一种晶圆载片键合结构及利用该结构进行TSV露头的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于TSV露头的晶圆载片键合结构，包括：硅片，设置在硅片第一面的器件及多个TSV通孔及填充铜柱，位于与所述硅片第一面相对的第二面；载片，所述载片具有平整的第三面，以及位于与所述第三面相对的非平整第四面；所述硅片第一面与所述载片第三面附连，其中所述多个TSV的铜柱底部到所述载片非平整第四面对应位置的距离基本相等。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆载片键合结构及利用该结构进行TSV露头的方法
本专利技术涉及集成电路先进封装
，尤其涉及一种晶圆载片键合结构及利用该结构进行TSV露头的方法。
技术介绍
TSV(ThroughSiliconVia)技术是穿透硅通孔技术的缩写，一般简称为硅通孔技术或硅穿孔技术，是三维集成电路封装中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线路可靠且最短、封装外形尺寸最小，并且可以大幅改善芯片的性能并降低功耗，这些特性使得TSV技术成为目前集成电路封装技术中最引人注目的一种技术。TSV技术具有封装尺寸小，高频特性出色，传输延时低，射频噪声低，寄生电阻小，芯片功耗低，热膨胀可靠性高等一系列的优点。但TSV工艺成本较高，技术难度较大。在通用的TSV工艺，尤其是低成本的TSV工艺中，一些TSV晶圆级产品(如硅转接板)在工艺流片时，由于TSV通孔刻蚀的深度均匀性不好(刻蚀TTV不好)，因此会导致TSV通孔的底部硅片厚度剩余量的不一致。在后续的工艺中，TSV的通孔中会填充金属作为导电介质，从而和后续电路或焊盘形成电连接。由于上述的通孔深度不一致导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于TSV露头的晶圆载片键合结构，包括：硅片，设置在硅片第一面的器件及多个TSV通孔及填充铜柱，位于与所述硅片第一面相对的第二面；载片，所述载片具有平整的第三面，以及位于与所述第三面相对的非平整第四面；所述硅片第一面与所述载片第三面附连，其中所述多个TSV的铜柱底部到所述载片非平整第四面对应位置的距离基本相等。

【技术特征摘要】
1.一种用于TSV露头的晶圆载片键合结构，包括：硅片，设置在硅片第一面的器件及多个TSV通孔及填充铜柱，位于与所述硅片第一面相对的第二面；载片，所述载片具有平整的第三面，以及位于与所述第三面相对的非平整第四面；所述硅片第一面与所述载片第三面附连，其中所述多个TSV的铜柱底部到所述载片非平整第四面对应位置的距离基本相等。2.如权利要求1所述的用于TSV露头的晶圆载片键合结构，其特征在于，所述硅片第一面中心部位的TSV铜柱长度大于所述硅片第一面边缘部位的TSV铜柱长度。3.如权利要求1所述的用于TSV露头的晶圆载片键合结构，其特征在于，所述硅片第一面边缘部位的TSV铜柱长度大于所述硅片第一面中心部位的TSV铜柱长度。4.如权利要求1所述的用于TSV露头的晶圆载片键合结构，其特征在于，所述载片非平整第四面为类凹面。5.如权利要求1所述的用于TSV露头的晶圆载片键合结构，其特征在于，所述载片非平整第四面为类凸面。6.如权利要求1所述的用于TSV露头的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊龙，张鹏，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32