在利用设有防止二次电子等到达被成膜面的磁场的电子束蒸镀而形成金属薄膜时，使所形成的金属薄膜的带电状态处于合适状态。一种通过电子束蒸镀在基板（１）的被成膜面（１ａ）上形成金属薄膜的成膜装置，利用电子束发生器（４）向收容在成膜源（２）内的金属材料（３）照射电子束ＥＢ并使其熔化，所产生的金属蒸气蒸镀在基板（１）的被成膜面（１ａ）上，形成金属薄膜。具有：磁场形成单元（５（磁铁５Ａ、５Ｂ）），在被成膜面（１ａ）和成膜源（２）之间形成与被成膜面（１ａ）平行的磁场Ｍ，以防止由于向成膜源（２）照射电子束（５）而从成膜源（２）朝向被成膜面（１ａ）的负电荷ＥＳ；电荷监视单元（６），监视被成膜面（１ａ）周边的正电荷；电荷调整单元（负电荷产生单元７或磁场调整单元８），根据电荷监视单元（６）的监视结果，调整被成膜面上形成的金属薄膜的电荷状态。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及成膜方法和成膜装置、自发光元件的制造方法和制造装置。
技术介绍
作为在被成膜面上成膜金属材料的方法之一，已经知道有电子束蒸镀法。该电子束蒸镀法与加热蒸镀相比，可以获得较高的成膜速度，所以被应用于有机EL元件等自发光元件的金属电极膜形成中，可以缩短制造时间。图1是说明基于以往的电子束蒸镀的金属薄膜形成的说明图。根据该方法，在真空成膜室内配置基板J1，利用电子束发生器(电子枪)J4向收容在成膜源(坩埚)J2内的金属材料J3照射电子束J5并使其熔化，所产生的金属蒸气蒸镀在基板J1的被成膜面J1a上，形成金属薄膜。在利用这种电子束蒸镀法形成金属薄膜的情况下，向金属材料J3照射电子束J5时，如图1所示，从金属材料J3飞出二次电子J6，飞出的二次电子J6冲击被成膜面J1a，存在损伤被成膜面J1a的问题。并且，产生撞到金属材料J3上的电子束J5未被金属材料J3吸收而反弹的反弹电子，存在该反弹电子冲击被成膜面J1a而损伤被成膜面J1a的问题。例如，在利用前述的电子束蒸镀法形成有机EL元件的金属电极时，有机EL元件在基板上形成透明电极，在其上成膜由包括发光层在内的各种功能层构成的有机层，再在其上成膜金属电极膜，由于具有这种层叠结构，所以在有机层的表面上产生因二次电子或反弹电子造成的损伤，破坏有机层并降低发光效率，或者变成产生泄漏的原因，这些不合适的地方被视为问题。因此，研究防止电子束蒸镀法中的二次电子或反弹电子冲击被成膜面J1a的对策，提出了下述专利文献1记载的现有技术。根据该现有技术，如图1所示，在被成膜面J1a和成膜源J2之间，利用磁铁J7A、J7B形成与被成膜面J1a平行的磁场M，使前述的二次电子J6等的行进方向在该磁场M中折弯，防止它们到达被成膜面J1a。日本特许第3568189号公报根据这种现有技术，可以利用平行于被成膜面J1a而形成的磁场M，避免被成膜面J1a因二次电子J6等而损伤，但另一方面，由于该磁场M，降低了从成膜源J2产生的负电荷(电子或阴离子)到达被成膜面J1a的比率。并且，由于阳离子J8具有较大的惯性，所以几乎不会受到磁场M的影响而到达被成膜面J1a。这样，在利用设有防止二次电子J6等到达被成膜面J1a的磁场M的电子束蒸镀法形成被成膜面J1a时，担心所形成的金属薄膜处于正侧带电的状态。这样，在所形成的金属薄膜处于正侧带电的状态时，认为该静电会给周围带来不良影响，并且在形成了金属电极的情况下，变为因该静电而施加电压的状态，例如在形成有机EL元件的金属电极(阴极)的情况下，由于该正侧带电，使得在有机层之间施加较大的反方向电压，所以有机层有可能产生绝缘被破坏等降低元件功能的情况。
技术实现思路
本专利技术把解决这种问题作为其课题的一例。即，本专利技术的目的在于，在利用设有防止二次电子等到达被成膜面的磁场的电子束蒸镀来形成金属薄膜时，使所形成的金属薄膜的带电状态处于合适状态，并且在利用这种电子束蒸镀形成有机EL元件等自发光元件的金属电极时，使金属电极的带电状态处于合适状态，以将元件的功能降低防患于未然。为了达到上述目的，本专利技术的成膜方法和成膜装置、自发光元件的制造方法和制造装置至少具备以下各独立权利要求的结构。一种成膜方法，通过电子束蒸镀在被成膜面上形成金属薄膜，其特征在于，在所述被成膜面和成膜源之间形成与所述被成膜面平行的磁场，以防止由于对所述成膜源进行的电子束照射而从该成膜源朝向所述被成膜面的负电荷，一面监视所述被成膜面周边的正电荷，一面根据该监视结果调整所述被成膜面上形成的金属薄膜的电荷状态。一种成膜装置，通过电子束蒸镀在被成膜面上形成金属薄膜，其特征在于，具有磁场形成单元，其在所述被成膜面和成膜源之间形成与所述被成膜面平行的磁场，以防止由于对所述成膜源进行的电子束照射而从该成膜源朝向所述被成膜面的负电荷；电荷监视单元，其监视所述被成膜面周边的正电荷；电荷调整单元，其根据该电荷监视单元的监视结果，调整所述被成膜面上形成的金属薄膜的电荷状态。一种自发光元件的制造方法，通过电子束蒸镀在自发光元件的功能层上的被成膜面上形成金属电极膜，其特征在于，在所述被成膜面和成膜源之间形成与所述被成膜面平行的磁场，以防止由于对所述成膜源进行的电子束照射而从该成膜源朝向所述被成膜面的负电荷，一面监视所述被成膜面周边的正电荷，一面根据该监视结果调整所述被成膜面上形成的金属电极膜的电荷状态。一种自发光元件的制造装置，通过电子束蒸镀在自发光元件的功能层上的被成膜面上形成金属电极膜，其特征在于，具有磁场形成单元，其在所述被成膜面和成膜源之间形成与所述被成膜面平行的磁场，以防止由于对所述成膜源进行的电子束照射而从该成膜源朝向所述被成膜面的负电荷；电荷监视单元，其监视所述被成膜面周边的正电荷；电荷调整单元，其根据该电荷监视单元的监视结果，调整所述被成膜面上形成的金属电极膜的电荷状态。附图说明图1是现有技术的说明图。图2是说明本专利技术的实施方式的说明图。具体实施例方式以下，参照附图说明本专利技术的实施方式。图2是说明本专利技术的一个实施方式的成膜方法、成膜装置的说明图。该成膜装置通过电子束蒸镀在基板1的被成膜面1a上形成金属薄膜，利用电子束发生器4向收容在成膜源2内的金属材料3照射电子束EB以使其熔化，所产生的金属蒸气蒸镀在基板1的被成膜面1a上，形成金属薄膜，与现有技术相同，具有磁场形成单元5(磁铁5A、5B)，其在被成膜面1a和成膜源2之间形成与被成膜面1a平行的磁场M，以防止因向成膜源2照射电子束5而从成膜源2朝向被成膜面1a的负电荷ES(二次电子或反弹电子)。并且，该成膜装置除所述磁场形成单元5外，还具有电荷监视单元6，其监视被成膜面1a周边的正电荷；电荷调整单元(负电荷产生单元7或磁场调整单元8)，其根据电荷监视单元6的监视结果，调整被成膜面上形成的金属薄膜的电荷状态。此处所说的电荷监视单元6是使用了检测因附着在金属板上的正电荷而形成的电流的检流计或收集正电荷的法拉第杯等的装置，设置在基板1的附近，用于监视基板周边的正电荷。负电荷产生单元7是利用热电子放出(灯丝)等产生电子、负电荷的装置，设置在与基板1的被成膜面1a相对的方向上。磁场调整单元8是利用磁铁等产生磁场的装置，设置在基板1和成膜源2之间。在使用这种成膜装置的成膜方法中，当通过电子束蒸镀在被成膜面1a上形成金属薄膜时，在被成膜面1a和成膜源2之间形成与被成膜面1a平行的磁场M，以防止由于对成膜源2进行的电子束EB照射而从成膜源2朝向被成膜面1a的负电荷ES，一面监视被成膜面1a周边的正电荷P0，一面根据监视结果调整被成膜面1a上形成的金属薄膜的电荷状态。这样，从成膜源2飞出的二次电子等的行进方向由于磁场形成单元5形成的与被成膜面1a平行的磁场M而折弯，所以能够将成膜初期二次电子等冲击被成膜面1a而损伤被成膜面1a的问题防患于未然。并且，以后，当在被成膜面1a上开始形成金属薄膜时，利用电荷监视单元6逐次监视被成膜面1a周边的正电荷，根据该监视结果调整金属薄膜的电荷状态，所以能够把金属薄膜的电荷状态调整为合适的状态。因此，即使通过磁场形成单元5去除朝向被成膜面1a的负电荷，由此产生成膜于被成膜面1a上的金属薄膜带正电的情况，也能够利用基于电荷监视单元6的输出的电本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种成膜方法，通过电子束蒸镀在被成膜面上形成金属薄膜，其特征在于，在所述被成膜面和成膜源之间形成与所述被成膜面平行的磁场，以防止由于对所述成膜源进行的电子束照射而从该成膜源朝向所述被成膜面的负电荷，一面监视所述被成膜面周边的 正电荷，一面根据该监视结果调整所述被成膜面上形成的金属薄膜的电荷状态。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：丹博树，安喰隆美，
申请(专利权)人：日本东北先锋公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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