半导体装置、半导体装置的制造方法和显示装置制造方法及图纸

本技术提供半导体装置、半导体装置的制造方法和显示装置。一种半导体装置，其具备：基板；第一晶体管，在基板上依次具有包括多晶硅的第一半导体层和与第一半导体层对向的第一栅电极；以及第二晶体管，在基板上依次具有包括氧化物半导体的第二半导体层和与第二半导体层对向的第二栅电极。 1

Semiconductor device, manufacturing method and display device of semiconductor device

The technology provides a semiconductor device, a manufacturing method for a semiconductor device and a display device. A semiconductor device with a substrate, a substrate, a first transistor, a first semiconductor layer including a polysilicon and a first gate electrode with the first semiconductor layer, and a second transistor on the substrate, and a second semiconductor layer including an oxide semiconductor and a second semiconductor layer in turn on the substrate. The second gate electrode. One

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、半导体装置的制造方法和显示装置
本技术涉及一种具有薄膜晶体管(TFT：ThinFilmTransistor)的半导体装置及其制造方法，和使用该半导体装置的显示装置。
技术介绍
具有TFT的半导体装置，例如作为显示装置等的驱动电路使用(例如，专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-161382号公报
技术实现思路
在这样的半导体装置中，期望抑制多个TFT之间的特性变化而使特性均一化，并且提高可靠性。期望提供一种可以使特性均一化，并且提高可靠性的半导体装置、半导体装置的制造方法和显示装置。本技术的一种实施方式的半导体装置具备：基板；第一晶体管，在基板上依次具有包括多晶硅的第一半导体层和与第一半导体层对向的第一栅电极；以及第二晶体管，在基板上依次具有包括氧化物半导体的第二半导体层和与第二半导体层对向的第二栅电极。本技术的一种实施方式的显示装置具备：半导体装置；以及显示元件层，设置在半导体装置上，并且包括多个像素。半导体装置包括：基板，第一晶体管，在基板上依次具有包括多晶硅的第一半导体层和与第一半导体层对向的第一栅电极；以及第二晶体管，在基板上依次具有包括氧化物半导体的第二半导体层和与第二半导体层对向的第二栅电极。在本技术的一种实施方式的半导体装置和显示装置中，第一晶体管的第一半导体层包括多晶硅，第二晶体管的第二半导体层包括氧化物半导体。因此，与由多晶硅构成所有的晶体管的半导体层的情况相比，可以抑制特性的变化。另外，与由氧化物半导体构成所有的晶体管的半导体层的情况相比，可以抑制特性的劣化。本技术的一种实施方式的半导体装置的制造方法包括：在基板上，依次设置包括多晶硅的第一半导体层和与第一半导体层对向的第一栅电极，从而形成第一晶体管；以及在基板上，依次设置包括氧化物半导体的第二半导体层和与第二半导体层对向的第二栅电极，从而形成第二晶体管。在本技术的一种实施方式的半导体装置的制造方法中，第一晶体管的第一半导体层以包括多晶硅的方式形成，第二晶体管的第二半导体层以包括氧化物半导体的方式形成。因此，与由多晶硅构成所有的晶体管的半导体层的情况相比，可以抑制特性的变化。另外，与由氧化物半导体构成所有的晶体管的半导体层的情况相比，可以抑制特性的劣化。根据本技术的一种实施方式的半导体装置、半导体装置的制造方法和显示装置，第一晶体管的第一半导体层包括多晶硅，第二晶体管的第二半导体层包括氧化物半导体。因此，可以使特性均一化，并且提高可靠性。再有，不一定限定于这里所记载的效果，也可以是本公开中记载的任何一个效果。附图说明图1是表示本技术的一种实施方式的显示装置的概略结构的截面模式图。图2是表示图1所示的半导体装置的结构的截面图。图3是表示图1所示的显示装置的像素电路的结构的图。图4A是表示图2所示的第一晶体管和第二晶体管的制造方法的一个工序的截面模式图。图4B是表示图2所示的储存电容器的制造方法的一个工序的截面模式图。图5A是表示继图4A之后的一个工序的截面模式图。图5B是表示继图4B之后的一个工序的截面模式图。图6A是表示继图5A之后的一个工序的截面模式图。图6B是表示继图5B之后的一个工序的截面模式图。图7A是表示继图6A之后的一个工序的截面模式图。图7B是表示继图6B之后的一个工序的截面模式图。图8A是表示继图7A之后的一个工序的截面模式图。图8B是表示继图7B之后的一个工序的截面模式图。图9A是表示继图8A之后的一个工序的截面模式图。图9B是表示继图8B之后的一个工序的截面模式图。图10A是表示继图9A之后的一个工序的截面模式图。图10B是表示继图9B之后的一个工序的截面模式图。图11是表示继图9A之后的一个工序的一个例子的截面模式图。图12是表示变形例1的像素电路的结构的图。图13是表示变形例2的像素电路的结构的图。图14是表示变形例3的半导体装置的结构的截面图。图15是表示图14所示的半导体装置的电路结构的图。图16是表示显示装置的功能结构的方框图。图17是表示摄像装置的结构的方框图。图18是表示电子设备的结构的方框图。具体实施方式以下，对本技术的实施方式，参照附图进行详细说明。再有，说明按以下的顺序进行。1.实施方式(在像素电路中具有第一晶体管和第二晶体管的显示装置)2.变形例1(将第一晶体管用于驱动晶体管，第二晶体管用于写入晶体管的例子)3.变形例2(像素电路由3Tr1C构成的例子)4.变形例3(具有逆变器的例子)5.显示装置的功能结构例子6.摄像装置的例子7.电子设备的例子<实施方式>[结构]图1示意性地表示本技术的一种实施方式的显示装置(显示装置1)的截面构成。显示装置1是例如有机电致发光(EL：Electro-Luminescence)装置，在半导体装置10上具备显示元件层20。显示元件层20包括多个像素，并且该多个像素的像素电路设置在半导体装置10中。图2表示半导体装置10的结构。半导体装置10在基板11上具有第一晶体管Tr1、第二晶体管Tr2和储存电容器Cs。第一晶体管Tr1和第二晶体管Tr2是例如n沟道MOS型或p沟道MOS型的TFT。第一晶体管Tr1在基板11上依次具有：隔着UC(UnderCoat)膜12设置的第一半导体层13，和隔着第一绝缘膜14与第一半导体层13对向的第一栅电极15。也就是说，第一晶体管Tr1是顶栅型TFT。第一栅电极15被第二绝缘膜16覆盖。第一半导体层13电连接有第一源·漏电极19A、19B。第二晶体管Tr2在第二绝缘膜16上依次具有：第二半导体层17，和隔着第三绝缘膜18与第二半导体层17对向的第二栅电极19。也就是说，第二晶体管Tr2是顶栅型TFT。第二栅电极19被层间绝缘膜21覆盖。第二半导体层17电连接有第二源·漏电极22A、22B。储存电容器Cs在UC膜12上依次具有：第一电极13L、第二电极15U和第三电极19U，并且第三电极19U电连接于第一电极13L。这些第一电极13L、第二电极15U和第三电极19U具有俯视时互相重叠的部分。也就是说，储存电容器Cs是在电连接的第一电极13L与第三电极19U之间挟持有第二电极15U的堆栈结构的电容元件。在第一电极13L与第二电极15U之间，设置有第一绝缘膜14；在第二电极15U与第三电极19U之间，设置有第二绝缘膜16和第三绝缘膜18。第三电极19U被层间绝缘膜21覆盖。基板11由例如玻璃、石英、硅、树脂材料或金属板等构成。作为树脂材料，可以列举：例如PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PI(聚酰亚胺)、PC(聚碳酸酯)或PEN(聚萘二甲酸乙二酯)等。UC膜12防止例如钠离子等物质从基板11向上层移动，由氮化硅(SiN)膜和氧化硅(SiO2)膜等绝缘材料构成。也可以层叠多层膜构成UC膜12。UC膜12的厚度为例如300nm左右。也可以例如在基板11上依次层叠厚度为150nm的氮化硅膜和厚度为150nm的氧化硅膜来构成UC膜12。UC膜12设置在基板11的整个表面上。(第一晶体管Tr1)第一半导体层13设置在UC膜12上的选择性的区域。第一半导体层13由多晶硅(Poly-silicon)构成，优选地由低温多晶硅(LTPS：Low-Temperaturepoly-si本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：

【技术特征摘要】
2016.12.05 JP 2016-2359811.一种半导体装置，具备：基板；第一晶体管，在所述基板上依次具有包括多晶硅的第一半导体层和与所述第一半导体层对向的第一栅电极；以及第二晶体管，在所述基板上依次具有包括氧化物半导体的第二半导体层和与所述第二半导体层对向的第二栅电极。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，具有多个所述第一晶体管和多个所述第二晶体管。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述第二半导体层，设置有俯视时重叠于所述第二栅电极的沟道区域，以及邻接于所述沟道区域的低电阻区域。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一晶体管具有电连接于所述第一半导体层的一对第一源·漏电极，所述一对第一源·漏电极与所述第二栅电极由同一的材料构成，并且具有同一的厚度。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，进一步具有：第一绝缘膜，在所述第一半导体层与所述第一栅电极之间；以及第二绝缘膜，覆盖所述第一栅电极，在所述基板与所述第二半导体层之间，设置有所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，进一步具有：所述第二半导体层与所述第二栅电极之间的第三绝缘膜。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第三绝缘膜的平面形状与所述第二栅电极的平面形状相同。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘膜由层叠膜构成，所述层叠膜从接近所述第一绝缘膜的位置依次包括氮化硅膜和氧化硅膜。9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，进一步包括储存电容器，所述储存电容器从接近所述基板的位置，依次具有第一电极、第二电极和电连接于所述第一电极的第三电极，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极具有俯视时互相重叠的部分。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第一电极包括多晶硅，并且具有与所述第一半导体层同一的厚度，所述第二电极由与所述第一栅电极同一的构成材料构成，并且具有与所述第一栅电极同一的厚度，所述第三电极由与所述第二栅电极同一的构成材料构成，并且具有与所述第二栅电极同一的厚度。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：村井淳人，
申请(专利权)人：株式会社日本有机雷特显示器，
类型：发明
国别省市：日本,JP