提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构制造技术
【技术实现步骤摘要】
提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构
本专利技术属于半导体
，具体地说，是一种提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构。
技术介绍
二氧化钒（VO2）薄膜在68℃附近具有热致半导体-金属相变特性，相变时，VO2由低温单斜金红石结构（半导体态）转变为高温四方金红石结构（金属态），伴随晶体结构的转变，VO2薄膜在红外光区域的光学透射性能发生可逆性突变。现有的二氧化钒薄膜技术，多应用于VO2薄膜的制备、薄膜性能测试、导电性及红外光学性能研究，主要的结构为纳米柱、纳米空气柱、光栅、增透膜和减反膜等单一周期性结构。上述结构多应用与Si材料中，在VO2的应用中很少见到，并且上述结构对提高VO2在红外波段吸收效率很低，难以在红外探测器中得到广泛的应用。
技术实现思路
本专利技术针的目的在于提出一种新型方毯周期结构的二氧化钒（VO2）薄膜。实现本专利技术目的的技术方案：一种提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构，自下而上由衬底和吸收层组成该方毯周期结构，吸收层由三种不同边长的正方形纳米柱组成。所述衬底为VO2，厚度为100nm，尺寸为3um*3um。所述吸收层为VO2，纳米柱的边长分...
【技术保护点】
1.一种提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构，其特征在于：由衬底和吸收层自下至上组成，吸收层由三种不同边长的正方形纳米柱组成。
【技术特征摘要】
1.一种提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构，其特征在于：由衬底和吸收层自下至上组成，吸收层由三种不同边长的正方形纳米柱组成。2.根据权利要求1所述的提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构，其特征在于：所述衬底为VO2，厚度为100nm，尺寸为3um*3um。3.根据权利要求1所述的提升二氧化钒光吸收增强的方毯周期结构，其特征在于：所述吸收层为VO2，纳米柱的边长分别为1um、1/3um、1/9um，纳米柱的高度均为300nm。4.根据权利要求1、2或3...
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