阵列基板及显示屏制造技术

本实用新型专利技术涉及一种阵列基板，其包括：复合衬底，包括底衬底层、以及形成在底衬底层上的顶衬底层；第一走线层，设置于底衬底层与顶衬底层之间；第一走线层包括若干第一走线；以及驱动结构层，形成于复合衬底上；驱动结构层包括形成于复合衬底上的主体层、以及形成于主体层上的数据线层；数据线层包括若干数据线；阵列基板还开设有若干贯穿主体层以及顶衬底层的过孔；数据线通过过孔与相对应的第一走线电连接。上述阵列基板，将第一走线设置在复合衬底中，直接可以通过背面进行邦定，从而可以不用非AA区弯折的情况下，甚至可以在不设计非AA区的情况，即可以实现全面屏显示。本实用新型专利技术还公开了一种显示屏。

Array substrate and display screen

The utility model relates to an array substrate, which comprises a composite substrate, a bottom substrate layer, and a top substrate layer formed on the bottom substrate layer; the first walking line layer is arranged between the bottom substrate layer and the top substrate layer, and the first line layer includes a number of first walk lines, and the driving structure layer is formed on a composite substrate. The dynamic structure layer includes the main layer formed on the composite substrate and the data line layer formed on the main layer; the data line layer includes a number of data lines; the array substrate also has a number of holes through the main body layer and the top layer; the data line is electrically connected to the corresponding first line through the hole. The above array substrate is set on the composite substrate and can be directly fixed on the back, so that the full screen display can be achieved without the non - AA zone bending, or even in the non - AA area. The utility model also discloses a display screen.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示屏
本技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及显示屏。
技术介绍
目前，全面屏大多依靠将非AA区弯折到屏体的背面来实现。但是，弯折区存在应力集中的问题；并且由于膜层堆叠，外围膜层的伸缩量大于内层，容易导致膜层与膜层的分离问题(即Peeling)，屏体的弯折可靠性低。因此，亟需一种新的全面屏设计。
技术实现思路
基于此，提供一种新的能够实现全面屏的阵列基板。一种阵列基板，包括：复合衬底，包括底衬底层、以及形成在所述底衬底层上的顶衬底层；第一走线层，设置于所述底衬底层与所述顶衬底层之间；所述第一走线层包括若干第一走线；以及驱动结构层，形成于所述复合衬底上；所述驱动结构层中的引线通过过孔与相对应的所述第一走线电连接。上述阵列基板，将第一走线设置在复合衬底中，直接可以通过背面进行邦定，从而可以不用非AA区弯折的情况下，甚至可以在不设计非AA区的情况，即可以实现全面屏显示。在其中一个实施例中，所述第一走线层与所述底衬底层之间还设有用于保护所述底衬底层的保护层。在其中一个实施例中，所述保护层的厚度为20nm～40nm。在其中一个实施例中，所述保护层为硅的氧化物层、或硅的氮化物层。在其中一个实施例中，所述第一走线层的厚度为200nm～700nm。在其中一个实施例中，所述底衬底层的厚度为2μm～3μm。在其中一个实施例中，所述顶衬底层的厚度为1μm～3μm。在其中一个实施例中，所述第一走线位于所述阵列基板的邦定区。在其中一个实施例中，所述底衬底层在邦定区上开设有漏出所述第一走线的邦定孔。本技术还提供了一种显示屏。一种显示屏，所述显示屏包括本技术所提供的阵列基板。上述显示屏，由于采用本技术所提供的阵列基板，故而直接可以通过背面进行邦定，从而可以不用非AA区弯折的情况下，甚至可以在不设计非AA区的情况，即可以实现全面屏显示。附图说明图1为本技术一实施方式的阵列基板的过孔处的剖面结构示意图。图2为图1中的阵列基板的复合衬底另一角度的剖面结构示意图。图3为图1中的第一走线在保护层上的分布示意图。图4为本技术另一实施方式的第一走线在保护层上的分布示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。参见图1，本技术一实施方式的阵列基板100，包括复合衬底110、嵌入在复合衬底110中的第一走线层120、形成在复合衬底110上的主体层130、以及形成在主体层130上的数据线层140。主体层130、以及数据线层140构成驱动结构层。其中，复合衬底110的主要作用是，为其上的各层提供支撑。由于需要为后续的膜层提供良好的支撑，复合衬底110的表面一般为平整的平面。结合图1参见图2，复合衬底110为复合层结构。具体地，复合衬底110包括底衬底层111、以及形成在底衬底层111上的顶衬底层112。第一走线层120设置于底衬底层111与顶衬底层112之间，从而实现将第一走线层120嵌入在复合衬底110中。在制备时，可以优选采用下面方式形成:先形成底衬底层111，然后形成第一走线层120，最后形成顶衬底层112，这样就可以将第一走线层120嵌入到复合衬底110中。在复合衬底110中，底衬底层111为第一走线层120提供支撑，顶衬底层112为第一走线层120提供保护，同时为整个复合衬底110提供平整的表面。在本实施方式中，底衬底层111为聚酰亚胺(PI)层，这样可以采用激光剥离，实现柔性产品。当然，可以理解的是，底衬底层111还可以是其它塑料，例如耐高温塑料。优选地，底衬底层111的厚度为2μm～3μm。在本实施方式中，顶衬底层112为PI层，这样既与底衬底层111的材质相同，又可以方便为后续的器件制备提供平整的平面。当然，可以理解的是，顶衬底层112还可以是其它材质。当显示屏为柔性屏时，顶衬底层112优选为有机层。当显示屏为硬屏时，顶衬底层112还可以为无机层(例如氧化硅层)。优选地，顶衬底层112的厚度为1μm～3μm，这样既有利于形成良好的平整的表面，亦可以节省材料。当然，可以理解的是，底衬底层111与顶衬底层112的材质各自独立选择，可以相同(例如均采用PI层)，也可以不相同(例如底衬底层111为PI层，顶衬底层112为PR层或氧化硅层)。同样可以理解的是，底衬底层111与顶衬底层112的形成方法也各自独立选择，可以相同(例如都采用涂布方式形成)，也可以不相同(例如底衬底层111采用涂布方式形成，顶衬底层112采用沉积方式形成)。其中，第一走线层120为图案层。第一走线层120包括若干第一走线121。第一走线121的主要作用是，与线路板(未示出)邦定，从而将数据线层140的信号与线路板的信号连通。在本实施方式中，底衬底层111的靠近顶衬底层112的一侧表面为平面，第一走线121是嵌在顶衬底层112中，此时顶衬底层112还起到平坦化的作用。当然，可以理解的是，也可以是第一走线121是嵌在底衬底层112中，即在底衬底层111的靠近顶衬底层112的一侧表面开设开槽，第一走线121位于开槽内。在本实施方式中，第一走线层120的形成过程优选为：先底衬底层111上在沉积整层金属，然后将整层金属蚀刻图案化，形成若干第一走线121。这样通过光刻完成，使第一走线的精度更高。当然，可以理解的是，第一走线层120的形成过程还可以是，通过掩膜版直接沉积图案化的金属，以形成若干第一走线121。为了避免第一走线层120的形成对底衬底层111造成不良影响，在本实施方式中，在形成第一走线层120之前，先在底衬底层111上形成用于保护底衬底层111的保护层113；也就是说，保护层113设于第一走线层120与底衬底层111之间。一般情况下，第一走线通过PVD沉积，沉积过程中存在等离子体(Plasma)的轰击，若不存在保护层113，则等离子体轰击PI，PI可能被轰击变性，挥发出有机污染物，从而污染腔室。因此，保护层113可以避免第一走线层120形成时对底衬底层111的破坏，进一步避免污染腔室。另外，第一走线层120刻蚀时，保护层113也可以作为刻蚀阻挡层，避免干刻过程中的等离子体对PI的损伤，也可以避免干刻腔室被污染。优选地，保护层113为硅的氧化物层、或硅的氮化物层。这样可以和目前的常规工艺兼容，有利于生产。当然，可以理解的是，保护层113还可以是碳化硅层、亦或氮氧化硅层。优选地，保护层113的厚度为20nm～40nm。这样既可以有效起到保护作用，同时又可以节省时间和成本。参见图3，第一走线121只位于阵列基板100的邦定区9。当显示屏只在一侧邦定时，也即显示屏只有一个邦定区9，第一走线121即位于该邦定区9。当显示屏在两侧邦定时，也即显示屏的两侧各有一个邦定区9，那么第一走线121在两本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：复合衬底，包括底衬底层、以及形成在所述底衬底层上的顶衬底层；第一走线层，设置于所述底衬底层与所述顶衬底层之间；所述第一走线层包括若干第一走线；以及驱动结构层，形成于所述复合衬底上；所述驱动结构层中的引线通过过孔与相对应的所述第一走线电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：复合衬底，包括底衬底层、以及形成在所述底衬底层上的顶衬底层；第一走线层，设置于所述底衬底层与所述顶衬底层之间；所述第一走线层包括若干第一走线；以及驱动结构层，形成于所述复合衬底上；所述驱动结构层中的引线通过过孔与相对应的所述第一走线电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一走线层与所述底衬底层之间还设有用于保护所述底衬底层的保护层。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层的厚度为20nm～40nm。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层为硅的氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞凤至，顾维杰，陈闯，李锦，张旭阳，李林钢，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13