发光二极管芯片的制造方法技术

提供能够得到充分的亮度的发光二极管芯片的制造方法。该方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，该层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；一体化工序，将在内部形成有多个气泡的透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成一体化晶片；透明基板加工工序，在实施了一体化工序之后，在一体化晶片的透明基板的背面上与晶片的各LED电路对应地形成多个凹坑；以及分割工序，在实施了透明基板加工工序之后，沿着分割预定线将晶片与透明基板一起切断而将一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。

Manufacturing method of light emitting diode chip

A method of manufacturing a light-emitting diode chip capable of obtaining sufficient brightness is provided. The method has the following procedure: the wafer preparation process, preparation of the following wafer: the wafer has a laminated layer on the crystal growth by the transparent substrate, and the LED circuit is formed in each region divided by a plurality of cross sections of the predetermined line on the front of the laminated layer, in which the laminated layer is formed to contain a circuit. A plurality of semiconductor layers, including the luminescent layer; an integration process, which forms an integrated wafer on the back of the wafer with a transparent substrate with multiple bubbles in the interior of the chip. After the integration process is implemented, the LED electricity of the chip is on the back of the translucent BenQ plate of the integrated wafer. The path corresponds to the formation of a number of pits; and the segmentation process, after the implementation of the transparent substrate processing procedure, cuts the wafer and the transparent substrate along the divided predetermined line, and divides the integrated wafer into each of the light-emitting diode chips.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片的制造方法
本专利技术涉及发光二极管芯片的制造方法。
技术介绍
在蓝宝石基板、GaN基板、SiC基板等晶体成长用基板的正面上形成有层叠体层，该层叠体层通过将n型半导体层、发光层和p型半导体层层叠多层而形成，将在该层叠体层上由交叉的多条分割预定线划分出的区域内形成有多个LED(LightEmittingDiode：发光二极管)等发光器件的晶片沿着分割预定线切断而分割成各个发光器件芯片，分割得到的发光器件芯片被广泛地应用在移动电话、个人计算机、照明设备等各种电子设备中。由于从发光器件芯片的发光层射出的光具有各向同性，所以光也会照射到晶体成长用基板的内部而也从基板的背面和侧面射出。然而，在照射到基板的内部的光中，由于基板与空气层的界面处的入射角为临界角以上的光在界面上发生全反射而被关在基板内部，不会从基板射出到外部，所以存在导致发光器件芯片的亮度降低的问题。为了解决该问题，在日本特开2014-175354号公报中记载了如下的发光二极管(LED)：为了抑制从发光层射出的光被关在基板的内部，将透明部件粘贴在基板的背面上而实现亮度的提高。专利文献1：日本特开2014-175354号本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；一体化工序，将在内部形成有多个气泡的透明基板的正面粘贴在该晶片的背面上而形成一体化晶片；透明基板加工工序，在实施了该一体化工序之后，在该一体化晶片的该透明基板的背面上与该晶片的各LED电路对应地形成多个凹坑；以及分割工序，在实施了该透明基板加工工序之后，沿着该分割预定线将该晶片与该透明基板一起切断而将该一...

【技术特征摘要】
2016.11.04 JP 2016-2163971.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；一体化工序，将在内部形成有多个气泡的透明基板的正面粘贴在该晶片的背面上而形成一体化晶片；透明基板加工工序，在实施了该一体化工序之后，在该一体化晶片的该透明基板的背面上与该晶片的各LED电路对应地形...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈村卓，北村宏，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP