半导体测试单元及半导体测试结构制造技术
Semiconductor test unit and semiconductor test structure
The utility model provides a semiconductor testing unit and semiconductor testing structure, wherein the semiconductor testing unit includes a first metal strip, metal pieces and two metal strips; wherein, the first metal strip, the metal piece and the second metal strips are connected in sequence; the length direction of the first metal strip and the the length direction of the second metal strips perpendicular. The semiconductor test unit of the utility model can simultaneously detect whether there are void defects in metal structures with different shapes by setting metal blocks and metal strips in different directions, and can simultaneously detect whether there are void defects in metal structures in different directions.
【技术实现步骤摘要】
半导体测试单元及半导体测试结构
本技术涉及半导体测试结构领域，特别是涉及一种半导体测试单元及半导体测试结构。
技术介绍
在铝工艺中，当湿法刻蚀清洗工具(譬如，Solvent-01QDR，快速清洗槽)中CO2的浓度较低时，在湿法刻蚀清洗的过程中会在金属线侧壁侵蚀形成电偶腐蚀缺陷(galvanicdefect)，从而导致器件失效。具体原因为：在金属刻蚀完成之后使用有机溶剂(譬如EKC)去除聚合物的过程中，AlCu的侧壁被暴露在羟胺作为化学溶剂的碱性环境(PH值为11～12)中，很容易造成金属腐蚀并形成电偶腐蚀缺陷。具体为：由于铜原子在铝金属互连线上不是同质分布的，铜原子一般分布在晶界处异质成核；当Al/Cu被置于电解液中时就会发生电化学反应，此时卤素为催化剂；Cu离子不断被还原沿着晶界一直腐蚀直至穿透到阻挡层，从而在Al金属层内形成空洞。快速清洗槽(QDR)中合适的CO2的流量两相分散流动率可以有效中和快速清洗槽中的氢氧化物，从而保护金属表面，阻止电化学腐蚀。对于上述电偶腐蚀缺陷，目前的在线检测方法并不能准确的观察到位于金属侧壁的电偶腐蚀缺陷。目前，业内一般使用Iso...
【技术保护点】
一种半导体测试单元，其特征在于，所述半导体测试单元包括第一金属条、金属块及第二金属条；其中，所述第一金属条、所述金属块及所述第二金属条依次相连接；所述第一金属条的长度方向与所述第二金属条的长度方向相垂直。
【技术特征摘要】
1.一种半导体测试单元，其特征在于，所述半导体测试单元包括第一金属条、金属块及第二金属条；其中，所述第一金属条、所述金属块及所述第二金属条依次相连接；所述第一金属条的长度方向与所述第二金属条的长度方向相垂直。2.根据权利要求1所述的半导体测试单元，其特征在于，所述第一金属条、所述金属块及所述第二金属条依次间隔叠置，所述第一金属条的一端与所述金属块的下表面相连接，所述第二金属条的一端与所述金属块的上表面相连接。3.根据权利要求1所述的半导体测试单元，其特征在于，所述第一金属条及所述第二金属条均为矩形金属条，所述金属块为正方形金属块。4.根据权利要求1所述的半导体测试单元，其特征在于，所述半导体测试单元还包括金属插塞，所述金属插塞位于所述第一金属条与所述金属块之间及所述第二金属条与所述金属块之间，且将所述第一金属条及所述第二金属条与所述金属块相连接。5.一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：若干层测试金属层，各层所述测试金属层均包括若干个间隔排布的第一金属条、金属块及第二金属条；其中，所述第一金属条的长度方向与所述第二金属条的长度方向相...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟贤岱，王锴，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11
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