一种阵列基板的制作方法及阵列基板和显示装置制造方法及图纸

一种阵列基板的制作方法及阵列基板，制作方法包括如下步骤：在基板上形成包括源极和漏极的薄膜晶体管；在源极和漏极上形成钝化层；在钝化层上形成与源极和所述漏极对应的第一过孔；在钝化层上形成平坦化层；对平坦化层进行显影曝光处理，在平坦化层上形成第二过孔图案；采用氧气对平坦化层进行灰化处理，在平坦化层上形成第二过孔，第二过孔与第一过孔对齐；采用还原剂对平坦化层进行二次灰化处理。上述阵列基板的制作方法中，通过采用O2和还原剂对含有第二过孔图案的平坦化层进行灰化处理，降低了源极或漏极与阳极电极的搭接电阻，避免了阵列基板的屏幕在使用时出现发热、色彩显示不均及功耗高等不良问题。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制作方法及阵列基板和显示装置
本专利技术涉及平板显示
，特别是涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。
技术介绍
随着平板显示的发展，高分辨率，低能耗的面板需求不断被提出。其中AMOLED(有源矩阵有机发光二极管)面板因其色域广、对比度高、分辨率高、轻薄、功耗低、响应速度快及具有柔韧性等LCD(液晶显示屏)难以做到的优点，得到了市场和行业内的高度关注AMOLED面板的阵列基板包括LTPSTFT(低温多晶硅薄膜晶体管)、钝化层、平坦化层和阳极等，LTPSTFT包括具有高迁移率的多晶硅半导体层和源/漏极，源/漏极与多晶硅半导体层连接，AMOLED阳极通过钝化层过孔和平坦化层灰化实现与源/漏极的搭接，通过向多晶硅半导体层和源/漏极提供电流，进而驱动AMOLED的阳极。然而，在传统的制作阵列基板的过程中，通常采用CF4和O2混合气体对钝化层的进行刻蚀，采用氧气对平坦化层进行灰化，由于源/漏极的表面材质为金属，在钝化层刻蚀和灰化过程中，氧气的存在导致源/漏极表面的金属部分被氧化成金属氧化物，从而导致源/漏极与AMOLED的阳极的搭接电阻偏大，进而导致含有上述方法制作的阵列基板的屏幕在使用时出现发热、色彩显示不均及功耗高等不良问题，其中，搭接电阻为源/漏极与AMOLED的阳极接触时产生的电阻。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种降低阳极与源/漏极之间的接触电阻的阵列基板的制作法及阵列基板和显示装置。一种阵列基板的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成包括源极和漏极的薄膜晶体管；在源极和漏极上形成钝化层；在所述钝化层上形成与所述源极和所述漏极对应的第一过孔；在所述钝化层上形成平坦化层；对所述平坦化层进行显影曝光处理，在所述平坦化层上形成第二过孔图案；采用氧气对所述平坦化层进行灰化处理，在所述平坦化层上形成第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔对齐；采用还原剂对所述平坦化层进行二次灰化处理。在其中一个实施例中，所述还原剂包括氢气。在其中一个实施例中，所述氢气的温度为90℃。在其中一个实施例中，所述平坦化层的材质为有机绝缘材料。在其中一个实施例中，所述平坦化层的厚度为1.8μm～3.2μm。在其中一个实施例中，所述对所述平坦化层进行显影曝光显影处理，在所述平坦化层上形成第二过孔图案之后，还包括如下步骤：在250℃～350℃温度范围内，对所述平坦化层进行高温静置。在其中一个实施例中，所述源极和所述漏极均包括相互叠置的钛层、铝层以及钼层。在其中一个实施例中，所述源极和所述漏极均包括相互叠置的钛层、铝层以及铬层。一种阵列基板，采用上述任一项所述阵列基板的制作方法制作得到。一种显示装置，包括有机电致发光器件以及所述阵列基板，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及发光层，所述发光层位于所述阳极和所述阴极之间，所述有机电致发光器件的阳极与所述阵列基板的源/漏极连接。上述阵列基板的制作方法及其阵列基板，在阵列基板的制作方法中，通过采用O2和还原剂对含有第二过孔图案的平坦化层进行灰化处理，去除黄光曝光及显影工艺后残留的平坦化层材质，较好地避免了源极或漏极表面的金属部分在灰化处理过程中被氧化成金属氧化物的情况出现，从而能够较好地避免源极或漏极与阳极电极的搭接电阻偏大，导致含有上述方法制作的阵列基板的屏幕在使用时出现发热、色彩显示不均及功耗高等不良问题。附图说明图1为本专利技术一实施方式的阵列基板的制作方法流程示意图图；图2为本专利技术一实施方式的阵列基板的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。例如，一种阵列基板的制作方法，包括：在源极和漏极上形成钝化层；在所述钝化层上形成与所述源极和所述漏极对应的第一过孔；在所述钝化层上形成平坦化层；对所述平坦化层进行显影曝光处理，在所述平坦化层上形成第二过孔图案；采用O2对所述平坦化层进行灰化处理；采用还原剂对所述平坦化层进行二次灰化处理，在所述平坦化层上形成第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔对齐。下面结合附图描述根据本专利技术实施例的阵列基板的制作方法。如图1所示，一实施例的阵列基板的制作方法包括如下步骤：S110：在基板上形成包括源极和漏极的薄膜晶体管。在一个实施例中，所述基板为玻璃基板，玻璃材质的基板可以使得光线直接透射而不存在损失，在所述基板上设置的所述缓冲层便于后续其他层级的形成，避免了其他层级直接形成于所述基板上。S120：在源极和漏极上形成钝化层。在一实施例中，所述钝化层位于所述源极和所述漏极上，所述钝化层用于保护所述源极和所述漏极，即保护薄膜晶体管，避免了薄膜晶体管在后续工艺中被污染。S130：在所述钝化层上形成与所述源极和所述漏极对应的第一过孔。通过显影曝光对所述钝化层进行处理，在所述钝化层上形成第一过孔，得到具有第一过孔的所述钝化层，所述第一过孔用于暴露源极或漏极，换言之，所述第一过孔的位置对应于源极的位置或漏极的位置。S140：在所述钝化层上形成平坦化层。在一实施例中，在钝化层背向薄膜晶体管的一面涂布一层平坦化层，平坦化层用于减少阵列基板在远离薄膜晶体管的侧面的凹凸，使得阵列基板在远离薄膜晶体管的侧面变得平坦，利于后续步骤中在阵列基板上设置阳极电极。又如，涂布的方法包括狭缝涂布、旋涂和丝印中的任意一种，在此不进行限制。S150：对所述平坦化层进行显影曝光处理，在所述平坦化层上形成第二过孔图案。在一实施例中，利用掩膜板对平坦化层进行显影曝光处理，使得平坦化层对应于第一过孔的位置变性，通过显影将变性部分的平坦化层去除掉，得到含有第二过孔图案的平坦化层。例如，所述第二过孔图案包括第二过孔的形状，且第二过孔图案的位置与第一过孔的位置对齐，换言之，第二过孔图案中的过孔形状以及的位置对应于第一过孔的形状以及位置。S160：采用氧气对所述平坦化层进行灰化处理，在所述平坦化层上形成第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔对齐。采用氧气对平坦化层进行灰化处理，即对含有第二过孔的所述平坦化层进行灰化处理，去除显影曝光及显影工艺后残留的平坦化层材质，得到含有第二过孔的平坦化层，第二过孔与第一过孔对齐且连通，使得源极或漏极能够通过第一过孔及第二过孔露置于外，进而使得后续步骤中形成的阳极电极能够通过第二过孔及第一过孔与源极或漏极接触。S170：采用还原剂对所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上形成包括源极和漏极的薄膜晶体管；在源极和漏极上形成钝化层；在所述钝化层上形成与所述源极和所述漏极对应的第一过孔；在所述钝化层上形成平坦化层；对所述平坦化层进行显影曝光处理，在所述平坦化层上形成第二过孔图案；采用氧气对所述平坦化层进行灰化处理，在所述平坦化层上形成第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔对齐；采用还原剂对所述平坦化层进行二次灰化处理。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上形成包括源极和漏极的薄膜晶体管；在源极和漏极上形成钝化层；在所述钝化层上形成与所述源极和所述漏极对应的第一过孔；在所述钝化层上形成平坦化层；对所述平坦化层进行显影曝光处理，在所述平坦化层上形成第二过孔图案；采用氧气对所述平坦化层进行灰化处理，在所述平坦化层上形成第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔对齐；采用还原剂对所述平坦化层进行二次灰化处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述还原剂包括氢气。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氢气的温度为90℃。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述平坦化层的材质为有机绝缘材料。5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述平坦化层的厚度为1.8μm～3.2μm。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗浩，张毅先，任思雨，苏君海，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44