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本发明提出一种具有双阱的MOS元件及其制造方法。具有双阱的MOS元件包含：半导体基板、作用层、第一导电型阱、第一导电型本体区、第二导电型阱、栅极、第二导电型轻掺杂扩散区、第二导电型源极、第二导电型连接区、以及第二导电型漏极。第二导电型阱邻接...
该专利属于立锜科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过立锜科技股份有限公司授权不得商用。

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