+和N+掺杂区域,之后再设置钝化层和金属电极;使IBC电池的受光面无任何金属电极遮挡,进而有效增加了电池片的短路电流,使电池片的能量转化效率得以提高;其中钝化层的质量影响电池片的隐开路电压、暗饱和电流密度和短波段的内量子效率等性能。但是,在现有技术中,IBC电池的钝化层质量效果不佳;并且N型单晶硅衬底价格很贵;以及需要进行B扩散与P扩散,硅片经过两次高温扩散后,会使其内部的缺陷、位错等不良因素释放并扩大,最终影响电池效率。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术提供了一种P型单晶太阳能电池的制备方法,该制备方法解决了现有技术中存在的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种P型单晶太阳能电池的制备方法,所述制备方法包括:提供一P型单晶硅衬底,并在所述P型单晶硅衬底的表面形成绒面结构;在所述P型单晶硅衬底的背光面形成保护层;对所述P型单晶硅衬底的受光面进行抛光处理;在所述P型单晶硅衬底的受光面形成掩膜层;对所述P型单晶硅衬底的背光面进行P扩散形成N+区域;对所述P型单晶硅衬底的背光面进行激光处理形成P+区域,并将所述P+区域与所述N+区域隔离;将所述P型单晶硅衬底的受光面的掩膜层去除;在所述P型单晶硅衬底的受光面形成钝化层;在所述P型单晶硅衬底的受光面以及背光面分别形成钝化减反膜;对所述P型单晶硅衬底的背光面进 ...
【技术保护点】
一种P型单晶太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:提供一P型单晶硅衬底,并在所述P型单晶硅衬底的表面形成绒面结构;在所述P型单晶硅衬底的背光面形成保护层;对所述P型单晶硅衬底的受光面进行抛光处理;在所述P型单晶硅衬底的受光面形成掩膜层;对所述P型单晶硅衬底的背光面进行P扩散形成N+区域;对所述P型单晶硅衬底的背光面进行激光处理形成P+区域,并将所述P+区域与所述N+区域隔离;将所述P型单晶硅衬底的受光面的掩膜层去除;在所述P型单晶硅衬底的受光面形成钝化层;在所述P型单晶硅衬底的受光面以及背光面分别形成钝化减反膜;对所述P型单晶硅衬底的背光面进行激光处理,在所述N+区域和所述P+区域分别形成金属电极。
【技术特征摘要】
1.一种P型单晶太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:提供一P型单晶硅衬底,并在所述P型单晶硅衬底的表面形成绒面结构;在所述P型单晶硅衬底的背光面形成保护层;对所述P型单晶硅衬底的受光面进行抛光处理;在所述P型单晶硅衬底的受光面形成掩膜层;对所述P型单晶硅衬底的背光面进行P扩散形成N+区域;对所述P型单晶硅衬底的背光面进行激光处理形成P+区域,并将所述P+区域与所述N+区域隔离;将所述P型单晶硅衬底的受光面的掩膜层去除;在所述P型单晶硅衬底的受光面形成钝化层;在所述P型单晶硅衬底的受光面以及背光面分别形成钝化减反膜;对所述P型单晶硅衬底的背光面进行激光处理,在所述N+区域和所述P+区域分别形成金属电极。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述提供一P型单晶硅衬底包括:提供一电阻率为3Ω·cm-5Ω·cm的P型单晶硅衬底。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在所述P型单晶硅衬底的表面形成绒面结构包括:在所述P型单晶硅衬底的表面形成反射率为8%-12%的绒面结构。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在所述P型单晶硅衬底的背光面形成保护层包括:在所述P型单晶硅衬底的背光面形成厚度为3nm-6nm的SiO保护层或SiO2保护层。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在所述P型单晶硅衬底的受光面形成掩膜层包括:在所述P型单晶硅衬底的受...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙海杰,郑霈霆,张昕宇,金浩,许佳平,
申请(专利权)人:浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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