一种半导体芯片制造技术

本实用新型专利技术属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体芯片，其至少包括：基板；在所述基板上设置的N型半导体层；在所述N型半导体层上设置的发光层；在所述发光层上设置P型半导体层，形成外延层；蚀刻局部外延层至N型层或包括部分N型层形成N型平台；分别在N型平台和P型半导体层上设置N电极和P电极；其中，所述N电极与外延层之间的N型平台上设置一绝缘限制层，所述绝缘限制层一端向上延伸至与P型层齐平，另一端向下嵌入N型层内。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片
本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种半导体芯片。
技术介绍
随着LED技术的逐渐成熟和细分市场模块出现，Micro-LED应用市场成为LED应用的下一代趋势日渐明显，成为不可逆转的趋势。目前Micro-LED的应用主要受到以下几点较难克服的障碍：ChipSize的逐渐缩小下良率以及成本的控制，ChipSize缩小带来的小尺寸Chip光效以及光衰和寿命的急剧下降。Micro-LED的应用，必然追求芯粒尺寸的逐步缩小，如下图1所示，因芯粒尺寸过小，基本均采取无扩展条形式，因而造成单颗Chip上局部电流密度过大，导致局部过热和金属的急剧迁移现象，从而导致LED光衰和寿命的急剧下滑，甚至会导致LED死灯现象的出现，给Micro-LED器件带来致命缺陷。目前各生产商采取各种方式改善Micro-LED器件小Chip的局部过热和金属迁移导致的短路和死灯现象，但均不能从根本上解决因小芯粒在应用端因电流密度过大导致的局部过热现象；以及外加电场频繁变化和环境水汽等导致的电极下金属迁移现象。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术首先提出一种半导体芯片，其至少包括一种半导体芯片，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片，其至少包括：基板；在所述基板上设置的N型半导体层；在所述N型半导体层上设置的发光层；在所述发光层上设置P型半导体层，形成外延层；蚀刻局部外延层至N型层表面或N型层内部形成N型平台；分别在N型平台和P型半导体层上设置N电极和P电极；其特征在于：所述N电极与外延层之间的N型平台上设置一绝缘限制层，所述绝缘限制层一端向上延伸至与P型层上表面齐平或高于P型层上表面，另一端向下嵌入N型层内，当注入电流时，发光层发出一定波长的光。

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片，其至少包括：基板；在所述基板上设置的N型半导体层；在所述N型半导体层上设置的发光层；在所述发光层上设置P型半导体层，形成外延层；蚀刻局部外延层至N型层表面或N型层内部形成N型平台；分别在N型平台和P型半导体层上设置N电极和P电极；其特征在于：所述N电极与外延层之间的N型平台上设置一绝缘限制层，所述绝缘限制层一端向上延伸至与P型层上表面齐平或高于P型层上表面，另一端向下嵌入N型层内，当注入电流时，发光层发出一定波长的光。2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片，其特征在于：所述绝缘限制层的宽度大于零，小于所述N电极的宽度。3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片，其特征在于：所述绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：寻飞林，江汉，宋长伟，林忠宝，吴洪浩，徐志军，李政鸿，林兓兓，蔡吉明，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34