用于三维集成电路封装的硅通孔转接板制造技术

本发明专利技术涉及一种用于三维集成电路封装的硅通孔转接板，包括：Si基板(11)；MOS管(12)，设置于Si基板(11)内；隔离区(13)，设置于MOS管(12)四周且上下贯通Si基板(11)，用于对MOS管(12)进行隔离；TSV区(14)，设置于MOS管(12)和隔离区(13)形成区域的两侧且上下贯通Si基板(11)，TSV区(14)内的填充材料为铜；第一绝缘层(15)，设置于Si基板(11)的上表面；第二绝缘层(16)，设置于Si基板(11)的下表面；互连线(17)，设置于Si基板(11)上，用于连接TSV区(14)的第一端面和MOS管(12)；铜凸点(18)，设置于TSV区(14)的第二端面上。本发明专利技术提供的硅通孔转接板通过在硅通孔转接板上设置MOS管，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。

【技术实现步骤摘要】
用于三维集成电路封装的硅通孔转接板
本专利技术属半导体集成电路
，特别涉及一种用于三维集成电路封装的硅通孔转接板。
技术介绍
如今的半导体工业界普遍认为，三维(Three-Dimension，3D)集成技术，是可以使芯片继续沿着摩尔定律的蓝图向前发展的重要技术之一，这一技术可以缩短互连长度，从而提高电路速度、降低功耗，并增加系统存储带宽。其中，基于硅通孔(Through-SiliconVia，简称TSV)技术的三维集成是重要组成部分，TSV技术可实现芯片与芯片间距离最短、间距最小的互连。作为芯片成功及量产的重要指标，3D-IC(三维集成电路)堆叠后的整体静电放电(Electro-StaticDischarge，简称ESD)性能是一个不容忽视的方面，超大规模的3D-IC芯片在ESD设计上面临着巨大的挑战，ESD会影响整个3D-IC芯片的电学性能，甚至无法正常工作。转接板通常是指芯片与封装基板之间的互连和引脚再分布的功能层。转接板可以将密集的I/O引线进行再分布，实现多芯片的高密度互连，成为纳米级集成电路与毫米级宏观世界之间电信号连接最有效的手段之一。常规ESD设计重在解决单个芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于三维集成电路封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括：Si基板(11)；MOS管(12)，设置于所述Si基板(11)内；隔离区(13)，设置于所述MOS管(12)四周且上下贯通所述Si基板(11)，用于对所述MOS管(12)进行隔离；TSV区(14)，设置于所述MOS管(12)和所述隔离区(13)形成区域的两侧且上下贯通所述Si基板(11)，所述TSV区(14)内的填充材料为铜；第一绝缘层(15)，设置于所述Si基板(11)的上表面；第二绝缘层(16)，设置于所述Si基板(11)的下表面；互连线(17)，设置于所述第一绝缘层(15)内，用于连接所述TSV区(14)的第一端面和所述MOS管(...

【技术特征摘要】
1.一种用于三维集成电路封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括：Si基板(11)；MOS管(12)，设置于所述Si基板(11)内；隔离区(13)，设置于所述MOS管(12)四周且上下贯通所述Si基板(11)，用于对所述MOS管(12)进行隔离；TSV区(14)，设置于所述MOS管(12)和所述隔离区(13)形成区域的两侧且上下贯通所述Si基板(11)，所述TSV区(14)内的填充材料为铜；第一绝缘层(15)，设置于所述Si基板(11)的上表面；第二绝缘层(16)，设置于所述Si基板(11)的下表面；互连线(17)，设置于所述第一绝缘层(15)内，用于连接所述TSV区(14)的第一端面和所述MOS管(12)；铜凸点(18)，设置于所述TSV区(14)的第二端面上。2.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述MOS管(12)包括：P阱区、栅极区、源区、漏区和P阱接触区；其中，所述栅极区设置于所述P阱区上，所述源区和所述漏区设置于所述P阱区内且分别位于所述栅极区的第一侧和...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亮，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61