有源矩阵基板、液晶面板以及有源矩阵基板的制造方法技术

TFT(21)的漏极电极(25)同与栅极线(23)一体形成的栅极电极重叠。像素电极(22)具有：形成于栅极线(23)的第一侧的主体部；和沿数据线(24)的延伸方向延伸并覆盖栅极电极与漏极电极(25)的重叠部分的扩张部。漏极电极(25)未形成于栅极线(23)的第二侧，而像素电极(22)的扩张部也形成于栅极线(23)的第二侧。在像素电极(22)的位置沿数据线(24)的延伸方向偏移的情况下，像素电极(22)的扩张部与栅极线(23)重叠的部分的面积也不会变化，因此能够将TFT(21)的漏极‑源极间的寄生电容保持为恒定。由此，防止由TFT(21)的栅极‑漏极间的寄生电容的偏差而引起的显示质量的降低。

The manufacturing method of active matrix substrate, liquid crystal panel and active matrix substrate

The drain electrode (25) of TFT (21) overlaps with the gate electrode formed in one of the gate line (23). The pixel electrode (22) has a main body formed on the first side of the gate line (23), and an expansion part extending along the extension direction of the data line (24) and covering the overlap part of the grid electrode and the drain electrode (25). The drain electrode (25) is not formed on the second side of the gate line (23), and the expansion part of the pixel electrode (22) is also formed on the second side of the gate line (23). The pixel electrode (22) along the data line position (24) in the direction of offset, the pixel electrode (22) the expansion of the gate lines (23) overlap area does not change, it can be TFT (21) source drain parasitic capacitance remains constant. Therefore, to prevent the deviation by TFT (21) gate drain parasitic capacitance between poles caused by the degradation of display quality.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有源矩阵基板、液晶面板以及有源矩阵基板的制造方法
本专利技术涉及一种显示装置，特别是涉及有源矩阵基板、具备该有源矩阵基板的液晶面板、以及有源矩阵基板的制造方法。
技术介绍
液晶显示装置作为薄型、轻型、耗电量低的显示装置而被广泛地利用。液晶显示装置所包括的液晶面板具有使有源矩阵基板与对向基板贴合，并在两张基板之间设置液晶层的构造。在有源矩阵基板形成有包括多条栅极线、多条数据线、薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：以下，称为TFT)以及像素电极的多个像素电路。作为对液晶面板的液晶层施加电场的方式，公知有纵向电场方式和横向电场方式。在纵向电场方式的液晶面板中，使用像素电极和形成于对向基板的共用电极对液晶层施加大致纵向的电场。在横向电场方式的液晶面板中，共用电极与像素电极一起形成于有源矩阵基板，使用像素电极和共用电极对液晶层施加大致横向的电场。横向电场方式的液晶面板相比纵向电场方式的液晶面板具有视角广的优点。作为横向电场方式，公知有IPS(In-PlaneSwitching)模式和FFS(FringeFieldSwitching)模式。在IPS模式的液晶面板中，像素电极与共用电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源矩阵基板，其特征在于，具备：多条栅极线，其沿第一方向延伸；多条数据线，其沿第二方向延伸；多个像素电路，其与所述栅极线和所述数据线的交点对应地配置，且各自包括薄膜晶体管以及像素电极；保护绝缘膜，其形成在比所述栅极线、所述数据线、所述薄膜晶体管以及所述像素电极靠上层的位置；以及共用电极，其形成于所述保护绝缘膜的上层，所述薄膜晶体管具有：与所述栅极线一体形成的栅极电极；与所述数据线一体形成的源极电极；以及与所述像素电极直接连接并具有与所述栅极电极重叠的部分的漏极电极，所述像素电极具有：形成于所述栅极线的第一侧的主体部；和沿所述第二方向延伸并覆盖所述栅极电极与所述漏极电极的重叠部分的扩张部，所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.05 JP 2015-1145981.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备：多条栅极线，其沿第一方向延伸；多条数据线，其沿第二方向延伸；多个像素电路，其与所述栅极线和所述数据线的交点对应地配置，且各自包括薄膜晶体管以及像素电极；保护绝缘膜，其形成在比所述栅极线、所述数据线、所述薄膜晶体管以及所述像素电极靠上层的位置；以及共用电极，其形成于所述保护绝缘膜的上层，所述薄膜晶体管具有：与所述栅极线一体形成的栅极电极；与所述数据线一体形成的源极电极；以及与所述像素电极直接连接并具有与所述栅极电极重叠的部分的漏极电极，所述像素电极具有：形成于所述栅极线的第一侧的主体部；和沿所述第二方向延伸并覆盖所述栅极电极与所述漏极电极的重叠部分的扩张部，所述漏极电极未形成于所述栅极线的第二侧，所述像素电极的扩张部还形成于所述栅极线的第二侧。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述漏极电极形成于形成有所述栅极线以及所述栅极电极的区域的内部。3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的半导体层形成于形成有所述栅极线以及所述栅极电极的区域的内部。4.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述栅极线贯穿所述像素电路内，所述像素电极还具有：形成于所述栅极线的第二侧的第二主体部，所述像素电极的扩张部连接所述像素电极的主体部与第二主体部。5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述共用电极在与所述主体部以及所述第二主体部对应的区域具有一个以上的狭缝，所述狭缝中的至少一个未形成在所述栅极线上。6.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述薄膜晶体管在所述数据线的两侧交替形成。7.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述共用电极与所述像素电路对应具有一个以上狭缝。8.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田昌弘，冨永真克，古川智朗，森永润一，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP