柔性AMOLED基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种柔性AMOLED基板及其制作方法。本发明专利技术的柔性AMOLED基板的制作方法包括：形成柔性衬底，所述柔性衬底包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底上形成缓冲层，去除缓冲层上位于弯折区的部分，保留缓冲层上位于显示区的部分，使得柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度减小，提升柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性，从而提高生产良率。本发明专利技术的柔性AMOLED基板采用上述方法制得，所述柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度较小，柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性较好，生产良率高。

【技术实现步骤摘要】
柔性AMOLED基板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种柔性AMOLED基板及其制作方法。
技术介绍
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机电致发光显示器件(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)。OLED显示器件以其自发光、全固态、高对比度等优点，成为近年来最具潜力的新型显示器件。而OLED显示器件最大的特点在于可以实现柔性显示，采用柔性衬底制成重量轻、可弯曲、便于携带的柔性显示器件是OLED显示器件的重要发展方向。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。图1为现有的柔性AMOLED基板的结构示意图，如图1所示，所述柔性AMOLED基板包括柔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，包括：形成柔性衬底(11)，所述柔性衬底(11)包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底(11)上形成缓冲层(12)，去除缓冲层(12)上位于弯折区的部分，保留缓冲层(12)上位于显示区的部分。

【技术特征摘要】
1.一种柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，包括：形成柔性衬底(11)，所述柔性衬底(11)包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底(11)上形成缓冲层(12)，去除缓冲层(12)上位于弯折区的部分，保留缓冲层(12)上位于显示区的部分。2.如权利要求1所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供刚性载板(10)，在所述刚性载板(10)上形成柔性衬底(11)，所述柔性衬底(11)包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底(11)上形成缓冲层(12)，在所述缓冲层(12)上形成多晶硅层(13)；步骤2、采用一道半色调光罩制程同时对多晶硅层(13)与缓冲层(12)进行图形化处理，得到有源层(20)，并且去除缓冲层(12)上位于弯折区的部分，保留缓冲层(12)上位于显示区的部分。3.如权利要求2所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2包括：步骤21、在所述多晶硅层(13)上形成光阻层(15)；提供半色调光罩(30)，所述半色调光罩(30)上设有第一区域(31)、第二区域(32)及除第一区域(31)与第二区域(32)以外的第三区域(33)；所述第一区域(31)对应于有源层预设位置，所述第二区域(32)对应于柔性衬底(11)的弯折区；步骤22、利用所述半色调光罩(30)对所述光阻层(15)进行曝光、显影，使所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第二区域(32)的部分完全显影掉，所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第三区域(33)的部分的厚度降低；步骤23、以所述光阻层(15)为蚀刻阻挡层，对所述多晶硅层(13)与缓冲层(12)进行蚀刻，去除所述多晶硅层(13)与缓冲层(12)对应于柔性衬底(11)的弯折区的部分；步骤24、对所述光阻层(15)进行灰化处理，使所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第三区域(33)的部分完全去除掉，所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第一区域(31)的部分厚度降低；步骤25、以所述光阻层(15)为蚀刻阻挡层，对所述多晶硅层(13)进行蚀刻，得到有源层(20)；步骤26、将剩余的光阻层(15)从有源层(20)上剥离掉。4.如权利要求3所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤21中，所述光阻层(15)的材料为正性光阻，所述第二区域(32)的透光率大于所述第三区域(33)的透光率，所述第三区域(33)的透光率大于所述第一区域(31)的透光率。5.如权利要求3所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤21中，所述光阻层(15)的材料为负性光阻，所述第一区域(31)的透光率大于所述第三区域(33)的透光率，所述第三区域(33)的透光率大于所述第二区域(32)的透光率。6.如权利要求2所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，还包括：步骤3、在所述有源层(20)、缓冲层(12)、柔性衬底(11)上形成栅极绝缘层(40)，在所述栅极绝缘层(40)上形成栅极(41)；采用自对准技术以所述栅极(41)为掩膜板在所述有源层(20)的两端植入掺杂离子，形成源极接触区(21)与漏极接触区(22)以及位于所述源极接触区(21)与漏极接触区(22)之间且对应于所述栅极(41)下方的沟道区(23)；步骤4、在所述栅极(41)与栅极绝缘层(40)上沉积层间介电层(50)，对所述层间介电层(50)与栅极绝缘层(40)进行图形化处理，在所述层间介电层(50)与栅极绝缘层(40)上形成分别对应于有源层(20)的源极接触区(21)...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻蕾，李松杉，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42