具有双阱的金属氧化物半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术提出一种具有双阱的MOS元件及其制造方法。具有双阱的MOS元件包含：半导体基板、作用层、第一导电型阱、第一导电型本体区、第二导电型阱、栅极、第二导电型轻掺杂扩散区、第二导电型源极、第二导电型连接区、以及第二导电型漏极。第二导电型阱邻接于第一导电型阱，且形成位于栅极正下方的PN接面。第二导电型连接区，于纵向上位于栅极之间隔层正下方，且于横向上，连接于第二导电型源极，以避免MOS元件导通操作时，发生通道不导通的状况。第二导电型连接区由具有倾斜角度的加速离子束，穿越间隔层的离子植入工艺步骤所形成。

【技术实现步骤摘要】
具有双阱的金属氧化物半导体元件及其制造方法
本专利技术涉及一种具有双阱的金属氧化物半导体(metaloxidesemiconductor,MOS)元件及其制造方法，特别是指一种可降低导通电阻并提高崩溃防护电压的MOS元件及其制造方法。
技术介绍
图1显示一种典型的金属氧化物半导体(metaloxidesemiconductor,MOS)元件100的剖视示意图。如图1所示，MOS元件100包含：P型基板101、作用层102、P型阱103、隔绝氧化区104、N型轻掺杂扩散(lightlydopeddiffusion,LDD)区105a及105b、N型源极106、N型漏极107、P型本体区108、与栅极111。其中，隔绝氧化区104为区域氧化(localoxidationofsilicon,LOCOS)结构，以定义操作区104a，作为MOS元件100操作时主要的作用区。操作区104a的范围由图1中，粗黑箭头所示意。MOS元件100是NMOS元件，其N型源极106与其同侧的N型LDD区105a连接，另外，N型漏极107与其同侧的N型LDD区105b连接，前述两个连接的区域，完全由P型阱103本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有双阱的金属氧化物半导体MOS元件，其特征在于，包含：一半导体基板，于一纵向上，具有相对的一上表面与一下表面；一作用层，形成于该半导体基板上，于该纵向上，具有相对该上表面的一作用层表面，且该作用层堆栈并连接于该上表面上；一第一导电型阱，形成于该作用层中，且于该纵向上，位于该作用层表面下方；一第一导电型本体区，形成于该作用层中的该第一导电型阱上，且于该纵向上，堆栈并连接于该第一导电型阱与该作用层表面之间；一第二导电型阱，形成于该作用层中，且于该纵向上，位于该作用层表面下方，且于一横向上邻接于该第一导电型阱，且该第二导电型阱与该第一导电型阱形成一PN接面；一栅极，形成于该作用层表面上，于该纵...

【技术特征摘要】
1.一种具有双阱的金属氧化物半导体MOS元件，其特征在于，包含：一半导体基板，于一纵向上，具有相对的一上表面与一下表面；一作用层，形成于该半导体基板上，于该纵向上，具有相对该上表面的一作用层表面，且该作用层堆栈并连接于该上表面上；一第一导电型阱，形成于该作用层中，且于该纵向上，位于该作用层表面下方；一第一导电型本体区，形成于该作用层中的该第一导电型阱上，且于该纵向上，堆栈并连接于该第一导电型阱与该作用层表面之间；一第二导电型阱，形成于该作用层中，且于该纵向上，位于该作用层表面下方，且于一横向上邻接于该第一导电型阱，且该第二导电型阱与该第一导电型阱形成一PN接面；一栅极，形成于该作用层表面上，于该纵向上，该栅极堆栈并连接于该作用层表面上，且该PN接面位于该栅极正下方；一第二导电型轻掺杂扩散LDD区，以自我对准工艺步骤，形成于该第二导电型阱上的该作用层中，且于该纵向上，堆栈并连接于该第二导电型阱与该作用层表面之间；一第二导电型源极，形成于该第一导电型阱上的该作用层中，且于该纵向上，堆栈并连接于该第一导电型阱与该作用层表面之间，且于该横向上，连接于该第一导电型本体区与该第一导电型阱之间；一第二导电型连接区，形成于该第一导电型阱上的该作用层中，且于该纵向上，堆栈并连接于该第一导电型阱与该作用层表面之间并位于该栅极的一间隔层正下方，且于该横向上，连接于该第二导电型源极，以避免该MOS元件导通操作时，发生通道不导通的状况，其中，该第二导电型连接区由对该作用层表面具有一倾斜角度的一加速离子束，穿越该间隔层的一离子植入工艺步骤所形成；以及一第二导电型漏极，形成于该第二导电型阱上的该作用层中，且于该纵向上，堆栈并连接于该第二导电型阱与该作用层表面之间，且于该横向上，与该第二导电型轻掺杂扩散区连接；其中，该PN接面位于该第二导电型连接区与该第二导电型轻掺杂扩散区之间。2.如权利要求1所述的具有双阱的金属氧化物半导体元件，其中，还包含一隔绝氧化区，形成于该作用层上，以定义一操作区，且该第一导电型本体区、该栅极、该第二导电型轻掺杂扩散区、该第二导电型源极、该第二导电型连接区、与该第二导电型漏极位于该操作区中。3.如权利要求2所述的具有双阱的金属氧化物半导体元件，其中，该隔绝氧化区为区域氧化LOCOS结构或浅沟槽绝缘STI结构。4.如权利要求1所述的具有双阱的金属氧化物半导体元件，其中，还包含一第一导电型轻掺杂扩散区，以自我对准工艺步骤，形成于该第一导电型阱上的该作用层中，且于该纵向上，堆栈并连接于该第一导电型阱与该作用层表面之间，且于该横向上，连接于该第二导电型连接区与该第一导电型阱之间。5.如权利要求1所述的具有双阱的金属氧化物半导体元件，其中，还包含一第二导电型埋层，形成于该基板与该作用层中，且位于其接面，并于该纵向上，连接于该第一导电型阱下方。6.一种具有双阱的金属氧化物半...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄宗义，
申请(专利权)人：立锜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71