一种LED芯片切割道标识及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片切割道标识及其制作方法，属于半导体器件加工领域。本发明专利技术通过在LED芯片的GaP层制作切割道标识的方法，来判断切割过程中刀痕是否发生偏移，方法非常巧妙，可精准定位切割位置，并反馈切割质量，成本低，标识的制作方法为湿法刻蚀，在芯片的刻蚀过程中用光刻胶对标识部分进行保护，刻蚀之后即可得到想要的标识，可以为圆形、方形等形状。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片切割道标识及其制作方法
本专利技术属于半导体器件加工领域，更具体地说，涉及一种LED芯片切割道标识及其制作方法。
技术介绍
半导体芯片制造过程中，晶粒一般呈矩形排列在芯片表面。现有的芯片切割方法主要有刀具(如金刚石刀具)切割和辐射能量(如激光)切割。刀具切割是利用机械力直接作用在芯片的切割道，实现晶粒的分离。激光切割是非接触式切割方法，它是激光能量通过光学聚焦后获得高能量密度，沿切割道直接将芯片气化，从而分离晶粒。由于激光方法成本较高，因此刀具切割仍是目前最常用的芯片切割方法。传统的芯片切割方法，是用金刚石刀具逐一对准切割道进行一次横向切割和一次纵向切割，从而分离晶粒。具体方法为：沿每一晶粒列的切割道，先进行横向切割；横向切割完成后，逆时针或顺时针旋转芯片90°，再沿每一晶粒列的切割道，进行纵向切割，完成晶粒从芯片的分离。横向和纵向，是相对的概念。经检索，中国专利申请号为201110441963.1，申请公布日为2012年6月13号的专利申请文件公开了一种芯片切割方法，包括交替进行若干次横向切割和若干次纵向切割，具体步骤：(一)首次横向切割，间隔N列晶粒切割，所述N为整本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片切割道标识，其特征在于：所述的标识位于LED芯片切割道上，通过湿法刻蚀形成，深度为

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片切割道标识，其特征在于：所述的标识位于LED芯片切割道上，通过湿法刻蚀形成，深度为2.根据权利要求1所述的一种LED芯片切割道标识，其特征在于：所述的标识为方形、圆形或多边形。3.根据权利要求1或2所述的一种LED芯片切割道标识，其特征在于：所述的标识为正方形，边长为25-30μm。4.根据权利要求1或2所述的一种LED芯片切割道标识，其特征在于：所述的标识等距离排列在LED芯片切割道上。5.权利要求1或4中所述的LED芯片切割道标识的制作方法，其包括以下步骤：a、真空镀膜：在LED芯片P面蒸镀二氧化硅层；b、光刻：对经步骤a镀膜后的二氧化硅层进行光刻蚀处理，切割道标识及电极区域使用光刻胶保护；c、二氧化硅层湿法刻蚀：对经步骤b处理后的LED芯片P面二氧化硅层进行湿法刻蚀，然后去胶清洗；d、GaP层湿法刻蚀：对经过步骤c处理后的LED芯片P面GaP层进行湿法刻蚀；e、二氧化硅层湿法刻蚀：对经过步骤d处理后的LED芯片P面二氧化硅层进行湿法刻蚀，...

【专利技术属性】
技术研发人员：廉鹏，石剑波，徐鹏，王祥，陈立，陈筱娟，
申请(专利权)人：马鞍山太时芯光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34