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本发明公开了一种MIM电容制造工艺，包括以下步骤：S1：得到第一金属连接层；S2：通过PECVD，在第一金属连接层上沉积氮化硅介电层；S3：在氮化硅介电层上通过溅镀Ti/TiN/TaN或蒸镀Ti，作为上层金属电板；S4：利用NM光罩在第二M...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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