一种片式层压电子元件，包括：陶瓷本体，包括内电极和电介质层；外电极，覆盖陶瓷本体沿长度方向的两个端部；活性层，以相对的方式设置有内电极，并且该活性层具有插入内电极之间的电介质层，以形成电容；以及上覆盖层和下覆盖层，上覆盖层和下覆盖层形成在活性层沿厚度方向的上部和下部，下覆盖层的厚度大于上覆盖层的厚度；其中，当陶瓷本体的总厚度的一半定义为A、下覆盖层的厚度定义为B、活性层的总厚度的一半定义为C、以及上覆盖层的厚度定义为D时，满足D≥4μm和1.063≤(B+C)/A≤1.745，并且上覆盖层或下覆盖层包括识别部，识别部因其亮度或颜色的差异而区分陶瓷本体的上部和下部。
【技术实现步骤摘要】
片式层压电子元件、用于安装该元件的板件及其封装单元相关申请的交叉引用本申请要求于2012年7月20日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2012-0079529的韩国专利申请和于2012年11月5日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2012-0124200的韩国专利申请的优先权，在此通过引用将这两个申请的全部内容并入本申请中。
本专利技术涉及一种用于降低由片式层压电子元件所产生的噪声的片式层压电子元件、用于安装该元件的板件及其封装单元。
技术介绍
多层电容器是一种片式层压电子元件，其包括在多个电介质层之间形成的内电极。当直流或者交流电压施加至多层电容器(该多层电容器具有与电介质层重叠的内电极，该电介质层插入内电极之间)时，在内电极之间会产生压电效应，从而产生振动。随着电介质层的介电常数的升高以及以相同电容为基准基片的尺寸的增大，所产生的振动变得更为强烈。所产生的振动从多层电容器的外电极转移至安装该多层电容器的印刷电路板(PCB)上。这里，印刷电路板振动产生噪声。当由于印刷电路板的振动而产生的杂音的频率处于成音频率内时，相应的振动声音会使用户感到不适，该声音被称为噪声。为了降低噪声，本专利技术的专利技术者已经对多层电容器内的内电极相对于印刷电路板的安装方向进行了研究。作为研究结果，已经认识到，与将多层电容器在印刷电路板上的方向安装为使得多层电容器的内电极与印刷电路板相垂直的情况相比，将多层电容器在印刷电路板上安装为使得多层电容器的内电极与印刷电路板具有水平的方向性可以降低噪声。然而，即使在将多层电容器在印刷电路板上安装为使得多层电容器的内电极与印刷电路板水平的情况下，仍可以测量到并确定噪声处于一定的或更高的程度，所以进一步降低噪声值得研究。下述专利文件1公开了内电极安装成相对于印刷电路板具有水平的方向，但是该专利文件1具有减小信号线之间的间距(pitch)以降低高频噪声的技术特征。同时，专利文件2和专利文件3公开了多层电容器中的上覆盖层和下覆盖层的不同厚度。然而，这些文件没有提出任何增加或降低噪声的启示或解决方案。此外，这些文件完全没有公开或预示为了降低噪声而在本专利技术的权利要求和实施方式中提到的活性层的中心部偏离片式层压电容器的中心部的程度、上覆盖层和下覆盖层之间的比值、下覆盖层与陶瓷本体的厚度之间的比值、以及下覆盖层与活性层的厚度之间的比值等。【现有技术文献】(专利文献1)日本专利公开号1994-268464(专利文献2)日本专利公开号1994-215978(专利文献3)日本专利公开号1996-130160
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供一种多层电容器作为片式层压电容器，该多层电容器中下覆盖层的厚度大于上覆盖层的厚度，并且活性层的中心部设置成在一定范围内从陶瓷本体的中心部偏离。本专利技术的另一个方面提供一种多层电容器，当从外部观察时，因包括在上覆盖层或者下覆盖层内的识别部的亮度和颜色的差异，而将该多层电容器中的上覆盖层和下覆盖层彼此区分。本专利技术的另一个方面提供一种用于安装片式层压电子元件的板件，在该板件上，片式层压电子元件安装成使得该片式层压电子元件内的内电极水平于印刷电路板并且下覆盖层邻接于印刷电路板，从而降低噪声。本专利技术的另一个方面提供一种片式层压电子元件的封装单元，在该封装单元中片式层压电子元件的内电极水平设置，并且以封装片的容纳部的下表面为基准定位。根据本专利技术的一个方面，提供了一种片式层压电子元件，该片式层压电子元件包括：陶瓷本体，该陶瓷本体包括内电极和电介质层；外电极，该外电极形成为覆盖所述陶瓷本体沿长度方向的两个端部；活性层，该活性层中以相对的方式设置有所述内电极，并且该活性层具有插入所述内电极之间的所述电介质层，以形成电容；以及上覆盖层和下覆盖层，该上覆盖层和下覆盖层形成在所述活性层沿厚度方向的上部和下部，所述下覆盖层的厚度大于所述上覆盖层的厚度；其中，当所述陶瓷本体的总厚度的一半定义为A、所述下覆盖层的厚度定义为B、所述活性层的总厚度的一半定义为C、以及所述上覆盖层的厚度定义为D时，所述上覆盖层的厚度满足D≥4μm的范围，并且所述活性层的中心部偏离所述陶瓷本体的中心部的比值(B+C)/A满足1.063≤(B+C)/A≤1.745的范围，所述上覆盖层或者下覆盖层中的任意一者包括识别部，该识别部因其亮度或者颜色的差异而区分所述陶瓷本体的上部和下部。所述上覆盖层的厚度与所述下覆盖层的厚度的比值(D/B)可以满足0.021≤D/B≤0.422。所述下覆盖层的厚度与所述陶瓷本体的厚度的一半的比值(B/A)可以满足0.329≤B/A≤1.522。所述活性层的厚度的一半与所述下覆盖层的厚度的比值(C/B)满足0.146≤C/B≤2.458。所述识别部可以包括电介质层，该电介质层包括从镍(Ni)、锰(Mn)、铬(Cr)和钒(V)中选取的至少一种金属。所述识别部可以形成为激光标记。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种片式层压电子元件，该片式层压电子元件包括：外电极，该外电极形成在具有六面体形状的陶瓷本体的沿长度方向的两个端部；活性层，该活性层形成在所述陶瓷本体内，并且包括彼此相对地设置的多个内电极，所述活性层具有插入所述多个内电极之间的电介质层，以形成电容；上覆盖层，该上覆盖层形成在所述活性层的最上部的内电极的上部；以及下覆盖层，该下覆盖层形成在所述活性层的最下部的内电极的下部，并且该下覆盖层的厚度大于所述上覆盖层的厚度；其中，当施加电压时，由于所述活性层的中心部中所产生的应变与所述下覆盖层中所产生的应变的不同，在所述陶瓷本体的沿长度方向的端部形成变形拐点PI，该变形拐点PI在厚度方向上低于所述陶瓷本体的中心部，当所述陶瓷本体的总厚度的一半定义为A、所述下覆盖层的厚度定义为B、所述活性层的总厚度的一半定义为C时，所述活性层的中心部偏离所述陶瓷本体的中心部的比值(B+C)/A满足1.063≤(B+C)/A≤1.745的范围，以及所述上覆盖层或者下覆盖层中的任意一者包括识别部，该识别部因其亮度或者颜色的差异而区分所述陶瓷本体的上部和下部。当所述上覆盖层的厚度定义为D时，所述上覆盖层的厚度与所述下覆盖层的厚度的比值(D/B)可以满足0.021≤D/B≤0.422。所述下覆盖层的厚度与所述陶瓷本体的厚度的一半的比值(B/A)可以满足0.329≤B/A≤1.522。所述活性层的厚度的一半与所述下覆盖层的厚度的比值(C/B)可以满足0.146≤C/B≤2.458。所述识别部可以包括电介质层，该电介质层包括从镍(Ni)、锰(Mn)、铬(Cr)和钒(V)中选取的至少一种金属。所述识别部可以形成为激光标记。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种用于安装片式层压电子元件的板件，该板件包括：上述片式层压电子元件；电极极板，所述电极极板通过焊料与所述外电极电连接；以及印刷电路板，该印刷电路板上形成有所述电极极板，且所述片式层压电子元件安装在所述电极极板上，以使得所述内电极水平，并且所述下覆盖层设置在厚度方向上比所述上覆盖层更下侧的位置。当施加电压时，由于所述活性层的中心部中所产生的应变与所述下覆盖层中所产生的应变的不同，所述陶瓷本体沿所述长度方向的两个端部所形成的变形拐点PI可以形成为低于所述焊料的高度。根据本专利技术的另一个方面，提供本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种片式层压电子元件，所述片式层压电子元件包括：外电极，所述外电极形成在具有六面体形状的陶瓷本体的沿长度方向的两个端部；活性层，所述活性层形成在所述陶瓷本体内，并且包括彼此相对地设置的多个内电极，所述活性层具有插入所述多个内电极之间的电介质层，以形成电容；上覆盖层，所述上覆盖层形成在所述活性层的最上部的内电极的上部；以及下覆盖层，所述下覆盖层形成在所述活性层的最下部的内电极的下部，并且所述下覆盖层的厚度大于所述上覆盖层的厚度；其中，当施加电压时，由于所述活性层的中心部中所产生的应变与所述下覆盖层中所产生的应变的不同，在所述陶瓷本体的沿长度方向的端部形成变形拐点PI，其中，所述变形拐点PI在厚度方向上低于所述陶瓷本体的中心部，其中，所述变形拐点PI为所述陶瓷本体的沿长度方向的端表面的在厚度方向上的膨胀区域与收缩区域之间的交叉点，当所述陶瓷本体的总厚度的一半定义为A、所述下覆盖层的厚度定义为B、所述活性层的总厚度的一半定义为C时，所述活性层的中心部偏离所述陶瓷本体的中心部的比值(B+C)/A满足1.063≤(B+C)/A≤1.745的范围，以及所述上覆盖层和下覆盖层中的任意一者包括识别部，所述识别部因其亮度或者颜色的差异而区分所述陶瓷本体的上部和下部。...
【技术特征摘要】
2012.07.20 KR 10-2012-0079529;2012.11.05 KR 10-2011.一种片式层压电子元件，所述片式层压电子元件包括：外电极，所述外电极形成在具有六面体形状的陶瓷本体的沿长度方向的两个端部；活性层，所述活性层形成在所述陶瓷本体内，并且包括彼此相对地设置的多个内电极，所述活性层具有插入所述多个内电极之间的电介质层，以形成电容；上覆盖层，所述上覆盖层形成在所述活性层的最上部的内电极的上部；以及下覆盖层，所述下覆盖层形成在所述活性层的最下部的内电极的下部，并且所述下覆盖层的厚度大于所述上覆盖层的厚度；其中，当施加电压时，由于所述活性层的中心部中所产生的应变与所述下覆盖层中所产生的应变的不同，在所述陶瓷本体的沿长度方向的端部形成变形拐点PI，其中，所述变形拐点PI在厚度方向上低于所述陶瓷本体的中心部，其中，所述变形拐点PI为所述陶瓷本体的沿长度方向的端表面的在厚度方向上的膨胀区域与收缩区域之间的交叉点，当所述陶瓷本体的总厚度的一半定义为A、所述下覆盖层的厚度定义为B、所述活性层的总厚度的一半定义为C时，所述活性层的中心部偏离所述陶瓷本体的中心部的比值(B+C)/A满足1.063≤(B+C)/A≤1.745的范围，以及所述上覆盖层和下覆盖层中的任意一者包括识别部，所述识别部因其亮度或者颜色的差异而区分所述陶瓷本体的上部和下部。2.根据权利要求1所述的片式层压电子元件，其中，当所述上覆盖层的厚度定义为D时，所述上覆盖层的厚度与所述下覆盖层的厚度的比值D/B满足0.021≤D/B≤0.422。3.根据权利要求1所述的片式层压电子元件，其中，所述下覆盖层的厚度与所述陶瓷本体的厚度的一半的比值B/A满足0.329≤B/A≤1.522。4.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵沆奎，安永圭，崔才烈，金斗永，尹硕晛，朴知伶，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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