近红外晶格失配探测器缓冲层制造技术

本发明专利技术提供一种近红外晶格失配探测器缓冲层，包括依次形成于衬底上的组分渐变层、应力释放层、低温缓冲层和高温缓冲层，针对组分渐变层中由下至上的各个子渐变层，其对应In或As的组分比例逐渐增大，应力释放层与组分渐变层的组分相同，针对所述应力释放层的各个组分，其组分比例与所述应力释放层相邻子渐变层中对应组分比例相同。本发明专利技术通过将组分渐变层和低温缓冲层相结合，可以将较多的晶格失配分配到组分渐变层和低温缓冲层上，这样不仅可以降低缓冲层的厚度，而且可以降低错位密度，从而可以获得性能更加优良的探测器件。

Near infrared lattice mismatch detector buffer layer

The present invention provides a near infrared lattice mismatch detector buffer layer, including the component gradient layer, the stress release layer, the low temperature buffer layer and the high temperature buffer layer on the substrate, and the component proportion of the In or As is gradually increased, the stress release layer and the component in the component gradient layer are gradually increased. The proportion of the components in the stress release layer is the same as that of the adjacent Subgrade of the stress releasing layer. By combining the component gradient layer with the low temperature buffer layer, more lattice mismatch can be allocated to the component gradient layer and the low temperature buffer layer. This can not only reduce the thickness of the buffer layer, but also reduce the dislocation density, thus the better detection devices can be obtained.

【技术实现步骤摘要】
近红外晶格失配探测器缓冲层
本专利技术属于半导体制造领域，具体涉及一种近红外晶格失配探测器缓冲层。
技术介绍
在近红外波段，可以制作光子型探测器的材料主要有PtSi、HgCdTe、和InGaAs等。PtSi材料的制备成本低，但是量子效率较低，工作温度较低，需要制冷。HgCdTe材料的禁带宽度可调，吸收系数高、量子效率高，是应用比较广泛的材料，但是材料制备难度大，制备的大面积材料均匀性差，表面性能不稳定。InGaAs材料具有电子迁移率高，稳定性好和抗辐照性能强等优点，并且材料生长和器件制备工艺技术比较成熟，由这种材料制作的红外探测器可以在室温下工作，是1～3μm近红外波段的比较重要的半导体材料。InGaAs材料制备的近红外探测器，已成功应用于空间遥感和红外成像等领域。近年来，在空间成像(包括地球遥感、大气探测和环境监测等)及光谱学领域，对高In组分InGaAs(扩展波长)探测器件的需求在不断增长。在InP衬底上生长In0.53Ga0.47As材料，可以得到晶格完全匹配的材料，采用这种材料制备的探测器性能良好，但长波截止波长只有1.65μm。为了将长波截止波长扩展到1.65μm以上，需要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种近红外晶格失配探测器缓冲层，其特征在于，包括依次形成于衬底上的组分渐变层、应力释放层、低温缓冲层和高温缓冲层，针对所述组分渐变层中由下至上的各个子渐变层，其对应In或As组分比例逐渐增大，所述应力释放层与组分渐变层的组分相同，针对所述应力释放层的各个组分，其组分比例与所述应力释放层相邻子渐变层中对应组分比例相同。

【技术特征摘要】
1.一种近红外晶格失配探测器缓冲层，其特征在于，包括依次形成于衬底上的组分渐变层、应力释放层、低温缓冲层和高温缓冲层，针对所述组分渐变层中由下至上的各个子渐变层，其对应In或As组分比例逐渐增大，所述应力释放层与组分渐变层的组分相同，针对所述应力释放层的各个组分，其组分比例与所述应力释放层相邻子渐变层中对应组分比例相同。2.根据权利要求1所述的近红外晶格失配探测器缓冲层，其特征在于，所述衬底为InP衬底，所述组分渐变层的组分包括InaGa1-aAs、InbAl1-bAs和InAscP1-c中的一种。3.根据权利要求2所述的近红外晶格失配探测器缓冲层，其特征在于，所述InP衬底的晶向为[001]，a的取值范围为0.53～0.95，b的取值范围为0.53～0.95，c的取值范围为0～0.9。4.根据权利要求1所述的近红外探测器缓冲层，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘尚军，赵红，周勇，刘万清，杨晓波，丁时浩，吴唯，
申请(专利权)人：中电科技集团重庆声光电有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50