晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，能够容易地将晶片从磨削用保护带转印至另外的粘接带上。在将磨削带(T)粘贴在晶片(W)的正面(Wa)侧之后，一边使切削刀具(12)从磨削带侧切入晶片的外周缘一边使晶片旋转，从而将晶片正面侧的倒角部(Wc)与磨削带一起呈圆形切削去除。然后，在将晶片的磨削带侧保持在磨削装置的卡盘工作台上并对晶片的背面(Wb)进行磨削之后，在晶片的背面上粘贴另外的粘接带(Tp)并将磨削带剥离从而进行转印。在该转印中，将倒角部与磨削带一起切削去除，因此在磨削时和转印时，磨削带不会从晶片的外周缘探出，从而防止磨削带紧贴在粘接带上。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，该晶片在外周缘具有倒角部。
技术介绍
由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等器件的晶片通过切割装置分割成各个器件，并用于各种电子设备。晶片在分割成各个器件之前，对其背面进行磨削而形成为规定的厚度。为了防止在制造过程中产生亏缺或裂纹，在晶片的外周缘实施圆弧状的倒角。因此，当对晶片的背面进行磨削而使其变薄时，存在下述问题：进行了倒角的面的一部分残留而导致晶片的周缘像刀那样尖锐化，操作变得危险，并且容易产生亏缺。因此，提出了在对晶片的背面进行磨削之前从晶片的正面侧将倒角部切削去除的技术(例如，参照专利文献1)。具体而言，使切削刀具从晶片的正面切入外周缘，并且使晶片旋转，从而在外周缘形成圆形的切削槽，由于该切削槽，沿着晶片的外周缘在正面侧形成阶差。这样，通过形成阶差，即使从背面侧对晶片进行磨削，也能够消除在正面侧的外周缘发生尖锐化的部分。专利文献1：日本特开2012-43825号公报在如上述那样去除了倒角部之后，在为了进行背面磨削而在晶片的正面侧粘贴磨削用保护带的情况下，在粘贴了比晶片的正面大的保护带之后，沿着作为阶差外侧的晶片的外周缘将磨削用保护带切断。由于该切断，如图7所示那样磨削用保护带(磨削带)T的外周侧进入晶片W的切削槽Wd、或者粘贴在切削槽Wd的形成面上。在该情况下，当从背面Wb侧对晶片W进行磨削而对圆弧状的倒角部Wc进行磨削时，阶差的内周缘的部分成为晶片W的外周缘，因此如图8所示，成为磨削用保护带T在晶片W的外周缘侧探出的状态。在该状态下，当为了之后的工序而想要在晶片W的背面Wb侧粘贴比晶片W的背面Wb大的DAF带或扩展带等粘接带Tp而进行转印时，存在下述问题：探出的磨削用保护带T紧贴在该粘接层上而无法进行转印。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该点而完成的，其目的之一在于提供一种晶片的加工方法，能够容易地将晶片从磨削用保护带转印至另外的粘接带上。本专利技术的一个方式的晶片的加工方法是在正面上形成有多个器件并且在外周缘具有倒角部的晶片的加工方法，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：磨削用保护带粘贴步骤，在晶片的正面侧粘贴磨削用保护带；修剪步骤，一边使切削刀具从磨削用保护带侧切入晶片的外周缘一边使晶片旋转，从而将磨削用保护带和晶片正面侧的倒角部呈圆形切削去除；磨削步骤，在实施了修剪步骤之后，将磨削用保护带侧保持在磨削装置的卡盘工作台上，对晶片的背面进行磨削；以及转印步骤，在实施了磨削步骤之后，在磨削后的晶片背面粘贴另外的粘接带并将磨削用保护带剥离而进行转印。根据该方法，在粘贴了磨削用保护带之后，利用修剪步骤将该磨削用保护带和晶片正面侧的倒角部一起切削去除。因此，通过修剪步骤中的切削，能够使形成于晶片的阶差的内周缘与磨削用保护带的外周缘一致。由此，在磨削步骤后的转印步骤中，能够避免磨削用保护带从晶片的外周缘探出。其结果是，当在转印步骤中粘贴另外的粘接带时，能够防止磨削用保护带紧贴在粘接带上，能够容易地将磨削用保护带剥离而进行转印。根据本专利技术，在修剪步骤之前粘贴磨削用保护带，然后对磨削用保护带和晶片正面侧的倒角部进行修剪，因此能够容易地将晶片从磨削用保护带转印至另外的粘接带上。附图说明图1是实施方式的磨削用保护带粘贴步骤的说明图。图2是实施方式的修剪步骤的说明图。图3是实施方式的修剪步骤的说明图。图4是实施方式的磨削步骤的说明图。图5是实施方式的磨削步骤的说明图。图6是实施方式的转印步骤的说明图。图7是示出以往方法中的加工方法的中途阶段的说明图。图8是以往方法中的不良情况的说明图。标号说明12：切削刀具；20：磨削装置；22：卡盘工作台；T：磨削带(磨削用保护带)；Tp：粘接带；W：晶片；Wa：正面；Wb：背面；Wc：倒角部。具体实施方式以下，参照附图对本实施方式的晶片的加工方法进行说明。图1示出磨削用保护带粘贴步骤的说明图，图2和图3示出修剪步骤的说明图，图4和图5示出磨削步骤的说明图，图6示出转印步骤的说明图。另外，上述的各图所示的步骤仅为一例，并不限于该结构。如图1所示，首先实施磨削用保护带粘贴步骤，将磨削用保护带T(以下称为磨削带T)粘贴在晶片W的正面Wa上。在晶片W的正面Wa上形成膜层D，在该膜层D上，在由呈格子状的未图示的分割预定线划分的各区域中形成有未图示的器件。另外，在晶片W的外周侧面形成有倒角部Wc，该倒角部Wc呈从正面Wa至背面Wb的圆弧面。磨削用保护带粘贴步骤中，例如从晶片W的外周缘侧向晶片W的正面Wa送出磨削带T，并且使粘贴辊在磨削带T上滚动而将磨削带T粘贴在晶片W的整个正面Wa上。并且，使未图示的切断刃按照沿着作为晶片W的外周缘的倒角部Wc的方式进行移动，将磨削带T切断成与晶片W大致相同的平面形状。然后，按照磨削带T的外侧区域绕至晶片W的倒角部Wc的方式进行粘贴。另外，磨削带T具有层叠于基材片的粘接层，由于在后述的修剪步骤中进行切削去除，因此优选例如使粘接层为5μm厚等比较薄的粘接层。如图2和图3所示，在磨削用保护带粘贴步骤之后，实施修剪步骤。在修剪步骤中，利用切削装置(未图示)的卡盘工作台11对晶片W的背面Wb侧进行吸引保持并使磨削带T朝上。在这样进行了保持的状态下，使切削刀具12从作为晶片W的磨削带T侧的正面Wa侧切入外周缘，并且使卡盘工作台11和保持于卡盘工作台11的晶片W旋转。由此，将磨削带T和晶片W的正面Wa侧的倒角部Wc呈圆形切削去除，从而沿着晶片W的外周缘形成俯视时呈圆形的切削槽Wd。关于切削槽Wd，在其形成区域去除了磨削带T，该切削槽Wd形成至到达晶片W的厚度方向中间为止。如图4和图5所示，在修剪步骤之后，通过磨削装置20实施磨削步骤。在磨削步骤中，使用磨削装置20的磨削单元21对保持于卡盘工作台22的晶片W进行磨削，从而从背面Wb侧将晶片W薄化至完工厚度。卡盘工作台22将上表面作为保持面而对晶片W进行保持，并能够绕旋转轴23的轴进行旋转。磨削单元21具有：主轴24，其具有铅垂方向的轴心；磨削磨轮25，其安装于主轴24的下端；以及磨削磨具26，其呈环状固着于磨削磨轮25的下部。磨削单元21通过电动机(未图示)使主轴24旋转，从而能够使磨削磨轮25以规定的旋转速度旋转。在磨削步骤中，首先如图4所示，将磨削带T侧载置于卡盘工作台22上，并使晶片W的背面Wb朝上露出。然后，利用未图示的吸引源的动作，通过卡盘工作台22隔着磨削带T对晶片W进行吸引保持，并且使卡盘工作台22绕旋转轴23的轴旋转。接着，一边使磨削单元21的磨削磨轮25旋转一边使磨削单元21向接近晶片W的背面Wb的方向下降，从而使旋转的磨削磨具26与背面Wb抵接。并且，一边利用磨削磨具26按压晶片W的背面Wb一边磨削至到达切削槽Wd的深度，从而将晶片W的倒角部Wc全部去除(参照图5)。然后，继续利用磨削磨具26进行磨削直至晶片W薄化至完工厚度为止。如图6所示，在磨削带粘贴步骤之后，实施转印步骤。在转印步骤中，在将晶片W配置于呈环状的框架F的内部之后，送出不同于磨削带T的粘接带Tp并粘贴在晶片W的背面Wb和框架F上。由此，晶片W借助粘接带Tp而支承于框架F的内侧。关于该粘贴，例如使粘贴辊在粘接带Tp上滚动，从而将粘接带Tp粘贴在作为晶片W的磨削面的整个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，该晶片在正面上形成有多个器件，在外周缘具有倒角部，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：磨削用保护带粘贴步骤，在晶片的正面侧粘贴磨削用保护带；修剪步骤，一边使切削刀具从该磨削用保护带侧切入晶片的外周缘一边使晶片旋转，从而将该磨削用保护带和晶片正面侧的倒角部呈圆形切削去除；磨削步骤，在实施了该修剪步骤之后，将该磨削用保护带侧保持在磨削装置的卡盘工作台上，对晶片的背面进行磨削；以及转印步骤，在实施了该磨削步骤之后，在该磨削后的晶片背面上粘贴另外的粘接带并将该磨削用保护带剥离而进行转印。

【技术特征摘要】
2016.11.30 JP 2016-2323721.一种晶片的加工方法，该晶片在正面上形成有多个器件，在外周缘具有倒角部，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：磨削用保护带粘贴步骤，在晶片的正面侧粘贴磨削用保护带；修剪步骤，一边使切削刀具从该磨削用保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：小清水秀辉，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP