阵列基板及其上电极线图案的制备方法和液晶显示面板技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板上电极线图案的制备方法，包括：在衬底上沉积形成缓冲膜；在形成有缓冲膜的衬底上形成光阻图形；干法刻蚀所述缓冲膜未被所述光阻图形覆盖的部分，形成第一缓冲层；依次沉积第二导电缓冲层和第一铜膜；采用电镀工艺在未被光阻图形覆盖的衬底上的第一铜膜上形成电极线图案；剥离光阻图形及其上的涂层，得到电极线图案。该电极线图案的制备方法，避免了金属铜膜较难刻蚀且易氧化的问题。本发明专利技术还提供了制得的阵列基板和液晶显示面板。 1

Method for preparing array substrate and upper electrode line pattern and liquid crystal display panel

The invention provides a method for preparing an electrode line pattern on an array substrate, which includes a buffer film on a substrate, a photoresist pattern formed on a substrate with a buffer film, and a part of the buffer film that is not covered by the photo resistance figure by the dry etching, and the first buffer layer is formed, and the second conductive buffer layer is sequentially deposited. And the first copper film; the electrode line pattern is formed on the first copper film on the substrate which is not covered with the photoresist, and the electrode line pattern is obtained by stripping the photo resistance figure and the coating on it. The preparation method of the electrode line pattern avoids the problem of difficult etching and easy oxidation of the metal copper film. The invention also provides an array substrate and a liquid crystal display panel. One

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其上电极线图案的制备方法和液晶显示面板
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其上电极线图案的制备方法和液晶显示面板。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板对盒形成，其中，阵列基板包括衬底基板和形成在该衬底基板上的导电图案和绝缘层，导电图案包括栅极线、数据线、栅极、源漏极等，为使TFT-LCD具有较高的对比度和图像显示质量。目前通常采用低电阻的金属铜来制作栅极线、数据线等。然而目前铜制程阵列基板中，铜栅极线和铜数据线通常直接裸露于空气之中，易发生铜氧化问题。另外，上述电极图案的形成通常采用湿刻工艺，而湿刻制程并不能很好地精确刻蚀铜膜，刻蚀后的铜膜通常形成一定的坡度角(如图1红圈所示)，其上、下表面并不齐平，出现膜宽缺失。图1中，红圈处的膜侧壁很薄，容易断裂而形成断线等缺陷，进而影响阵列基板的良品率，严重地制约了金属铜在TFT-LCD中的应用。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板上电极线图案的制备方法、阵列基板和液晶显示面板，用于提高采用金属铜制作阵列基板的电极线图案时的制作效果，且尽量减少铜电极线的氧化。本专利技术第一方面提供了一种阵列基板上电极线图案的制备方法，包括：在衬底上沉积形成缓冲膜；通过构图工艺在形成有所述缓冲膜的衬底上形成光阻图形；其中，未被所述光阻图形覆盖的衬底部分对应于待形成的电极线图案区域；采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述缓冲膜未被所述光阻图形覆盖的部分，在所述光阻图形之下形成第一缓冲层；在形成有所述第一缓冲层和所述光阻图形的衬底上依次沉积形成第二导电缓冲层和第一铜膜；采用电镀工艺在未被所述光阻图形覆盖的所述衬底上的第一铜膜上形成电极线图案，其中，所述电极线图案的材质为金属铜；所述电极线图案为栅极线和/或栅极，或者为数据线和/或源漏极；剥离所述衬底上的光阻图形及所述光阻图形上的所述第二导电缓冲层和第一铜膜，形成间隔设置在所述第一缓冲层中的所述电极线图案。其中，所述步骤“采用电镀工艺在未被所述光阻图形覆盖的所述衬底上的第一铜膜上形成电极线图案”包括：将未被所述光阻图形覆盖的所述衬底上的第一铜膜连接至电解池的阴极，将一铜靶连接至电解池的阳极，将所述电解池的阴极和阳极之间通过含铜离子的电解液相连，在所述电解池的阴极和阳极之间施加电流，电镀预设时长，得到所述电极线图案。其中，所述电极线图案远离衬底的表面距所述衬底的距离等于所述第一缓冲层远离衬底的表面距所述衬底的距离。其中，其特征在于，所述第二导电缓冲层的厚度小于所述第一缓冲层厚度的20％，所述第一铜膜的厚度小于所述第一缓冲层厚度的20％。其中，所述第二导电缓冲层的材料包括钼、钛、钽、钼钛合金、钼铌合金、钼钽合金、氮化钛和氧化铟锡中的至少一种；所述第二导电缓冲层的厚度为10-60nm；所述第一铜膜的厚度为10-100nm。所述第二导电缓冲层主要用于提高所述第一铜膜与衬底之间的结合能力，便于后期以较薄的第一铜膜为基础来电镀形成一定厚度的铜电极线图案。此外，所述第二导电缓冲层和第一铜膜的厚度较薄，便于后期在剥离光阻图形及其上的第二导电缓冲层和第一铜膜时，可以尽可能地减少它们的残留量。其中，所述第一缓冲层的厚度为50-1000nm；所述第一缓冲层的材料包括氮化硅、氧化硅和氧化铝中的至少一种。所述第一缓冲层为未导电涂层，一来便于后续仅对间隔设置在第一缓冲层之间的第一铜膜进行电镀，二来，在干法刻蚀形成第一缓冲层时，可以精准地控制所述第一缓冲层的上下表面齐平，无taper尖角，以便间接地控制所述铜电极线图案的形状。其中，所述光阻图形的厚度为1.5-5微米。其中，在所述电极线图案之上还形成有保护层，所述保护层远离衬底的表面距所述衬底的距离等于所述第一缓冲层远离衬底的表面距所述衬底的距离。本专利技术提供的阵列基板上电极线图案的制备方法中，在衬底上依次形成了缓冲膜和光阻图形，干法刻蚀缓冲膜未被所述光阻图形覆盖的部分，在所述光阻图形的下面形成第一缓冲层，而未被光阻图形和第一缓冲层覆盖的衬底部分对应于待形成的电极线图案区域；然后在衬底上依次沉积较薄的第二导电缓冲层和第一铜膜；接着仅对未被光阻图形覆盖的衬底上的第一铜膜进行电镀形成铜电极线图案；通过剥离光阻图形及其上的涂层，得到铜电极线图案。该制备方法中，铜电极线图案是间隔设置在所述第一缓冲层中，其侧边可以得到很好的保护，减少了被氧化的风险。所述铜电极线图案是由电镀工艺制作，避免了现有技术中直接刻蚀金属铜效果差的问题，且所述铜电极线图案的形状可由所述第一缓冲层的干法刻蚀来间接控制，可以精确地得到上下表面齐平、几乎无膜宽缺失的铜电极线图案，减少了铜电极线图案的尖端放电风险，还便于后期在铜电极线图案上制备其他涂层，减少其他涂层爬坡短线的风险。本专利技术实施例第二方面提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底，以及设置在所述衬底上的第一缓冲层、第二导电缓冲层、第一铜膜和电极线图案；其中，所述第二导电缓冲层、第一铜膜与所述电极线图案依次层叠设置在所述衬底上未被所述第一缓冲层覆盖的部分，且所述电极线图案的上表面与所述第一缓冲层的上表面齐平；所述电极线图案的材质为金属铜；所述电极线图案为栅极线和/或栅极，或者为数据线和/或源漏极。本专利技术提供的阵列基板中，所述电极线图案是间隔设置在所述第一缓冲层中，其侧边可以得到很好的保护，减少了被氧化的风险。所述电极线图案的上下表面均较平整且上下表面齐平，减少了其尖端放电的风险，也便于后期在此基础上制备其他涂层，减少其他涂层爬坡短线的风险。本专利技术第三方面提供了一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，以及夹持在所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶层，其中，所述阵列基板如本专利技术第一方面所述的制备方法制得或者如本专利技术第二方面所述。本专利技术的优点将会在下面的说明书中部分阐明，一部分根据说明书是显而易见的，或者可以通过本专利技术实施例的实施而获知。附图说明图1为现有技术中刻蚀铜膜前后的示意图，100为衬底，200为铜膜，200’为刻蚀后的铜膜，300为光阻；图2为本专利技术实施例提供的阵列基板上电极线图案的制备方法的流程图；图3为步骤S10中形成有缓冲膜的衬底的示意图；图4为步骤S20中形成有光阻图形的衬底结构示意图；图5为步骤S30中形成有第一缓冲层和光阻图形的衬底结构示意图；图6为步骤S40中形成有第二导电缓冲层和第一铜膜的衬底结构示意图；图7为图6中的俯视图；图8为在图6的基础上经步骤S50形成电极线图案的衬底剖视示意图；图9为在图8的基础上剥离掉光阻图形及其上涂层后的阵列基板结构示意图；图10为形成铜栅极和栅极线后的平面图；图11为本专利技术另一实施方式中阵列基板的结构示意图。附图标记：1-衬底；2-缓冲膜；2’-第一缓冲层；3-光阻图形；4-第二导电缓冲层；5-第一铜膜；6-电极线图案，7为保护层；51为未被光阻图形3覆盖的衬底1上的第一铜膜部分。具体实施方式以下所述是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板上电极线图案的制备方法，其特征在于，包括：

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板上电极线图案的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上沉积形成缓冲膜；通过构图工艺在形成有所述缓冲膜的衬底上形成光阻图形；其中，未被所述光阻图形覆盖的衬底部分对应于待形成的电极线图案区域；采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述缓冲膜未被所述光阻图形覆盖的部分，在所述光阻图形之下形成第一缓冲层；在形成有所述第一缓冲层和所述光阻图形的衬底上依次沉积形成第二导电缓冲层和第一铜膜；采用电镀工艺在未被所述光阻图形覆盖的所述衬底上的第一铜膜上形成电极线图案，其中，所述电极线图案的材质为金属铜；所述电极线图案为栅极线和/或栅极，或者为数据线和/或源漏极；剥离所述衬底上的光阻图形及所述光阻图形上的所述第二导电缓冲层和第一铜膜，形成间隔设置在所述第一缓冲层中的所述电极线图案。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤“采用电镀工艺在未被所述光阻图形覆盖的所述衬底上的第一铜膜上形成电极线图案”包括：将未被所述光阻图形覆盖的所述衬底上的所述第一铜膜连接至电解池的阴极，将铜靶连接至电解池的阳极，将所述电解池的阴极和阳极之间通过含铜离子的电解液相连，在所述电解池的阴极和阳极之间施加电流，电镀预设时长，得到所述电极线图案。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电极线图案远离衬底的表面距所述衬底的距离等于所述第一缓冲层远离衬底的表面距所述衬底的距离。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二导电缓冲...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志超，夏慧，陈梦，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44