静态随机存取存储器及其制造方法技术

本公开涉及静态随机存取存储器及其制造方法。一种制造静态随机存取存储器的方法，其特征在于，包括：在基底上形成图案化的第一栅极部分，使得相邻的第一栅极部分之间具有第一间隔区域；在所述第一栅极部分之上以及所述第一间隔区域中沉积栅极材料；以及对所述栅极材料进行选择性刻蚀，从而形成第二栅极部分，其中所述栅极材料的一部分从所述第一间隔区域中去除，从而在所述第一栅极部分与所述第二栅极部分之间形成第二间隔区域，其中所述第一间隔区域的尺寸大于所述第二间隔区域的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
静态随机存取存储器及其制造方法
本公开涉及静态随机存取存储器及其制造方法。
技术介绍
从上个世纪50年代开始，以电子计算机为代表的半导体技术产品快速发展和更新，按照摩尔定律，大约每24个月芯片上集成元件的数量就翻一番。半导体器件的密度和性能都在持续的增长。半导体技术的发展提高了生产力，改善了人们生活。
技术实现思路
根据本公开的第一方面，提供了一种制造静态随机存取存储器的方法，包括：在基底上形成图案化的第一栅极部分，使得相邻的第一栅极部分之间具有第一间隔区域；在所述第一栅极部分之上以及所述第一间隔区域中沉积栅极材料；以及对所述栅极材料进行选择性刻蚀，从而形成第二栅极部分，其中所述栅极材料的一部分从所述第一间隔区域中去除，从而在所述第一栅极部分与所述第二栅极部分之间形成第二间隔区域，其中所述第一间隔区域的尺寸大于所述第二间隔区域的尺寸。根据本公开的第二方面，提供了根据上述方法制造的静态随机存取存储器。通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：图1示出了根据本公开的一个实施例的静态随机存取存储器的布局图。图2是根据本公开的一个实施例的制造静态随机存取存储器的方法的流程图。图3a-图3f示出了根据本公开的一个实施例的制造静态随机存取存储器的栅极线的示意图。注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的专利技术并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。随着半导体技术和集成电路制造工艺的发展，要求单位晶体管制造成本的不断降低和晶体管性能的不断提高。为了满足该要求，人们设法降低半导体器件的几何尺寸。随着几何尺寸的降低，能够增加单位面积上的器件数目，从而降低芯片成本。此外，几何尺寸的降低还能够提高器件的电学性能，比如功耗、速度等。图1示出了根据本公开的一个实施例的静态随机存取存储器(StaticRandomAccessMemory,SRAM)的布局图。如图1所示，在基板上具有图案化的有源区AA以及位于有源区AA之上的栅极线GC。对于SRAM而言，为了提高存储单元的密度，必须设法减小栅极线GC之间的距离D。图2是根据本公开的一个实施例的制造SRAM的方法的流程图。如图所示，该方法主要包括以下步骤：在基底上形成图案化的第一栅极部分，使得相邻的第一栅极部分之间具有第一间隔区域(步骤201)；在所述第一栅极部分之上以及所述第一间隔区域中沉积栅极材料(步骤202)；以及对所述栅极材料进行选择性刻蚀，从而形成第二栅极部分(步骤203)。其中所述栅极材料的一部分从所述第一间隔区域中去除，从而在所述第一栅极部分与所述第二栅极部分之间形成第二间隔区域，其中所述第一间隔区域的尺寸大于所述第二间隔区域的尺寸。下面以图1所示的SRAM为例具体描述和解释采用上述制造SRAM的方法制造栅极线GC的过程。图3a-图3f示出了根据本公开的一个实施例的制造SRAM的栅极线的示意图。其中，图3a-图3e是图1中SRAM的沿虚线BB’的剖面的示意图。首先，在基底1上沉积一层栅极材料2。这里，栅极材料2可以是半导体材料(例如多晶硅等)或金属材料(例如Al、Au、Ag、Cu等)如图3a所示，在基底1中可以已经形成有SRAM的一些结构，例如浅沟槽隔离(ShallowTrenchIsolation,STI)3、有源区6等。在此基础上，通过例如化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)或物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)等方式在基底1上均匀地沉积一层栅极材料2，使得整个基底表面都被该栅极材料2覆盖。然后，对沉积的栅极材料2进行图案化处理，从而形成第一栅极部分8(步骤201)，使得相邻的第一栅极部分8之间的间隔区域(即第一间隔区域)的尺寸(宽度)为D1。如图3b所示，在根据本公开的一个实施例中，为了对栅极材料2进行图案化处理，可以利用光刻技术在栅极材料2上形成图案化的光刻胶掩膜4。借助光刻胶掩膜4，可以对栅极材料2进行刻蚀。例如，图案化的光刻胶掩膜4暴露出栅极材料2的选定区域，使用等离子对这些选定区域进行刻蚀，去除选定区域的栅极材料2。然后，剥离光刻胶掩膜4。如图3c所示，经过上述刻蚀处理，在基底1上形成了图案化的栅极材料2(即第一栅极部分8)。相邻的第一栅极部分8之间的间隔区域的尺寸为D1。接下来，在基底1上再沉积一层栅极材料5(步骤202)。如图3d所示，栅极材料5覆盖了图案化的第一栅极部分8以及第一栅极部分8之间的间隔区域。与栅极材料2的形成方式类似，栅极材料5也可以采用化学气相沉积或物理气相沉积等方式形成。接下来，在栅极材料5上形成图案化的掩膜7。如图3e所示，在根据本公开的一个实施例中，该图案化的掩膜7暴露出的区域不同于图3b中的掩膜4暴露出的区域。例如，掩膜7的图案可以相对于掩膜4的图案具有一定偏移。这样，第一栅极部分8之间的间隔区域(第一间隔区域)的一部分被掩膜7覆盖。在根据本公开的一个实施例中，图案化的掩膜7可以为例如光刻胶掩膜。例如，可以先在栅极材料5上涂覆一层光刻胶，然后通过光刻技术形成对光刻胶层进行曝光、显影等处理，形成图案化的掩膜7。接下来，利用图案化的掩膜7对栅极材料5进行选择性刻蚀，去除从掩膜7暴露出来的栅极材料5，从而形成第二栅极部分9(步骤203)。如图3f所示，在根据本公开的一个实施例中，剩余的栅极材料5(即第二栅极部分9)之间的间隔为D3，栅极材料5的被刻蚀掉的部分中，一部分位于第一栅极部分8之间的第一间隔区域内，并且在第一间隔区域内仍然保留有一部分栅极材料5。这样，第一间隔区域内的栅极材料5和相对的栅极材料2(即第二栅极部分9和第一栅极部分8)之间的间隔区域构成了第二间隔区域，该第二间隔区域的尺寸(宽度)为D2。显然，考虑到第二栅极部分9的一部分位于第一间隔区域内，所以第二间隔区域的尺寸D2小于第一间隔区域的尺寸D1。通常，光刻技术的分辨率存在理论极限，即最小尺寸(CriticalDimension,CD)，通常对应最小能够分辨的空间周期的线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造静态随机存取存储器的方法，其特征在于，包括：在基底上形成图案化的第一栅极部分，使得相邻的第一栅极部分之间具有第一间隔区域；在所述第一栅极部分之上以及所述第一间隔区域中沉积栅极材料；以及对所述栅极材料进行选择性刻蚀，从而形成第二栅极部分，其中所述栅极材料的一部分从所述第一间隔区域中去除，从而在所述第一栅极部分与所述第二栅极部分之间形成第二间隔区域，其中所述第一间隔区域的尺寸大于所述第二间隔区域的尺寸。

【技术特征摘要】
1.一种制造静态随机存取存储器的方法，其特征在于，包括：在基底上形成图案化的第一栅极部分，使得相邻的第一栅极部分之间具有第一间隔区域；在所述第一栅极部分之上以及所述第一间隔区域中沉积栅极材料；以及对所述栅极材料进行选择性刻蚀，从而形成第二栅极部分，其中所述栅极材料的一部分从所述第一间隔区域中去除，从而在所述第一栅极部分与所述第二栅极部分之间形成第二间隔区域，其中所述第一间隔区域的尺寸大于所述第二间隔区域的尺寸。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基底上形成图案化的第一栅极部分的步骤包括：在所述基底上沉积一层栅极材料；以及利用图案化的第一掩膜对所述栅极材料进行刻蚀。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对栅极材料进行选择性刻蚀的步骤包括：利用图案化的第二掩膜对栅极材料进行刻蚀，使得所述栅极材料的一部分从所述第一间...

【专利技术属性】
技术研发人员：北村阳介，大石周，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32