金属互连结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种金属互连结构及其制作方法，在一衬底上形成有至少一层金属互连层，在所述金属互连层上形成介质层，对所述介质层进行刻蚀形成通孔，在所述通孔中填充金属形成通孔结构，在所述介质层及通孔结构上形成铝衬垫层。本发明专利技术中铝衬垫层既可以作为衬垫又可以作为顶层金属层，省去顶层金属层和再分布通孔层，精简了工艺流程，降低了生产成本。同时铝衬垫层厚度的降低，减少了铝衬垫表面须状缺陷，减小对后续工艺的影响。

【技术实现步骤摘要】
金属互连结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种金属互连结构及其制作方法。
技术介绍
在半导体后段工艺中，可根据不同需要在半导体衬底上设置多层金属互连结构，每层金属互连结构包括金属互连线和绝缘层，在绝缘层内形成沟槽和通孔，然后在所述沟槽和通孔内沉积金属，沉积的金属即为金属互连线，一般选用铜作为金属互连线材料。然后在上述结构的基础上沉积铝衬垫，顶层互连结构与铝衬垫键合，为后续的封装制程作准备。现有金属互连结构中，顶层金属层102通过填铝的再分布通孔层103与铝衬垫层104连接，与前层金属互连层100的连接则通过通孔结构101实现。结构如图1所示。其过程包括以下步骤：1.提供一衬底，所述衬底上形成有至少一层金属互连层100，在所述金属互连层上依次形成第一刻蚀终止层110、第一绝缘层120、第二刻蚀终止层130和第二绝缘层140。所述金属互连层100(图1中未全示)包括介质层与形成于所述介质层中的金属层；2.采用光罩掩膜技术，依次刻蚀第二绝缘层140、第二刻蚀终止层130、第一绝缘层120和第一刻蚀终止层110，至显露出前层金属互连层100中的金属层，形成金属通孔和金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S01：提供一衬底，所述衬底上形成有至少一层金属互连层，在所述金属互连层上形成介质层；S02：对所述介质层进行刻蚀形成通孔，在所述通孔中填充金属形成通孔结构；S03：在所述介质层及通孔结构上形成铝衬垫层。

【技术特征摘要】
1.一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S01：提供一衬底，所述衬底上形成有至少一层金属互连层，在所述金属互连层上形成介质层；S02：对所述介质层进行刻蚀形成通孔，在所述通孔中填充金属形成通孔结构；S03：在所述介质层及通孔结构上形成铝衬垫层。2.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述介质层依次包括刻蚀终止层和绝缘层。3.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，在所述通孔中填充金属，所述金属为金属铜或含铜金属。4.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，在所述通孔填充金属后，进行化学机械研磨。5.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述通孔暴露出所述金属互连层。6.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述衬底包含第一区域与第二区域，在所述第一区域内形成介质层、通孔、通孔结构以及铝衬垫层的同时，在所述第二区域内也同样形成介质层、通孔、通孔结构以及铝衬垫层。7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王贺莹，黄冠群，陈广龙，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31