薄膜晶体管基板及其制造方法技术

本发明专利技术涉及TFT基板，像素具有：栅极电极，其选择性地配置在基板之上；栅极绝缘膜，其将栅极电极覆盖；半导体沟道层，其选择性地配置在栅极绝缘膜之上；保护绝缘膜，其配置在半导体沟道层之上；第1层间绝缘膜，其设置在基板之上；源极电极及漏极电极，它们经过将第1层间绝缘膜及保护绝缘膜贯通的接触孔，相互分离地与半导体沟道层接触；以及像素电极，其是从漏极电极延伸出的，在俯视观察时，以至少与沟道区域重叠的方式在保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜，在俯视观察时，以与半导体沟道层及所1遮光膜重叠的方式在源极电极之上及漏极电极之上配置有第2遮光膜。

Thin film transistor substrate and its manufacturing method

The present invention relates to a TFT substrate, a pixel with a gate electrode, which is selectively configured on a substrate; a gate insulating film is covered with a gate electrode; a semiconductor groove layer is selectively configured on a gate insulating film; the insulating film is protected above the semiconductor channel layer; the first interlayer insulating film is set up. On the substrate, the source electrode and the drain electrode are exposed to the semiconductor groove layer by the contact holes of the first interlayer insulation film and the protective insulating film, and the pixel electrodes, which are extended from the drain electrode, and at least overlap with the channel region when overlooking the observation. First shading films are arranged on the membrane, and second shading membranes are arranged above the source electrode and on the drain electrode by overlapping the semiconductor channel layer and the 1 shading film during the overlook observation.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管基板及其制造方法
本专利技术涉及将薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：TFT)作为开关器件使用的TFT有源矩阵基板(薄膜晶体管基板：下面，称为“TFT基板”)及其制造方法。
技术介绍
TFT基板被用在例如利用了液晶的显示装置(液晶显示装置)等电气光学装置中。TFT等半导体装置具有低消耗电力、薄这样的特征，向平板显示器的应用盛行。作为液晶显示装置(LCD)，存在单纯矩阵型LCD和将TF作为开关器件使用的TFT－LCD。特别地，TFT－LCD在便携性及显示品质方面比CRT(cathode-raytube)、单纯矩阵型LCD优异，在移动计算机、笔记本型个人计算机或者电视机等显示器产品中被广泛地实用化。通常，TFT－LCD具有如下构造的液晶显示面板，即，在具有配置为阵列状的多个TFT的TFT基板和具有滤色片等的相对基板之间夹持有液晶层。在液晶显示面板的正面侧和背面侧分别设置偏振板，在其中一方的更外侧设置背光灯。通过该构造得到良好的彩色显示。作为液晶显示装置中的液晶的驱动方式，存在TN(TwistedNematic)模式、VA(VerticalAlignment)模式等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，在该薄膜晶体管基板以矩阵状排列有多个像素，该薄膜晶体管基板的特征在于，所述像素具有：栅极电极，其选择性地配置在基板之上；栅极绝缘膜，其将所述栅极电极覆盖；半导体沟道层，其由氧化物半导体膜形成，选择性地配置在所述栅极绝缘膜之上；保护绝缘膜，其配置在所述半导体沟道层之上；第1层间绝缘膜，其以将所述保护绝缘膜和所述半导体沟道层的层叠膜覆盖的方式设置在所述基板之上；源极电极及漏极电极，它们由透明导电膜形成，经过将所述第1层间绝缘膜及所述保护绝缘膜贯通的接触孔，相互分离地与所述半导体沟道层接触；以及像素电极，其是从所述漏极电极延伸出的，所述半导体沟道层处的所述源极电极和所述漏极电极之...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.11 JP 2015-1797671.一种薄膜晶体管基板，在该薄膜晶体管基板以矩阵状排列有多个像素，该薄膜晶体管基板的特征在于，所述像素具有：栅极电极，其选择性地配置在基板之上；栅极绝缘膜，其将所述栅极电极覆盖；半导体沟道层，其由氧化物半导体膜形成，选择性地配置在所述栅极绝缘膜之上；保护绝缘膜，其配置在所述半导体沟道层之上；第1层间绝缘膜，其以将所述保护绝缘膜和所述半导体沟道层的层叠膜覆盖的方式设置在所述基板之上；源极电极及漏极电极，它们由透明导电膜形成，经过将所述第1层间绝缘膜及所述保护绝缘膜贯通的接触孔，相互分离地与所述半导体沟道层接触；以及像素电极，其是从所述漏极电极延伸出的，所述半导体沟道层处的所述源极电极和所述漏极电极之间的区域形成沟道区域，在俯视观察时，以至少与所述沟道区域重叠的方式在所述保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜，在俯视观察时，以与所述半导体沟道层及所述第1遮光膜重叠的方式在所述源极电极之上及所述漏极电极之上配置有第2遮光膜。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第1遮光膜由遮光性的导电膜形成，与所述源极电极及所述漏极电极电气分离，以电气浮动状态配置。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第1遮光膜由遮光性的导电膜形成，与所述源极电极及所述漏极电极的一者直接电连接。4.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第2遮光膜在俯视观察时，配置为将从所述接触孔的形成区域至所述第1遮光膜的形成区域为止的区域覆盖。5.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管基板，其中，所述像素具有：配置在所述基板之上的与所述栅极电极为相同层的栅极配线；以及源极配线，其配置在所述栅极绝缘膜之上，所述源极配线由下述配线构成：下层源极配线，其与形成在层叠膜之上的所述第1遮光膜为相同层，所述层叠膜是指与所述半导体沟道层为相同层的半导体膜和与所述保护绝缘膜为相同层的绝缘膜的层叠膜；以及上层源极配线，其是从所述源极电极延伸出的，与所述源极电极为相同层。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，所述像素还具有共通电极，该共通电极配置在所述基板之上，与所述栅极电极及所述栅极配线为相同层，所述共通电极与所述栅极配线电气分离，与所述栅极配线平行地配置，所述像素电极在俯视观察时，以与所述共通电极的至少一部分重叠的方式与所述共通电极相对地配置，至少隔着所述第1层间绝缘膜而在所述像素电极和所述共通电极之间形成像素电位的辅助电容。7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，所述像素具有：第2层间绝缘膜，其以将所述源极电极、所述漏极电极及所述像素电极覆盖的方式设置在所述第1层间绝缘膜之上；相对电极，其在所述第2层间绝缘膜之上由透明导电膜形成，在俯视观察时设置为与所述像素电极相对；以及第3遮光膜，其在俯视观察时，以至少与所述半导体沟道层、所述第1及所述第2遮光膜重叠的方式配置在所述第2层间绝缘膜之上。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上和式，今村谦，津村直树，小田耕治，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP