多晶硅锭铸锭炉内腔结构制造技术

本实用新型专利技术属于多晶硅生产技术领域。一种多晶硅锭铸锭炉内腔结构，包括壳体；保温腔室，所述保温腔室包括侧保温板和顶保温板，所述侧保温板和顶保温板上均独立设置有升降组件，且侧保温板与顶保温板之间相对密封滑动配合；侧加热器、顶加热器、以及坩埚，所述坩埚包括坩埚本体、开设在坩埚本体侧壁上的楔形槽、和匹配设置在楔形槽内的碳纤维保温条；所述侧加热器和顶加热器外侧均设置有热辐射反射板，在侧保温板内壁和顶保温板的外侧边均设置有耐磨层。本实用新型专利技术能够有效的防止产生的石墨粉对热场造成的影响，同时能够有效的增加热利用率，降低热量的散失，并促使多晶硅的长晶质量得到提升。 1

Inner cavity structure of polysilicon ingot casting ingot furnace

The utility model belongs to the polysilicon production technology field. The internal cavity structure of the polycrystalline silicon ingot casting ingot furnace consists of a shell, a heat preservation chamber, which includes a side insulation board and a top insulation board. The side insulation board and the top insulation board are independently provided with lifting components, and the side insulation board and the top insulation board are relatively sealed and sliding, and the side heaters, top heaters, and Crucis are used. The crucible comprises a crucible body, a wedge groove opened on the side wall of the crucible and a carbon fiber insulation bar matched in a wedge groove, and a heat radiation reflector is provided on the side heater and the outside of the top heater, and a wear-resistant layer is arranged on the outer side of the inner wall of the side insulation board and the top insulation board. The utility model can effectively prevent the effect of the produced graphite powder on the heat field, at the same time, it can effectively increase the heat utilization rate, reduce the loss of heat and promote the long crystal quality of the polysilicon. One

【技术实现步骤摘要】
多晶硅锭铸锭炉内腔结构
本技术属于多晶硅生产
，具体涉及一种多晶硅锭铸锭炉内腔结构。
技术介绍
铸造多晶硅内部存在大量的晶界，洁净的晶界呈非电活性，对少数载流子寿命并无影响或只有微小影响，而杂质的偏聚或沉淀会改变晶界的电活性，会显著降低少数载流子寿命，晶界越多，影响越大；但是研究表明，如果晶界垂直于器件表面，则晶界对材料电化学性能几乎没有影响，所以提高晶粒大小、改善长晶方向是提高多晶硅铸锭品质的有效方法。多晶硅铸锭炉是一种硅的定向凝固设备、其功能是将多晶硅按照设定工艺经过熔化、定向结晶、退火、冷却几个阶段后成为有一定晶体生长方向的多晶硅锭。多晶硅铸锭过程所需环境即为多晶铸锭炉热场。通过合理的设计热场中加热器的功率分布，隔热材料的位置、厚度分布，可以改变最终多晶硅锭的晶体生长方向。由于热场的结构设计不合理，很容易造成粉尘的堆积，进而对热场造成影响，此外，由于侧加热器和顶加热器的辐射热在两侧相同，导致壳体温度居高不下，并且造成了热量的浪费。
技术实现思路
本技术的目的是针对上述存在的问题和不足，提供一种能够有效提高热场的热能利用率，并且在长晶过程中有效的调控多晶硅的温度曲线的多晶硅锭铸锭炉内腔结构。为达到上述目的，所采取的技术方案是：一种多晶硅锭铸锭炉内腔结构，包括壳体；保温腔室，所述保温腔室包括侧保温板和顶保温板，所述侧保温板和顶保温板上均独立设置有升降组件，且侧保温板与顶保温板之间相对密封滑动配合；侧加热器和顶加热器，所述侧加热器和顶加热器分别对应设置在侧保温板和顶保温板内侧；以及坩埚，所述坩埚包括坩埚本体、开设在坩埚本体侧壁上的楔形槽、和匹配设置在楔形槽内的碳纤维保温条；所述侧加热器和顶加热器外侧均设置有热辐射反射板，在侧保温板内壁和顶保温板的外侧边均设置有耐磨层。所述耐磨层为石墨纸，所述石墨纸经高碳磷片处理，并经高温膨胀压制而成。所述侧加热器呈S型设置，相邻两侧加热器之间通过直角板连接，所述顶加热器呈曲线盘设。所述顶保温板上设置有导气管，与所述顶加热器对应的热辐射反射板上设置有通气孔。采用上述技术方案，所取得的有益效果是：本技术结构设计合理，其通过设置耐磨层能够有效的防止在进行多晶硅长晶过程中，顶保温板和侧保温板的相对运动产生的石墨粉，对热场造成的影响，同时，通过设置热辐射反射板，能够有效的增加热利用率，降低热量的散失，同时降低了对壳体的降温所消耗的能耗，通过碳纤维保温条的设置，使得其能够合理调整坩埚的温度分布曲线，促使多晶硅的长晶质量得到提升。附图说明图1为本技术的结构示意图。图2为热辐射反射板的布置结构示意图。图中序号：100为壳体、101为导气管、200为顶保温板、300为侧保温板、400为侧加热器、401为直角板、500为顶加热器、600为坩埚本体、700为碳纤维保温条、800为热辐射反射板、900为耐磨层。具体实施方式以下结合附图对本技术的具体实施方式做详细说明。参见图1和图2，本技术一种多晶硅锭铸锭炉内腔结构，包括壳体100；保温腔室，所述保温腔室包括侧保温板300和顶保温板200，所述侧保温板300和顶保温板200上均独立设置有升降组件，且侧保温板300与顶保温板200之间相对密封滑动配合；侧加热器400和顶加热器500，所述侧加热器400和顶加热器500分别对应设置在侧保温板300和顶保温板200内侧；以及坩埚，所述坩埚包括坩埚本体600、开设在坩埚本体侧壁上的楔形槽、和匹配设置在楔形槽内的碳纤维保温条700；所述侧加热器和顶加热器外侧均设置有热辐射反射板800，在侧保温板内壁和顶保温板的外侧边均设置有耐磨层900。所述耐磨层900为石墨纸，所述石墨纸经高碳磷片处理，并经高温膨胀压制而成，侧加热器呈S型设置，相邻两侧加热器之间通过直角板401连接，所述顶加热器呈曲线盘设，顶保温板上设置有导气管101，与所述顶加热器对应的热辐射反射板800上设置有通气孔。本技术结构设计合理，其通过设置耐磨层能够有效的防止在进行多晶硅长晶过程中，顶保温板和侧保温板的相对运动产生的石墨粉，对热场造成的影响，同时，通过设置热辐射反射板，能够有效的增加热利用率，降低热量的散失，同时降低了对壳体的降温所消耗的能耗，通过碳纤维保温条的设置，使得其能够合理调整坩埚的温度分布曲线，促使多晶硅的长晶质量得到提升。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术的范围内。本专利技术要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅锭铸锭炉内腔结构，其特征在于，包括：

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅锭铸锭炉内腔结构，其特征在于，包括：壳体；保温腔室，所述保温腔室包括侧保温板和顶保温板，所述侧保温板和顶保温板上均独立设置有升降组件，且侧保温板与顶保温板之间相对密封滑动配合；侧加热器和顶加热器，所述侧加热器和顶加热器分别对应设置在侧保温板和顶保温板内侧；以及坩埚，所述坩埚包括坩埚本体、开设在坩埚本体侧壁上的楔形槽、和匹配设置在楔形槽内的碳纤维保温条；所述侧加热器和顶加热器外侧均设置有热辐射反射板，在侧保温板内壁和...

【专利技术属性】
技术研发人员：房灵辉，王岩，
申请(专利权)人：河南省博宇新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：河南,41