一种MIM电容制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种MIM电容制造工艺，包括以下步骤：S1：得到第一金属连接层；S2：通过PECVD，在第一金属连接层上沉积氮化硅介电层；S3：在氮化硅介电层上通过溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti，作为上层金属电板；S4：利用NM光罩在第二M1图形上制作NM图形；S5：对上层金属电板进行蚀刻；S6：蚀刻后利用NMP溶液进行湿法去胶；S7：利用NV2光罩在第一M1图形上光刻出氮化硅图形，并利用干法刻蚀对第一M1图形上的氮化硅介电层开孔；S8：采用旋涂方式制作聚合物层；S9：利用PV光罩制作PV图形，并制作聚合物层开孔；S10：得到第二金属连接层。本发明专利技术避免电容击穿电压及可靠度下降。

【技术实现步骤摘要】
一种MIM电容制造工艺
本专利技术涉及半导体制造工艺
，尤其涉及一种MIM电容制造工艺。
技术介绍
MIM电容是作为器件中被动组件除电感电阻外的一部份。其中MIM电容需靠两个金属电板及中间一层介电层形成主结构，另外两层金属板有部份也作金属连接层，层间需有一道低介电系数的聚合物层(POLYIMIDE)降低高频下的层间电容。现有技术在制作MIM电容时，包括以下步骤：下层电板的制作、氮化硅介电层沉积、介电层的开孔、制作聚合物层、聚合物层的开孔、上层电板的制作。然而现有技术在对厚度薄的电容介电层(氮化硅)表面作上层电极时，在对聚合物(POLYIMIDE)开孔的步骤中，刻蚀到介电层表面时容易造成击穿电压及可靠度下降。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种MIM电容制造工艺。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种MIM电容制造工艺，包括以下步骤：S1：利用金属M1光罩在下层金属电板上光刻出两个M1图形，金属蒸镀后采取liftoff反转方式，得到第一金属连接层；S2：通过PECVD，在第一金属连接层上沉积氮化硅介电层；S3：在氮化硅介电层上通过溅镀Ti/TiN本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MIM电容制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：S1：利用金属M1光罩在下层金属电板上光刻出两个M1图形，金属蒸镀后采取liftoff反转方式，得到第一金属连接层；S2：通过PECVD，在第一金属连接层上沉积氮化硅介电层；S3：在氮化硅介电层上通过溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti，作为上层金属电板；S4：利用NM光罩在第二M1图形上制作NM图形，其中NM为金属或金属化合物；S5：利用湿法或者干法对上层金属电板进行蚀刻；S6：蚀刻后利用NMP溶液进行湿法去胶；S7：利用NV2光罩在第一M1图形上光刻出氮化硅图形，并利用干法刻蚀对第一M1图形上的氮化硅介电层开孔；S8：采用旋涂方式制作聚合物层...

【技术特征摘要】
1.一种MIM电容制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：S1：利用金属M1光罩在下层金属电板上光刻出两个M1图形，金属蒸镀后采取liftoff反转方式，得到第一金属连接层；S2：通过PECVD，在第一金属连接层上沉积氮化硅介电层；S3：在氮化硅介电层上通过溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti，作为上层金属电板；S4：利用NM光罩在第二M1图形上制作NM图形，其中NM为金属或金属化合物；S5：利用湿法或者干法对上层金属电板进行蚀刻；S6：蚀刻后利用NMP溶液进行湿法去胶；S7：利用NV2光罩在第一M1图形上光刻出氮化硅图形，并利用干法刻蚀对第一M1图形上的氮化硅介电层开孔；S8：采用旋涂方式制作聚合物层；S9：利用PV光罩制作PV图形，并通过干法刻蚀制作聚合物层开孔；S...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢骞，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51